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本帖最后由 Cadence_CPG_Mkt 于 2018-2-7 09:38 编辑
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% c- l3 A* L" t- xIBIS-AMI建模
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假设我们的PCIExpress Gen 4串行链路,使用初始的PCB走线和过孔模型,其余的缺失部分用于发射器的IBIS-AMI模型,“AMI”表示算法模型接口。正如其名,IBIS-AMI模型具有以传统IBIS (I/O 缓冲区信息规范) 格式定义的“电路”部分和以AMI格式定义的“算法”部分。两者都是完整模型所必需的。 / ]; m7 T2 H9 T v C
该模型的电路或IBIS部分用于描述发射器的电压摆幅、输出阻抗、寄生效应和上升/下降时间特性。这些信息应该在您SerDes发送器的数据表中。假设数据表显示,以50ohm作为参考阻抗,摆幅为1V,单端50欧姆输出阻抗,0.5pF范围内的焊盘电容,以及20ps左右的单端上升/下降时间。采用一个标准的IBIS模型作为开始,是最直接的做法。
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该算法(或模型的AMI部分)用于描述发射器的均衡行为。在PCI Express Gen 4的情况下,这由前向反馈均衡(FFE)或“去加重”组成。FFE将包含多个“抽头”,表示产生去加重行为的main和boost驱动器,boost转换位(例如0到1的转换)和去加重稳定状态位(例如连续的多个1)。这些抽头的作用大小通常用系数来表示,表示与主抽头相比它们的比例系数。 _- E5 T4 y8 w+ ~
2 @2 t% h2 S% K' ~8 q9 x将上述信息作为输入,现在的IBIS-AMI仿真工具通常包括直接生成AMI模型的功能。同样,这些信息通常可以在SerDes发射器的数据表中找到。假如您感兴趣的发射器使用与PCIExpress规范中描述的类似的去加重设置,可以使用如前所述的自动化工具,利用上述的抽头系数快速直接地生成AMI模型。 ; s1 j2 v9 l9 ]/ N* @* V# |
* L6 p* N, y4 E5 h2 A2 l下一篇> 启用约束驱动设计 3 g: m$ g P! z) Z- O- E- N2 d
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