DDR4 双面布局时出线？大家给点意见吧

superlish

superlish 发表于 2017-5-16 17:54
第一种看过孔情况，正反面是共用孔的？好像不是FLY-BY吧？？下图这个贴的还不是最近的，还可以贴到电容那里 ...

没有共用孔啊，就是常用的DDR封装，看高亮的，都是串着走的，DDR是独立的一块的，可以用的层多而已，
7 o! \' S5 P" n3 k6 X& J1 a! p就是中间靠的近的需要拉开空间难绕点，其他都一样的，
还可以贴到中间去，那样就是整块都是孔了，会用的层多而已，其他没什么区别
% R/ B, x1 L7 y; J# F3 q

( F" r/ w" A1 V+ L' V7 M+ @. [/ m

superlish

fengyu6117 发表于 2017-5-17 08:48
* _0 o. c8 c% ]2 ?: B6 ^8 h& T7 V正反面放置不是纯FLY-BY吧，是FLY-BY加T点，FLY-BY放在同面，楼主看下芯片是否支持FLY-BY加T点

. f6 u0 b" V* O( a: s- E# r, i正反贴也可以走FLY-BY的，不共用孔就可以了

NIWO99

superlish 发表于 2017-5-16 17:54
$ ~3 `! T; j& {0 m! v" s3 N第一种看过孔情况，正反面是共用孔的？好像不是FLY-BY吧？？下图这个贴的还不是最近的，还可以贴到电容那里 ...

哦，层多是可以这样，孔不用移。

NIWO99

superlish 发表于 2017-5-17 10:39
没有共用孔啊，就是常用的DDR封装，看高亮的，都是串着走的，DDR是独立的一块的，可以用的层多而已，
- m7 d( ~, u6 ?6 F" r1 V0 @就 ...

正反贴和单点用空间差不多，能省一颗DDR的容间吧。我在考滤要不要换回单面贴，因为孔排的太密了，完全把电源和地平面破坏了。谢谢回答！

superlish

NIWO99 发表于 2017-5-17 10:29
我的是这个样的，没法共用孔

+ A+ P4 \# o2 h: R2 h就是要不共用孔，你的还可以压一下共用中间那排地孔和电源孔 就和我那个图一样了，
6 D$ u% @( j% h0 r8 b+ a& e我那里是因为层多就没拉出去，横着一排PIN走一层，就是孔只过一根线，用了6层
) ^9 ~. L# H- j( f% C
7 t  q4 d! f' o* b: B! k如果空间还要压缩的话，直接贴器件中间那里去即可，串着走就好了，不要共用孔

+ J( G- U/ R/ F

superlish

NIWO99 发表于 2017-5-17 10:51
$ h7 n# O! {8 X' f2 m) ?8 I2 M正反贴和单点用空间差不多，能省一颗DDR的容间吧。我在考滤要不要换回单面贴，因为孔排的太密了，完全把 ...

: A+ b+ @, s1 a5 l! i" h- H# w有空间的话放单面好处理多了，电容也好放。至于电源地平面？个人觉得多虑了，你把它当做一个整的0.8的BGA来看，才16排孔，单个电流也不大，
而一般大的0.8的DSP都不止16排孔了,电流还很大

fengyu6117

superlish 发表于 2017-5-17 10:45
正反贴也可以走FLY-BY的，不共用孔就可以了

正反面地址线不用公孔不好走吧？

jerryzhu

ＭａＲＫ

蓝色的天口

学习了

王开鑫55

第三个图：为啥stub最长呀 ？求教

王开鑫55

王开鑫55 发表于 2017-5-31 16:23
第三个图：为啥stub最长呀 ？求教

6 q- b* f: z3 V9 g是指顶层出线打孔的长度？好像是，但为啥这种是否 T型结构呢

王开鑫55

NIWO99 发表于 2017-5-17 10:29
4 s4 ^: N: z% ~) K# D7 |我的是这个样的，没法共用孔

" s- g# d4 p# V  D7 T这种上错错开的ddr，要走fly-by才能把线走完把
% Z; r( q- x5 e

王开鑫55

你最后的布局，顶层出线用的是哪种呀

mjchen

哈哈 ， 刚做的18片 DDR4  顶底贴，板子回来了 ，效果很好。哈哈哈         
( j5 V! }. X; v+ ?3 s. V3 e

王开鑫55

mjchen 发表于 2017-6-1 17:50
哈哈 ， 刚做的18片 DDR4  顶底贴，板子回来了 ，效果很好。哈哈哈

你最后用的哪种出线呀，能贴个DDR顶层出线图？