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Vmeas and test load descirption; U, d9 J' h% L6 s' }4 ^
- j2 t3 E' X \- R& I前面已经讲过Tco概念，那么手册中的Tco是如何得到的呢？8 b& n! |9 f4 _) J0 c* o8 ]1 ^
& |- M/ E8 [/ D请看下图，半导体厂商首先会根据芯片特性确定具体的test load（不要深究为什么如此，如果想清楚理解，意味着你要进入一个新的领域----IC测试），我们的probe点即为T点，Tco的定义即为从时钟输入到数据输出的时间，而数据输出的时间点的确定即为T点波形上升为Vmeas的时间点。2 c+ F& @" M* F5 x5 O
* o% r% E2 V/ \) S( ?+ g. G& B( |: R4 r4 {; e* ]
& r3 d. {8 @: o8 H( M2 t8 ~" x2 zVmeas为半导体厂商用来为输出buffer（当然包含output ，I/O，3-state）确定板级延时特性的电压参考点. V" ]1 Y, y" b8 O; K
. {% w* f1 K. FVref，Rref，Cref为半导体厂商用来指明传输延时和输出buffer开关特性的test load
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; p% S S6 I+ u# x- ?举个例子$ F1 s% T1 p& Y2 i9 ]$ L7 L8 d6 s+ s
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! V% I: U# q+ x7 F! Y0 \9 ~) M+ }: p& W" \% H" [ L* w& }- V# s% Z N0 A- Z
& Y7 ^) t. N6 A8 e4 ]' [这是取自一个ibis model clk buffer的test laod及Vmeas参数5 ?# I v# M! H+ m( R3 x: K5 `* y( c1 B* Q
下面分别用SQ和hyperlynx搭建起test load7 @$ y' S/ E2 }6 e8 P2 D: ]6 b i8 K+ h
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楼主: forevercgh
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发表于 2011-7-21 11:10
学习，谢谢楼主分享
看了420楼，学习
