Q3D仿真验证L、G分布参数差距巨大

tanghao113

Head4psi 发表于 2015-11-13 23:29

1 k, j( M0 p% t! M! H$ [9 z
: K2 t9 O% @, l: v6 m$ }8 ]
6 s. J2 m0 `2 [1 o有关多根走线共用返回路径的环路电感的计算，我的理解如下（电流流向如上图所示）：


: [' n; s- @& {* ^环路1（红圈）的环路电感为：（L11 + L12 + L13 - L1-return） + （Lreturn - L1-return - L2-return - L3-return ）
0 [, Z* A2 Q. \, L' t" c9 Z
. H0 L+ z4 \5 \1 [
5 C* M7 H7 X# X9 z& `, k) d其中，
L11为导线1局部自感（Partial self-inductance）
) w( g2 e1 ~! i. P; P3 H+ W8 XLreturn为导线return的局部自感（Partial self-inductance）


1 z6 q4 R0 L- l5 x; H  u5 ML12、L13、L1-return为导线1与导线2、3、return之间的局部互感（Partial mutual inductance）
L1-return、L2-return、L3-return为导线return与导线1、2、3之间的局部互感（Partial mutual inductance）


$ s& \; h  x* y- E- k  T第一个括号内（L11 + L12 + L13 - L1-return）表示导线1的净电感（Effective Inductance）
+ ^0 {9 Z' H, Q第二个括号内（Lreturn - L1-return - L2-return - L3-return ）表示导线return的净电感 Effective Inductance）
  W0 j! _! ^( F. @
7 c, }" O/ H* c: g$ V
$ I; }, \- d% x& ]" P. C4 p不知道我的理解是否正确，谢谢！
7 j( @0 ^: |: V

Head4psi

我的看法如下，請參考。
就同相的 Sourece - Sink 整體而言，L11, L22, L33 應該是並聯的結構，等效電感 (Lpp) 計算參考 Eric Bogatin 書中的 6.14 節。
而 Return 就是 Lrr ，總 Loop 電感為 Lpp + Lrr - 2 Lrp 。
但是單獨看 Loop 1，2, 3  的 Loop inductance，則分別是 L11 + Lrr - 2*L1r，L22 + Lrr - 2*L2r  及 L33 + Lrr - 2*L3r。
; y( W& s0 y) B: v( j只不過 L1r , L2r, L3r 的量不同。另外，這結構還會有 L12, L23, L13 的互感參數。手算已經很複雜，就靠 Tool 幫忙了。
只要你正確的設定 Q3D 的 reduce return path，不管 Single return net 或是 multiple return nets 都可以。
2 L! M, k2 o$ Y$ O6 y

zoe17

学习了

zoe17

cousins 发表于 2015-11-12 15:36
事实上，Q3D算的就是loop inductance。
SI9000算的才是self inductance。
RLGC构成的电路L11，而Q3D里 ...

请教版主一个问题么？我在SIWAVE设置好PCB的相关叠层参数，导出到Q3D的时候PCB介质显示一整块的，不是我想要的结果，这种情况该怎么办呢？
$ z5 W& M; @# l. T/ F) K

pjh02032121

做过Q2D的阻抗仿真和SI9000的差别在2%以内，但是频率在2Ghz以上，2Ghz以下则差别很大。

pjh02032121

我计算的跟SI9000差别不大，除了L值外。
, S! s( e4 U; m4 v2 H9 \Q3D还是需要理解
  z: H8 I& A& \4 Z2 @2 c Project7.rar (27.61 KB, 下载次数: 6)

2017-4-11 17:59 上传

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1 C" c) M+ l1 |2 I/ o$ T
+ ^* Y) P1 i  }+ k0 G3 f

yqw_love

楼主能够分享一下最新的模型，让小弟们查看学习一下呢？

chen4507

学习了，新手入门，还请多多指教

szhot

高手啊，学习了。呵呵~