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本帖最后由 jimmy 于 2010-5-7 12:11 编辑 % F G) _5 q. M8 [, h6 f$ f
, p# S3 d4 K$ z% c
layout DDR2 Dram 需要注意那些地方 那些線需要等長 # e2 p; n1 e+ W$ \
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不知那邊可以找到相關資料' ?( } u D& }' ^6 Z
- c. E v4 I& r
; F9 H: b) Y: X0 m8 Yjimmy:7 d1 x3 r* ~9 S* ~# T, ^
7 C/ \$ |: K0 r+ J1,等长
7 j4 T& R2 e1 z4 n; I' Q# H8 F) N- L
需要等长的信号线有:1 K$ \2 }/ T: l u- O
a,数据总线: z: Q0 D( v: h: A* P: [
b,地址总线
8 j1 B: M8 P- q d% Bc,控制线! r# }5 K) ~' K3 w5 _, a
d,差分时钟
: L2 M2 L% Y5 {; c7 [- R
- v! k- W( S% w( J/ W& ?: s! \2,完整的参考平面,包括电源平面和地平面,千万别跨区7 z8 N8 y' I: u4 ~. N1 g
- K1 o8 D0 X8 e# Q3,特性阻抗连续
4 m" t6 u0 o0 X7 w
7 i, p& ]8 p* Y* ]通常单端50欧,差分100欧
7 T. b. `) R; p, z
& s) l4 g5 U- ~) g4,3W原则
# g# ]9 q* s$ @# s* s* Y, q5 w# c9 _4 `; E2 d5 I
5,蛇形线原则
7 m1 ~3 H1 B' X% `" }" j2 j4 J+ Y6 f% I c& U5 h7 ?! }
尽量加大平行线段之间的距离
. [( E4 ?' G0 m/ m! ] _' d% A. W( m8 i- K
尽量减小耦合长度/ M7 c5 W, w& S4 X/ u" F: f7 z
R6 `2 L! B' ~$ l7 g( r: o- M1 l: K; E6 v9 t Q" O6 V
$ H5 A( D x7 E* I' i" Y( k6,参考电压DREF布线要足够粗,推荐>40mil |
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