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Vmeas and test load descirption2 g* E& B, Z+ \2 q* M2 {( o
- j2 t3 E' X \- R& I前面已经讲过Tco概念,那么手册中的Tco是如何得到的呢?
! M; v$ i5 e" f9 ~) P& |- M/ E8 [/ D请看下图,半导体厂商首先会根据芯片特性确定具体的test load(不要深究为什么如此,如果想清楚理解,意味着你要进入一个新的领域----IC测试),我们的probe点即为T点,Tco的定义即为从时钟输入到数据输出的时间,而数据输出的时间点的确定即为T点波形上升为Vmeas的时间点。
$ y+ \" F* Y% j# c3 _7 ]; |, Y, _) D$ H* o% r% E2 V/ \) S( ?+ g. G& B( |: R4 r4 {; e* ]5 R' k/ I1 I A* \
Vmeas为半导体厂商用来为输出buffer(当然包含output ,I/O,3-state)确定板级延时特性的电压参考点
& D# x ?7 C' S/ V. {% w* f1 K. FVref,Rref,Cref为半导体厂商用来指明传输延时和输出buffer开关特性的test load8 e( e% ~$ ?% O' H. ~
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举个例子$ F1 s% T1 p& Y2 i9 ]$ L7 L8 d6 s+ s9 z5 m7 P( ^' l- |; z
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" m2 j2 v" j2 A+ P7 I2 \, {这是取自一个ibis model clk buffer的test laod及Vmeas参数5 ?# I v# M! H+ m( R3 x: K
: U6 ]- h$ Q4 g Q4 M6 A下面分别用SQ和hyperlynx搭建起test load7 @$ y' S/ E2 }6 e8 P2 D
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