VCC、VDD和VSS三种标号的区别(update rev.1)

51video · 发表于 2010-8-5 19:43

看了，这篇文章不错，谢谢分享！

windream · 发表于 2010-8-8 22:08

看不了，，，

GDSZJL · 发表于 2010-8-11 16:40

支持一下！

sixers76 · 发表于 2010-8-12 00:50

可惜我還不能看,頂著先

wdliming · 发表于 2010-8-12 14:16

谢谢你了！！顶你！！

lyxgs · 发表于 2010-8-14 11:52

标记，等级不够

bargood · 发表于 2010-8-14 17:50

不错的文章

807929557 · 发表于 2010-8-18 12:25

看不了！

kingsr · 发表于 2010-8-21 13:52

VCC,  IC内部是晶体管工艺，也就是三极管的集电极C供电，称为VCC,一般模拟电路
VEE,  IC内部是晶体管工艺，也就是三极管的发射极E接地，称为VEE,一般模拟电路
VDD,  IC内部是MOS工艺，也就是MOS管的漏极D供电，称为VDD,一般数字电路
VSS IC内部是MOS工艺，也就是MOS管的源极S接地，称为VSS,一般数字电路
GND  一般供电回路系统地
E    一般对外壳接地

3.3V

kingsr · 发表于 2010-8-21 13:53

VCC,  IC内部是晶体管工艺，也就是三极管的集电极C供电，称为VCC,一般模拟电路
VEE,  IC内部是晶体管工艺，也就是三极管的发射极E接地，称为VEE,一般模拟电路
VDD,  IC内部是MOS工艺，也就是MOS管的漏极D供电，称为VDD,一般数字电路
VSS IC内部是MOS工艺，也就是MOS管的源极S接地，称为VSS,一般数字电路
GND  一般供电回路系统地
E    一般对外壳接地

3.3V