DDR4详解....各种技术参数

红孩儿

刚学完DDR3，现在来学DDR4啦，楼主加油。

jj9981

楼主真是个好淫

shark4685

NO 4 DDR4 封装
; S6 X4 D8 |$ e6 E

DDR4在使用了3DS堆叠封装技术后，单条内存的容量最大可以达到目前产品的8倍之多。
" y: n6 P: W8 z. E1 s& y- p7 h! P: F举例来说，目前常见的大容量内存单条容量为8GB(单颗芯片512MB，共16颗)，而DDR4则完全可以达到64GB，甚至128GB。

% d0 b! o! W9 i- O( j

               3DS堆叠封装技术

5 K6 G: d! y9 v2 Z8 E4 r
' J6 m" Q9 U; L1 f2 b/ `0 e

shark4685

/ a; f# Z1 _! t8 v8 G
2 t8 e: @' }% ?  l3 j+ L

NO5 DDR4 内存条分类及外形 & I' _# S2 B, c: T- b1 t2 E$ @: n( K # d: I+ l) N+ p' g" c 5 w% l1 D$ E6 u6 \4 ? DDR4内存金手指变的弯曲了，并没有沿着直线设计，这究竟是为什么呢？ & x. X1 E! ]% H8 |7 Q- l% p5 { 一直一来，平直的内存金手指插入内存插槽后，受到的摩擦力较大，因此内存存在难以拔出和难以插入的情况，为了解决这个问题，DDR4将内存下部设计为中间稍突出、边缘收矮的形状。在中央的高点和两端的低点以平滑曲线过渡。这样的设计既可以保证DDR4内存的金手指和内存插槽触点有足够的接触面，信号传输确保信号稳定的同时，让中间凸起的部分和内存插槽产生足够的摩擦力稳定内存。 4 R' o# f* w- L, P) f6 `# o 但本版主认为：其实是为了更好的信号完整性 　　接口位置同时也发生了改变，金手指中间的“缺口”位置相比DDR3更为靠近中央。在金手指触点数量方面，普通DDR4内存有284个，而DDR3则是240个，每一个触点的间距从1mm缩减到0.85mm。                         流线型金手指   o  Z+ Y+ x( q9 w7 f( N' {2 n! R                            DDR3 & 4

1 l  H( U3 \3 M5 u: b

JOBS

shark4685 发表于 2015-4-16 14:11

给楼主加油，膜拜楼主。。。

cool001

好贴，很赞

pjh02032121

楼主坚持、坚持、再坚持啊

shark4685

NO 6 关于DDR4的电压
; i; F9 ?- @6 o! w
DDR4 不仅采用3DS的封装形式，而且都是采用的20nm以下的工艺来制造的。

# T: E6 P- i% R- Q电压从DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V,动态范围是1.05--1.2V.
$ c. S- ^8 D# J, L+ r5 \8 R8 c
7 \4 U  C/ |' s% Q0 q8 t% q移动版本的SO-DIMM DDR4的电压还会更低。

. d5 ?) h3 E3 o- e3 J
1 @' m% `: S! K2 V
& B2 F1 @# i% y1 W5 P2 b

shark4685

但是由于DDR4的最大电流值仅和DDR3相当。

3 I; V. q3 N5 S' s6 d对于服务器市场，还需要提供Banks切换特性，所以使得服务器用DDR4存储器

8 h5 a' l; E) i0 v1 X与桌面版本的DDR4存储器从物理层面上就无法互用。

对与服务器供应商来说，有可能是一个巨大的市场哦。

zxb0403

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wdc

数据信号线单端的还是差分的？

shark4685

wdc 发表于 2015-4-20 11:18
数据信号线单端的还是差分的？

, N8 B' M- n$ }# w7 C并行总线，必须单端的。。
1 X. ~& i! [6 N

shark4685

请假2天再接着写。。。

jhh610528

支持

红孩儿

楼主最近好像比较忙。。