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3 X; G: ^& W6 j; |2 V7 P& C0 d c元器件抗静电等级依据MIL-STD-883,GJB1649, GJB548等标准划分,一般分为3个等级。
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I级,静电敏感度范围0~1999V,元器件类型包括:微波器件(肖特基二极管、点接触二极管)、离散型MOSFET器件、声表面波SAW、电耦合器件CCDS、结型场效应晶体管JFETs、精密稳压二极管、运算放大器OPAMPs、MOS集成电路IC、使用I级元器件的混合电路、超高速集成电路UHSIC、可控硅整流器;
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: S, T: L) y- x. `' _, yII级,静电敏感度范围2000~3999V,元器件类型包括:由试验数据确定为II级的元器件和微电路,离散型MOSFET器件、结型场效应晶体管JFETs、运算放大器OPAMPs、IC、超高速集成电路UHSIC、使用II级元器件的混合电路、精密电阻网络RZ、低功率双模型晶体管;
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( N2 y" E: R0 B2 N+ p3 ?III级,静电敏感度范围4000~15999V,元器件类型包括:由试验数据确定为III级的元器件和微电路,离散型MOSFET器件、结型场效应晶体管JFETs、运算放大器OPAMPs、IC、超高速集成电路UHSIC、使用II级元器件的混合电路、片式电阻器、光电器件、小信号二极管、硅整流管、低功率双模型晶体管;
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F3 X0 B8 y1 i7 y y( J非敏感,静电敏感度范围≥16000V,元器件类型包括:不需实施ESD防护区域的器件。 |
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