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楼主: tanghao113
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[Ansys仿真] Q3D仿真验证L、G分布参数差距巨大

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 楼主| 发表于 2015-12-2 14:12 | 只看该作者
本帖最后由 tanghao113 于 2015-12-2 18:57 编辑
. J& H7 Q- O) m. u; j
8 c7 s2 X4 }5 f/ }$ u. A  M, y . Z5 w8 W4 ^3 H

, D  }# t7 ?7 d4 I
/ w, Q% w( L* l
有关多根走线共用返回路径的环路电感的计算,我的理解如下(电流流向如上图所示):' H" T: Q1 t: Y/ _
& B% q: N/ r$ k: t* c8 a+ g4 q4 @

8 }' s% T0 v, Z环路1(红圈)的环路电感为:(L11 + L12 + L13 - L1-return) + (Lreturn - L1-return - L2-return - L3-return / {4 d: Q% p: ~

' B$ q% |; s4 x# E. ^, m! m8 J

$ {- V9 W  T- B+ M& l其中,
$ K. w% U$ m3 Q0 v8 rL11为导线1局部自感(Partial self-inductance) w4 `+ ^; u# p! {. N
L
return为导线return的局部自感(Partial self-inductance0 y+ ]! d; @2 q3 R

7 @, p% ?( N# ^* r
4 C- I' u; i9 X- H5 ^
L12、L13、L1-return为导线1与导线2、3、return之间的局部互感(Partial mutual inductance)2 L, S! {; E* Z; {% G0 d( s( Z
L
1-return、L2-return、L3-return为导线return与导线1、2、3之间的局部互感(Partial mutual inductance)/ v* x* x- _% H! q

" O! i3 @2 n0 W2 G, `, n1 _
$ T' m" {. O. E) B
第一个括号内(L11 + L12 + L13 - L1-return)表示导线1的净电感(Effective Inductance)8 J- X' f$ O% {2 h1 U& Q5 O1 O- e* g
第二个括号内(Lreturn - L1-return - L2-return - L3-return 表示导线return的净电感 Effective Inductance; w3 [' s7 R3 j- [- I5 Y3 o5 p, v+ i0 z

4 r3 @7 w% {' ?0 }( z4 P

7 Q* ^, g3 ]' j5 _1 N不知道我的理解是否正确,谢谢!
* M; |9 ^: O8 N+ t$ t: _1 _

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发表于 2015-12-7 11:32 | 只看该作者
我的看法如下,請參考。+ F: f( ^3 l8 r1 H: T8 O: L
就同相的 Sourece - Sink 整體而言,L11, L22, L33 應該是並聯的結構,等效電感 (Lpp) 計算參考 Eric Bogatin 書中的 6.14 節。5 ^8 F: g% L- t  H) e; ~6 x2 J( k
而 Return 就是 Lrr ,總 Loop 電感為 Lpp + Lrr - 2 Lrp 。
: s$ a) ^5 J# E+ Y但是單獨看 Loop 1,2, 3  的 Loop inductance,則分別是 L11 + Lrr - 2*L1r,L22 + Lrr - 2*L2r  及 L33 + Lrr - 2*L3r。. d$ E, A# `+ `& i9 |7 {; \
只不過 L1r , L2r, L3r 的量不同。另外,這結構還會有 L12, L23, L13 的互感參數。手算已經很複雜,就靠 Tool 幫忙了。: `4 R- _% l9 [7 x* @
只要你正確的設定 Q3D 的 reduce return path,不管 Single return net 或是 multiple return nets 都可以。; {/ W  z: ~. L+ ^$ A

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发表于 2017-3-4 12:10 | 只看该作者
学习了

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发表于 2017-3-6 20:22 | 只看该作者
cousins 发表于 2015-11-12 15:36% s( f3 U: {2 L1 o# I0 O. U
事实上,Q3D算的就是loop inductance。* I; Z6 c; ]1 i* ~% L* ?! h5 |
SI9000算的才是self inductance。
! r& J  q  w* \! y( GRLGC构成的电路L11,而Q3D里 ...
/ Z3 U1 ^$ ]9 p5 L7 U7 B
请教版主一个问题么?我在SIWAVE设置好PCB的相关叠层参数,导出到Q3D的时候PCB介质显示一整块的,不是我想要的结果,这种情况该怎么办呢?; Z% \( o5 d  F/ m& g) R

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发表于 2017-4-1 16:05 | 只看该作者
做过Q2D的阻抗仿真和SI9000的差别在2%以内,但是频率在2Ghz以上,2Ghz以下则差别很大。2 A7 h' m& b+ ^/ ~& p% j5 k- H
, W7 H7 A% Z$ r# c0 V$ g' E, l5 `$ B
3 @9 g: y+ M) G1 l9 I4 z" x4 J4 F1 ~
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发表于 2017-4-11 18:00 | 只看该作者
我计算的跟SI9000差别不大,除了L值外。
# ]. ~6 f" F# q; {1 GQ3D还是需要理解
# W1 b' a% b! b6 ^( k Project7.rar (27.61 KB, 下载次数: 6) ) ]  Q( C' R7 w6 `
( ]$ u) {& J0 Z% M3 K2 l2 T
IC封装设计

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发表于 2018-2-5 09:46 | 只看该作者
楼主能够分享一下最新的模型,让小弟们查看学习一下呢?

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发表于 2018-6-13 10:32 | 只看该作者
学习了,新手入门,还请多多指教

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发表于 2018-6-19 17:57 | 只看该作者
高手啊,学习了。呵呵~
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