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本帖最后由 jimmy 于 2010-5-7 12:11 编辑 ' }3 ^" l7 l3 y I! L* ?
' [0 B1 p0 m$ s' u- K' E u
layout DDR2 Dram 需要注意那些地方 那些線需要等長 1 C- k. a; ~: V' b3 X. x5 e6 [4 v& j
8 a# P3 ^/ m. Y) l, K) T2 b不知那邊可以找到相關資料! K3 D/ D3 j! P& X3 d6 L9 v! Y
* n1 F: E4 g2 g. n2 u$ _& b
7 t, _! x' P2 d6 b2 H# w
jimmy:
( z% V4 x8 T! }
" l5 F! l& H9 L& _1,等长) g t# x0 c0 E: h. w
2 Z3 d7 j- d6 f! ^. e' b- z需要等长的信号线有：
4 _) ]3 J2 S5 ka,数据总线
2 M0 m3 P8 F1 f! v* c _b,地址总线
% z8 j5 X% C4 b; f1 x% sc,控制线
; t" R7 ^- p! q/ z" td,差分时钟8 L& r) I/ O8 B, ?9 v1 c
4 ~6 e' e: i! w+ x& L4 P6 ` e2,完整的参考平面,包括电源平面和地平面，千万别跨区% ?$ m- u2 d6 y5 A& P6 S$ l4 Z
* q2 W8 V" q! P- r3 d) T, e" Z/ `
3,特性阻抗连续
! C) x0 Z( h+ [
8 [1 ?- f2 u4 o- K! D7 [通常单端50欧，差分100欧; I. b) g0 u' [% S2 l1 t
9 U0 J5 @- L* }+ Y
4,3W原则- K2 [8 n. d. E) D
* T& z# Z& Y- U1 @* G
5，蛇形线原则" d: [' m! Q1 M( m
* S% O9 \ A* \( d% N0 d9 I/ L尽量加大平行线段之间的距离
/ }9 c' _, e6 X* }, f" X. B: M
" H' m/ p* Y! I+ b7 V尽量减小耦合长度
6 b6 y; g! S5 I' K( V
8 R! g0 s( N& [4 e. o& J8 ?$ I. A/ m5 X, ~# F. R7 N) C
) f4 }* `: f, o0 {
6，参考电压DREF布线要足够粗，推荐>40mil |
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楼主: jimmy
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发表于 2010-5-5 15:39
