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Vmeas and test load descirption7 d# ?% k: N+ w/ d( C7 }) {5 o
- j2 t3 E' X \- R& I前面已经讲过Tco概念，那么手册中的Tco是如何得到的呢？" B( f- W& [( u( S+ N
& |- M/ E8 [/ D请看下图，半导体厂商首先会根据芯片特性确定具体的test load（不要深究为什么如此，如果想清楚理解，意味着你要进入一个新的领域----IC测试），我们的probe点即为T点，Tco的定义即为从时钟输入到数据输出的时间，而数据输出的时间点的确定即为T点波形上升为Vmeas的时间点。 k$ Z* D! A# E$ R( S
* o% r% E2 V/ \) S( ?+ g. G& B( |: R4 r4 {; e* ]
! m' q$ @" v4 f0 BVmeas为半导体厂商用来为输出buffer（当然包含output ，I/O，3-state）确定板级延时特性的电压参考点
; j2 h4 ?! N- T- F. ~7 V. {% w* f1 K. FVref，Rref，Cref为半导体厂商用来指明传输延时和输出buffer开关特性的test load
& I& v% \' x2 F; e. Z8 ]8 [3 E0 W) ^0 r: q![]() 2008-4-29 08:45 上传$ q) y4 v1 W9 e O: x1 l
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举个例子$ F1 s% T1 p& Y2 i9 ]$ L7 L8 d6 s+ s
) ]+ L {7 r& e5 e1 P* a6 Q![]() 2008-4-29 08:45 上传
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这是取自一个ibis model clk buffer的test laod及Vmeas参数5 ?# I v# M! H+ m( R3 x: K
. S& X" @- Q$ F' c' L1 ?下面分别用SQ和hyperlynx搭建起test load7 @$ y' S/ E2 }6 e8 P2 D
8 |, c4 Z3 X7 `3 }$ S& X |
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楼主: forevercgh
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发表于 2011-7-21 11:10
学习，谢谢楼主分享
看了420楼，学习
