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本帖最后由 jimmy 于 2010-5-7 12:11 编辑 # U& B8 y. Q0 l# e7 _
1 @" G2 P& B7 _; |5 i+ g% L
layout DDR2 Dram 需要注意那些地方 那些線需要等長
+ ]6 Z9 N B& O8 J! G7 b3 {# r. R( i' Z0 n8 `% j
不知那邊可以找到相關資料
" N' L5 t ~4 t4 S2 f. F2 o9 a0 A
/ ~: `+ n" h7 s k) R2 rjimmy:
4 V" N/ K/ N; }7 @- h: [9 p
0 B. a( Z6 K- L1,等长
7 S) i8 q' i* ?) s" n
) X. J# g, u% o/ _' ^需要等长的信号线有:+ F6 g2 g& v: W y) {. J# H
a,数据总线
2 E* O, }) o" v5 f( jb,地址总线8 m. l2 m. A5 A5 ]/ i3 |
c,控制线
: e- v+ i1 G8 {3 ^/ bd,差分时钟
/ i! z, |$ U; m' X; T* i: V
/ Z. ?; C7 g# b, i2,完整的参考平面,包括电源平面和地平面,千万别跨区
! i' K, |. g4 n" |2 @- w7 T: J0 I5 z+ _& T! ~3 O" B4 C: `
3,特性阻抗连续
, g; f* t- C' |' r- G' H* f
- V+ _4 J% R% r% O通常单端50欧,差分100欧 I; Y& S2 B! @$ k7 |; ]. Q
5 {5 k3 n2 K$ L7 H- S
4,3W原则
8 q1 W; o9 p& Y4 e: X+ G4 a) c- [- A5 d9 G
5,蛇形线原则8 ]6 o* N$ h' m. j" r
( H6 N; x7 X& {/ Z
尽量加大平行线段之间的距离
: ~8 t" d, v: q, }: D6 {/ f
) a/ i; D4 _: H1 z& _" N" ^尽量减小耦合长度
$ K' ^8 u; Q3 C2 N0 |& ~/ u- [7 x& `% H& D5 j6 w4 L
8 @. g3 L" b6 M) h! ^
# ~, J1 f, l, r- a) m0 r6,参考电压DREF布线要足够粗,推荐>40mil |
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