|
Vmeas and test load descirption3 u b; n" ^# D) a; \
- j2 t3 E' X \- R& I前面已经讲过Tco概念,那么手册中的Tco是如何得到的呢?
' {% e9 Z" Y4 ]; A' J& |- M/ E8 [/ D请看下图,半导体厂商首先会根据芯片特性确定具体的test load(不要深究为什么如此,如果想清楚理解,意味着你要进入一个新的领域----IC测试),我们的probe点即为T点,Tco的定义即为从时钟输入到数据输出的时间,而数据输出的时间点的确定即为T点波形上升为Vmeas的时间点。
" {3 Y# Q+ [" e7 |4 `. j$ \* o% r% E2 V/ \) S( ?+ g. G& B( |: R4 r4 {; e* ]8 u3 [) k& k. F: H& w; z- w( S
Vmeas为半导体厂商用来为输出buffer(当然包含output ,I/O,3-state)确定板级延时特性的电压参考点4 o$ V. v% z5 h% m8 v/ B0 @
. {% w* f1 K. FVref,Rref,Cref为半导体厂商用来指明传输延时和输出buffer开关特性的test load: n' S/ S3 F& f; y+ R5 ]
8 [3 E0 W) ^0 r: q 2008-4-29 08:45 上传: I3 ?( ~/ X; `( t( K7 r8 L+ i# F
下载附件 (23.05 KB)
" O! Z, j' X& l$ o: y$ Q! @. q
0 F% x* R+ K; D4 @$ {7 p, T H3 i% M$ t3 n: z) _# u2 f! }
. L; E6 d# N ]1 D: L5 o% n; K5 a1 a; r/ Y, D6 s( d0 ~
% V/ t$ Q8 @7 X# ]% b I- v! h4 A* ]. m( R: c# W
举个例子$ F1 s% T1 p& Y2 i9 ]$ L7 L8 d6 s+ s- }0 @1 R8 p, ~* Z, H! f. {2 M
2008-4-29 08:45 上传' E; @% D6 L* \: J# ^
下载附件 (9.38 KB)7 G$ w; N9 V- @2 P- n+ O( H
! W; X5 I1 a D% x V
* `, G7 u/ L6 E. P6 ]9 N4 `" {# f, S9 `8 u
9 ~) M+ }: p& W" \% H" [ L* w& }- V# s% Z N0 A- Z* ~( I$ i, `) X B6 n$ _
这是取自一个ibis model clk buffer的test laod及Vmeas参数5 ?# I v# M! H+ m( R3 x: K, U J7 w! m9 r6 g7 d. b' n5 h
下面分别用SQ和hyperlynx搭建起test load7 @$ y' S/ E2 }6 e8 P2 D" R4 C5 F% K; Z# J, [/ N
|
|