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楼主: tanghao113
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[Ansys仿真] Q3D仿真验证L、G分布参数差距巨大

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 楼主| 发表于 2015-12-2 14:12 | 只看该作者
本帖最后由 tanghao113 于 2015-12-2 18:57 编辑 6 c, ~8 X7 o5 T" T7 f, L, c8 N
) m' j3 ~, _. {7 S& Q, b' T

1 k, j( M0 p% t! M! H$ [9 z
: K2 t9 O% @, l: v6 m$ }8 ]

6 s. J2 m0 `2 [1 o有关多根走线共用返回路径的环路电感的计算,我的理解如下(电流流向如上图所示):6 v  V. X8 z6 Z, H; X& b: B, U
; A8 S; c( V) g' K: f9 Y4 b

: [' n; s- @& {* ^环路1(红圈)的环路电感为:(L11 + L12 + L13 - L1-return) + (Lreturn - L1-return - L2-return - L3-return
0 [, Z* A2 Q. \, L' t" c9 Z
. H0 L+ z4 \5 \1 [

5 C* M7 H7 X# X9 z& `, k) d其中,- N& d( g5 g* z! o
L11为导线1局部自感(Partial self-inductance
) w( g2 e1 ~! i. P; P3 H+ W8 XL
return为导线return的局部自感(Partial self-inductance! O3 [% Z5 e# R9 U6 z+ y4 Y# K+ P  l
* v8 E3 P& `$ F1 v8 V

1 z6 q4 R0 L- l5 x; H  u5 ML12、L13、L1-return为导线1与导线2、3、return之间的局部互感(Partial mutual inductance): i6 N/ G8 A& d- f1 l6 I, V
L
1-return、L2-return、L3-return为导线return与导线1、2、3之间的局部互感(Partial mutual inductance)8 D/ R! d6 ^* t: H4 N
6 g: X/ B5 U9 h3 `

$ s& \; h  x* y- E- k  T第一个括号内(L11 + L12 + L13 - L1-return)表示导线1的净电感(Effective Inductance)
+ ^0 {9 Z' H, Q第二个括号内(Lreturn - L1-return - L2-return - L3-return 表示导线return的净电感 Effective Inductance
  W0 j! _! ^( F. @
7 c, }" O/ H* c: g$ V

$ I; }, \- d% x& ]" P. C4 p不知道我的理解是否正确,谢谢!
7 j( @0 ^: |: V

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发表于 2015-12-7 11:32 | 只看该作者
我的看法如下,請參考。/ V* ~/ N7 U# {' D3 I8 T
就同相的 Sourece - Sink 整體而言,L11, L22, L33 應該是並聯的結構,等效電感 (Lpp) 計算參考 Eric Bogatin 書中的 6.14 節。6 j' u* o2 d) {5 R% u9 h& Q# z
而 Return 就是 Lrr ,總 Loop 電感為 Lpp + Lrr - 2 Lrp 。! c. u0 D) S8 w' g2 d) r
但是單獨看 Loop 1,2, 3  的 Loop inductance,則分別是 L11 + Lrr - 2*L1r,L22 + Lrr - 2*L2r  及 L33 + Lrr - 2*L3r。
; y( W& s0 y) B: v( j只不過 L1r , L2r, L3r 的量不同。另外,這結構還會有 L12, L23, L13 的互感參數。手算已經很複雜,就靠 Tool 幫忙了。" v. g5 r0 N* H
只要你正確的設定 Q3D 的 reduce return path,不管 Single return net 或是 multiple return nets 都可以。
2 L! M, k2 o$ Y$ O6 y

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发表于 2017-3-4 12:10 | 只看该作者
学习了

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发表于 2017-3-6 20:22 | 只看该作者
cousins 发表于 2015-11-12 15:364 u  O& l6 e% Q. ?/ y
事实上,Q3D算的就是loop inductance。0 L* F8 E1 A) j7 u, q: N3 I2 O
SI9000算的才是self inductance。. K% M- b5 `. Z6 Y7 i- _3 k
RLGC构成的电路L11,而Q3D里 ...
7 g( X9 }2 G! W7 A, T. V  [% i
请教版主一个问题么?我在SIWAVE设置好PCB的相关叠层参数,导出到Q3D的时候PCB介质显示一整块的,不是我想要的结果,这种情况该怎么办呢?
$ z5 W& M; @# l. T/ F) K

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发表于 2017-4-1 16:05 | 只看该作者
做过Q2D的阻抗仿真和SI9000的差别在2%以内,但是频率在2Ghz以上,2Ghz以下则差别很大。$ Y' \( ]7 @' N5 \, k
1 ?- Z" O# n% O' ]) ?3 y4 i
1 q( q9 A  r8 y" j8 `" n
IC封装设计

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发表于 2017-4-11 18:00 | 只看该作者
我计算的跟SI9000差别不大,除了L值外。
, S! s( e4 U; m4 v2 H9 \Q3D还是需要理解
  z: H8 I& A& \4 Z2 @2 c Project7.rar (27.61 KB, 下载次数: 6)
1 C" c) M+ l1 |2 I/ o$ T
+ ^* Y) P1 i  }+ k0 G3 f
IC封装设计

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发表于 2018-2-5 09:46 | 只看该作者
楼主能够分享一下最新的模型,让小弟们查看学习一下呢?

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发表于 2018-6-13 10:32 | 只看该作者
学习了,新手入门,还请多多指教

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发表于 2018-6-19 17:57 | 只看该作者
高手啊,学习了。呵呵~
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