关于DDR信号辐射问题

wangjunchao401

对于电源线加粗不仅仅是从电流的角度出发的，还要考虑寄生参数的影响，在高速最怕的就是寄生电感，你的电源线如果不够粗的话，那么它的寄生电感将会很大，如果在某一时刻，你的总线全部处于驱动状态，那么就会瞬间有一个非常大的剑锋电流，这样，即使很小的寄生电感，也会带来很大的电压差，当然会有更大的辐射。

xiang

学习了

cccccc32

学习了！！！

lililu

学习了

kaka198510

看的不是很明白

Colin_SI/PI

我这里从SI/PI的角度分析下这个问题：
133MHz刚好是时钟信号的频率，产生EMI的根源很可能是时钟信号，也可能是数据信号和地址信号
3 I) L7 A- I2 \" f9 c+ g7 P, |/ c7 ^因为数据信号的频率是266MHz，地址是133MHz；
4 K/ M- v1 u! |3 b/ ^" v产生原因可能有：

1.CPU的驱动能力过强，负载较轻导致信号过冲过大，高频分量增加，导致EMI；如很多芯片有不同驱动强度，这个
和负载大小，走线长度相关；

7 S% ?5 ~7 o9 V: O! @5 j" {dq_full             Full-Strength IO Driver
* ?6 {& P0 Y2 f( H0 `dq_half             54% Reduced Drive Strength IO Driver

" u+ o) R# P4 d! E4 ]2.整个链路的阻抗不匹配，如CPU的输出阻抗，PCB走线阻抗，DDR的输入阻抗，不一致，导致反射大，导致EMI；DDR的数据线上需要串接电阻进行端接；地址和时钟信号
如果存在多负载也需要端接；
( P. P# ^8 B  t: p' `; u+ G
+ m" b+ [: ]/ P; E1 V3.DDR的电源完整性，如去耦不足，电源噪声大，影响信号质量；
& e( e5 v# U/ F. R
4 S2 e0 W: V" [% w- ]4.SSN，DDR的信号I/O同时翻转导致，信号之间的串扰也会导致EMI；

: w; d9 A& ?# W4 h4 Y" {& U% X解决以上问题最好方法是通过仿真和测试配合调试。

奋斗者

专业分析，受益匪浅