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DC-DC电源转换器的输出电容布局问题

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发表于 2014-11-24 17:43 | 只看该作者
风吹摇摆 发表于 2014-11-24 16:46& X; L+ e7 X1 L' o! u; m
论坛本来就是大家来探讨问题的,你要是知道原理详细叙述下你的观点!不要唧唧歪歪说让我们找某某专家教授 ...
% J) U' p& d  D9 r+ c: @
这家伙好犀利* S8 R' q7 ^8 I

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发表于 2015-3-12 14:44 | 只看该作者
Buck电路是输入电容优先靠近IC放置,Boost电路是输出电容优先靠近IC放置。

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发表于 2015-3-12 17:42 | 只看该作者
争执了半天,也没有具体的结果。  l0 u  l" I5 j! Y4 L( g
其实吧,电容的放置,器件都是挨着放置的,大电容与小电容走线就差呢么一点儿距离,真的有必要这么纠结么?5 `* M) u, ?, j3 b8 J3 K: N
我涉及的领域,不牵涉高速,射频。喜欢大电容靠近电感,紧挨着放置小电容,甚至直接把小电容放到大电容下面。
( x3 O3 o( v4 f: u对于这个问题,非要较真的话,希望当事人,给出实际的结果,只从理论,网上的资料,说服力是远远不够的。
不要痴迷于阅读成功人士的传记,从中寻找经验,这些书大部分经过了精致的包装,没有人会随随便便成功。更不要痴迷哥,哥还没成功!

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发表于 2015-3-12 17:45 | 只看该作者
fallen 发表于 2014-11-5 17:50' `1 {- r* |8 f2 Z( f& x( ]5 L
如果是100uF电解,100nF陶瓷,10uF陶瓷输出,我一般是10uF和100nF的靠近电感,100uF的电解可以放置的比较随 ...
+ V  T. e6 E+ `: ^/ ]% j5 G
恰恰相反,我习惯上,电感,100uF,10uF,0.1uF。偶尔也会把0.1uF放到10uF下面。唯独没有把100uF放到最后的。4 X* R/ C  V: J9 l, Y

5 a. |# ?  q1 U# G- k. U, c( P; E* I- p; m2 Z- Y

点评

不知你的理论依据如何?  详情 回复 发表于 2015-3-12 17:49
不要痴迷于阅读成功人士的传记,从中寻找经验,这些书大部分经过了精致的包装,没有人会随随便便成功。更不要痴迷哥,哥还没成功!

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发表于 2015-3-12 17:49 | 只看该作者
北漂的木木 发表于 2015-3-12 17:450 Z0 W) n8 C! B* E7 V# n9 _4 }
恰恰相反,我习惯上,电感,100uF,10uF,0.1uF。偶尔也会把0.1uF放到10uF下面。唯独没有把100uF放到最后 ...

' P3 p9 N5 Z$ J不知你的理论依据如何?
- U7 y3 M6 p) w! e/ t# c7 }

点评

没有理论依据,因为我的观点是,小电容与大电容的位置互换,没啥影响,更没有数据能说明有啥区别。 非要给观点,我理解是,电流先进电容大容量的,如果因为走线或电容的寄生参数,产生其他的噪声,后面还有电容  详情 回复 发表于 2015-3-12 18:25

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发表于 2015-3-12 18:25 | 只看该作者
本帖最后由 北漂的木木 于 2015-3-12 18:27 编辑 * O' q9 D6 B; G1 }( j) b
fallen 发表于 2015-3-12 17:493 \! g& y, ?9 c, w/ q* `5 k7 q- v
不知你的理论依据如何?

- k+ [: L, n% S: f: Y+ @* d, C# ?8 R+ o+ S- R2 [
没有理论依据,因为我个人认为,小电容与大电容的位置互换,没啥影响,更没有数据能说明有啥区别。0 c- G" Z" ]8 {% S
非要针对为啥这么放置给个观点,我理解是,电流先进电容大容量的,如果因为走线或电容的寄生参数,产生其他的噪声,后面还有电容能滤一下;相反,小电容在前面,一旦产生噪声,后面的大电容就无能为力了,电流总不会倒流吧。
- J9 Y6 \! F/ ]2 a! y: a0 P6 O

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对于你所说,本人观点如下: 1 容量大的流过的电流也大,同意此观点,因为i=c*dv/dt,假设都靠的很进近,电压同时起来,容值大的自然电流大。 2 电解靠近BUCK电感,电流大部分都从此流过,自然ESR造成的纹波就大。  详情 回复 发表于 2015-3-12 19:16
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发表于 2015-3-12 19:16 | 只看该作者
北漂的木木 发表于 2015-3-12 18:25
* G9 i- ?; i$ F0 m9 T9 A5 I0 b没有理论依据,因为我个人认为,小电容与大电容的位置互换,没啥影响,更没有数据能说明有啥区别。; e- H. @9 }( V$ s
非 ...

0 t9 U& H* z" \# H5 d8 o对于你所说,本人观点如下:+ d2 Z2 M+ }4 H8 m& l# P- j- N
1 容量大的流过的电流也大,同意此观点,因为i=c*dv/dt,假设都靠的很进近,电压同时起来,容值大的自然电流大。
- R& |6 R. o/ M& K8 z2 电解靠近BUCK电感,电流大部分都从此流过,自然ESR造成的纹波就大。9 ~9 R4 O: E0 I! }, F, s9 M2 |
3 如果10uF+0.1uF的陶瓷电容靠近些,电解相对位置远些,由于走线的电感与电阻,会使得10uF+0.1uF的电流相对大一些,总体滤波效果较好。
" g) u( O2 m' L) l" s" t7 ^4 当远端有波动的时候,会优先电解去退耦。6 |" k* y4 b8 u' T9 r3 d6 ]* n+ {$ f
5 0.1uF的靠近电感,可以削弱电感的部分辐射。之前本人就有一个BUCK电感靠近了USB口,使得USB-WIFI信号有影像,直接在电感处并联一0.1uF到GND,WIFI明显好转(虽然没有彻底解决)
9 E  b! }( r5 D8 P3 \6 没有人去纠结这些电容的摆放,您想怎么摆就怎么摆。1 h5 s% w/ M/ ]+ b( I" `
7 做硬件的,不是去靠试来试去的(虽然我们很多时候都是这样干的),我们需要用实际的去验证理论
& p5 i$ {9 N/ y" u3 F7 Z" d
. ]1 t% d4 o! q% G  ~喜欢就看下,不喜欢就拉倒了。& N6 K4 a7 d3 L0 c. }% Z

! I* {3 P( P! _2 Y' U5 g

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fallen 版主,你的意思总结就是大电容靠近了会引起输出较大的纹波(大电容大esr*大电流),相反小电容靠近不会这样,而且大电容靠后,也就是靠近负载,所储存的能量能够及时的去耦,我感觉还是很有道理的,但是你说  详情 回复 发表于 2015-5-28 19:48
说的很好,涨姿势了。我工作中,不涉及高频和射频,所以,就这么摆放,习惯了,对于以后的电源设计,还会这么摆,但是,会在大电容前面加一个0.1上去,反正不在乎这点钱。  详情 回复 发表于 2015-3-12 21:18

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fallen 发表于 2015-3-12 19:16
2 c7 a2 m# n8 Z* c& i对于你所说,本人观点如下:
, |* N% i( {2 _2 |) g4 E' R1 容量大的流过的电流也大,同意此观点,因为i=c*dv/dt,假设都靠的很进近 ...

+ Y4 V' W- K) C# f6 c) r说的很好,涨姿势了。我工作中,不涉及高频和射频,所以,就这么摆放,习惯了,对于以后的电源设计,还会这么摆,但是,会在大电容前面加一个0.1上去,反正不在乎这点钱。3 E) Z  o, e& v* D7 }' m
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发表于 2015-3-19 16:35 | 只看该作者
顺着电流方向从大到小,所以输入口越小电容越靠近电源芯片,输出口越大电容越靠近电源芯片

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发表于 2015-5-27 16:40 | 只看该作者
感謝分享~~

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发表于 2015-5-28 10:42 | 只看该作者
DCDC输出电容量应该是有一定比例的。以前我用过一种DCDC,当时靠近IC输出端用47uF,结果电压起不来,后反复查看数据手册,看到最近输出电容值不能超过10uF,后换上10uF电容,就可以正常工作了。。。

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这个问题,看起来下是保护了,减小了电容,上电电流。  详情 回复 发表于 2015-5-28 13:40

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发表于 2015-5-28 13:40 | 只看该作者
好专家 发表于 2015-5-28 10:42
8 }& z1 d- u" S: h5 C7 j* ADCDC输出电容量应该是有一定比例的。以前我用过一种DCDC,当时靠近IC输出端用47uF,结果电压起不来,后反复 ...
- `# z6 \% [% t4 N3 r- y& D
这个问题,看起来下是保护了,减小了电容,上电电流。

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也许不是属于保护,可能是容性负载过大,因为我拿示波器测试电源输出,发现成类似低频脉冲波。  详情 回复 发表于 2015-5-28 14:09

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发表于 2015-5-28 14:09 | 只看该作者
fallen 发表于 2015-5-28 13:40* r+ ~6 d6 ], L9 H) U
这个问题,看起来下是保护了,减小了电容,上电电流。
! \" V. p: x6 o& L5 v4 T
也许不是属于保护,可能是容性负载过大,因为我拿示波器测试电源输出,发现成类似低频脉冲波。4 ]# v( h' M1 Y- J

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那就是保护了嘛。有些DC-DC在短路后,以低频的做PWM。 容性负载增大,就是加大了启动电流,I=C*dv/dt。  详情 回复 发表于 2015-5-28 15:33

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发表于 2015-5-28 15:33 | 只看该作者
好专家 发表于 2015-5-28 14:09  R2 U! B# r$ ^( L" H# B: \! N" G) ?( R
也许不是属于保护,可能是容性负载过大,因为我拿示波器测试电源输出,发现成类似低频脉冲波。

. q: {" a# N; C% S那就是保护了嘛。有些DC-DC在短路后,以低频的做PWM。
7 e6 ^) _6 F9 D0 t: [. n+ N容性负载增大,就是加大了启动电流,I=C*dv/dt。% R8 k* D) |! z: c3 f$ ~% M

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发表于 2015-5-28 19:26 | 只看该作者
fallen版主还是很厉害的,大家都和气一些,都是讨论嘛,各有各的意见,很正常的,,俗话说山外有山,人外有人的。。。
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