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楼主: shqlcdd
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关于DDR信号辐射问题

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发表于 2011-1-19 19:56 | 只看该作者
对于电源线加粗不仅仅是从电流的角度出发的,还要考虑寄生参数的影响,在高速最怕的就是寄生电感,你的电源线如果不够粗的话,那么它的寄生电感将会很大,如果在某一时刻,你的总线全部处于驱动状态,那么就会瞬间有一个非常大的剑锋电流,这样,即使很小的寄生电感,也会带来很大的电压差,当然会有更大的辐射。

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发表于 2011-8-17 10:25 | 只看该作者
学习了
1 U9 t! `1 C) s# |# `

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发表于 2011-8-18 10:14 | 只看该作者
学习了!!!

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发表于 2013-4-18 10:11 | 只看该作者
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发表于 2013-5-15 13:33 | 只看该作者
看的不是很明白

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发表于 2015-1-20 10:00 | 只看该作者
我这里从SI/PI的角度分析下这个问题:5 T2 M+ a7 ^; b- C* z
133MHz刚好是时钟信号的频率,产生EMI的根源很可能是时钟信号,也可能是数据信号和地址信号
' i5 G, A* ]6 J3 Q5 S因为数据信号的频率是266MHz,地址是133MHz;
! M! ^8 @/ I# g8 H8 n7 d6 V% d% F# D产生原因可能有:$ @6 N# D2 g$ u

3 T% Z: ~$ k8 J& K/ p9 e1.CPU的驱动能力过强,负载较轻导致信号过冲过大,高频分量增加,导致EMI;如很多芯片有不同驱动强度,这个
0 U; b7 z# M8 s, K& p和负载大小,走线长度相关;) g  |5 H3 a9 ^5 Q# m2 t
0 i( ^% z- i- J6 H2 s4 W
dq_full             Full-Strength IO Driver
/ e3 m9 l+ s1 e$ rdq_half             54% Reduced Drive Strength IO Driver' L; f* x7 {2 {# v. T0 H1 j( X

: j" k* v  a7 S2 S2.整个链路的阻抗不匹配,如CPU的输出阻抗,PCB走线阻抗,DDR的输入阻抗,不一致,导致反射大,导致EMI;DDR的数据线上需要串接电阻进行端接;地址和时钟信号' F* b8 @, V9 D# g3 z( V: a+ F# D3 h
如果存在多负载也需要端接;+ s; W$ j, ^# b" Y

" m) @1 N* N* f  Q$ A/ a. h3.DDR的电源完整性,如去耦不足,电源噪声大,影响信号质量;
* }5 I& J4 j7 C( k/ D3 Q' D
8 O2 U: [4 a* N- K4.SSN,DDR的信号I/O同时翻转导致,信号之间的串扰也会导致EMI;1 a% w# N. A& A  Z9 V0 L. g) Q+ z( x- E

. x" C3 Q& |$ y解决以上问题最好方法是通过仿真和测试配合调试。

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发表于 2015-1-25 23:22 | 只看该作者
专业分析,受益匪浅
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