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学习Cadence的笔记(十)-2010.3.15

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发表于 2010-3-15 16:24 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
1. Oops=undo,在setup/user preference中可以设置undo缓存空间及undo步数或者说是深度,范围是10到50步。
% D1 b0 M4 M! s: V, m$ V, z( N3 V( x1 x" G, q  Y6 I
2. 对于表贴pad,只需要设置 Top、Soldermask_Top 和 Pastermask_Top 三层即可;对于过孔pad,不需要设置 Pastermask_Top 层
8 `4 F- V4 `; N( v; v9 c6 C/ l( D) ?
3. 做封装的时候必有silkscreen top, assembly top, place bound top,
$ L, l/ }( o; d6 W! w; X% L! [+ ]+ \' C1 y, b. p
display top 一般是在这个层上在器件的几何中心画一个十字,这样方便定位,
9 L. `# \% {, X% I9 a7 a% @, Q: m! U% ]; r
DFA bound top 的意思是Dedign For Assembly bound top,作DFA检查用。
  U6 r4 Z# U' H7 n& T; W" w
" S$ e: L. t4 w; X) `( Xpackage的assembly是器件的外形,Ref Des的assembly是封装的名称,Component value的assembly写个Val就行了,可以不加的,3 Z) @( Z7 E" B) K; K
9 D: f, Y/ T7 `
place bound top和DFA bound top定义成一样的,反映的是器件占用的面积,它们不一定和assembly一样,因为器件的外形和他占用的面积不完全一样,这个要依赖于布局布线的
; ~. H  y' p+ C. l7 B( a* n- |, J7 R5 N( X3 E2 }8 x# }) @
考虑。: k3 }; `& p1 o) b2 D% Y

  {, P4 u0 o6 c( n! [. U' J. N
/ @5 `& b7 g  P# C4 ]5 q& {9 M4. 晶振附近的覆铜,电路中的晶振为一高频发射源,做法是在环绕晶振敷铜,然后将晶振的外壳另行接地。晶振附近的接地隔离带,一定要良好接地。
6 w+ ~, Q4 y% c3 p* T3 R* t) Q% x# T# o! L5 W
8 [0 V3 _: _' e1 f  q0 X
5. 多层板中间层的布线空旷区域,不要敷铜。因为你很难做到让这个敷铜“良好接地”。
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发表于 2010-3-15 18:12 | 只看该作者
跟着学,就是跟着向前冲……

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发表于 2010-3-15 21:59 | 只看该作者
说说封装中的金手指如何做行吗?谢谢!

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发表于 2010-3-16 05:22 | 只看该作者
路过。

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发表于 2010-3-16 10:55 | 只看该作者
我对第5点有疑问,我们现在做的多层板,中间层的布线都做到铺铜了。另我问了其它的朋友他们做的时候也都有铺铜.

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 楼主| 发表于 2010-3-16 11:22 | 只看该作者
回复 5# cake
9 n$ j# l5 U" W这不是我自己的经验,呵呵,可能是中间层覆铜的工艺方面的问题吧

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发表于 2010-3-16 11:53 | 只看该作者
铺铜是没问题的) X! p. p0 n. Q' y" m* h8 C: o
只是要搞清楚铺这个铜的作用是什么2 F; t" |( E. T3 n$ |! w& M: Z+ r3 a
这样就比较好处理了

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发表于 2010-3-16 12:52 | 只看该作者
“ 多层板中间层的布线空旷区域,不要敷铜”  这个不太理解,谁能解答下啊。看过很多板子都是铺地铜的啊

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 楼主| 发表于 2010-3-16 19:18 | 只看该作者
回复 8# xin_yu 3 C& K3 @0 H  x2 Q; \; f
2 w/ q+ H) K' N5 R4 V) C9 E. N
一般覆铜连接到地网络是比较常见
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