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标题: 射频信号正下方的地为什么要挖空？ [打印本页]
作者: youzhi.shen    时间: 2011-12-9 16:14
标题: 射频信号正下方的地为什么要挖空？
请教一下，射频信号正下方的地为什么要挖空？
( }* \( ?2 V' n" A  ]- g+ I. w# F) m  I0 t
作者: youzhi.shen    时间: 2011-12-9 16:15
这样的话回路是不是就是信号线周围的地了?
作者: huangzj    时间: 2011-12-16 13:27
一般而言模拟线要加粗这样的话就会使得阻抗发生变化，所以为了对阻抗控制，在模拟线挖空，隔层铺铜的做法。
作者: Gionee    时间: 2011-12-23 19:35
正解:
% @' S, Z3 ?8 L! _: v1 e. U5 `减少寄生电容效应
. I8 W  R. Z9 o( K$ }! y5 ^% K寄生电容减缓信号的上升沿 对高频信号质量影响大
作者: eggapple    时间: 2011-12-24 22:04
RF信号是窄带信号
作者: dzwinner    时间: 2011-12-28 11:10
4楼是正解！我再解释下，既要减少寄生电容的影响，又必须达到50ohm的阻抗设计，咋办？只能将参考层设置的远一些，也就是通常的隔层参考了！
作者: qiangqssong    时间: 2011-12-28 16:37
学习下！！！
作者: youzhi.shen    时间: 2011-12-31 16:15
多谢4楼的解释，还有一点不明白
& }1 e  O# x% B9 V1 ^我看的是英飞凌的设计，他们的信号线到共面地 也就4mil，要是以隔层的地做参考的话就是信号到地平面最少也要6mil以上吧，, w, i8 q+ l, z: E) r
一般信号都会选择离信号最近的地做参考平面，所以信号会流路径应该是共面的地吧。2 y8 x# g7 X) S; B$ r
作者: redeveryday    时间: 2012-2-6 16:37
这点我也很困惑，期待高手的分析。先顶一下。
作者: dzwinner    时间: 2012-2-6 17:05
高速信号是有一些会在同层回流，但微乎其微，主要还是走线正下方的完整参考平面！隔层参考就对了！你可以自己仿真看看！
作者: hao2012    时间: 2012-3-2 21:40
是将走线下方的地挖空吗？我只遇到过将 PAD  下面的参考面挖空的，这个减少电容我觉得合理，线下不会挖空吧
作者: DAA008    时间: 2012-3-3 11:31
本帖最后由 DAA008 于 2012-3-3 11:32 编辑
: u# O4 X% z5 N3 K4 K6 u! z( o: `1 u  v( |
differential線底下挖空會繼續reference到再下一層的參考面，所以依然有回流路徑。
' C5 }* D$ B* p( V  C  \2 A電磁場更多比例綁在PN線之間，對地電容減小誠如Gionee所述。/ E6 j9 E8 m" C  g, ~6 i
並且因為遠離地層，必須增加線寬及減少PN之間的距離才能達到阻抗要求，" u/ b+ T6 C: P) o: E. N
這對高速訊號來講更加減小了loss，缺點是layout面積需要更大。. }/ y" F' M) j7 d
& `( l3 g% a" }" [
hao2012所說的pad底下挖空是為了阻抗控制，不同目的。
( w9 q+ y9 i- k" k8 A3 R主要是pad本身面積比較大會讓阻抗變小(對地電容變大)，
% ^+ S4 t0 ^  U/ V- \! H& x1 x; k原本線的阻抗50可是pad可能是也許40，所以你把pad底下參考挖掉會讓阻抗又回到50，
. @$ [6 z6 |. h( y1 n+ _對整條線來講阻抗就會比較連續。
作者: huzhongmoshui    时间: 2012-3-4 14:06
主要是为了增大anti-pad的距离，但是在挖空的时候不能仅仅以pad为边界来切割，而是应该以component为单位来考量寄生参数，挖不好会弄巧成拙的。
作者: chengwei1984    时间: 2012-3-17 10:33
和射频信号传输线也有关系吧，我记得射频信号传输线有75欧的。: f- d) ?# y- o% q8 a+ M
至于差分走线的参考地挖空应该是阻抗匹配的要求吧，一般差分走线并没有焊盘宽，
5 F4 s! E6 E/ u那么当差分走线进入焊盘，就相当于走线突然变宽，从而影响了特征阻抗（阻抗变小），
4 |3 k. S+ `$ v; @为了匹配就只能挖空参考地了。我记得Altera官网上专门有1篇文章对这个进行论述的。
作者: cup    时间: 2012-8-8 09:29
huzhongmoshui 发表于 2012-3-4 14:06
) ?3 w+ F1 [+ H4 D主要是为了增大anti-pad的距离，但是在挖空的时候不能仅仅以pad为边界来切割，而是应该以component为单位来 ...

5 X# b2 z: h$ h: {& C  V这个能不能详细解释下呢？
作者: 3345243    时间: 2012-10-30 19:58
Gionee 发表于 2011-12-23 19:35
1 q2 r  ^& x' g* X. G& a正解:9 Y; x( K: s# ]/ |7 x
减少寄生电容效应+ l/ }0 B( Q* F& g" T0 Q! x
寄生电容减缓信号的上升沿 对高频信号质量影响大

1 l2 ]/ ^3 V1 ]5 F0 ~/ @) u高频信号没有上升沿说法，有上升沿的是高速: p, O' J8 I/ N- O0 _# K4 m
阻抗是在无损模型里是L/C开根号，线走宽了，电容也变大了。加宽走线会加大面积，减小R带来的影响
作者: xinghong3208    时间: 2012-11-2 16:08
学习了！！！！
作者: neon    时间: 2012-11-4 10:51
隔层参考，使射频线变粗阻抗依然为50，线上面损耗更小。
作者: eda-chen    时间: 2012-12-27 00:38
H变大了，Z也变大，但又要保持50欧姆，怎么办？只能改变另外一个因素的值了，线宽粗点，Z又降到50了。



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