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本帖最后由 DAA008 于 2012-2-20 09:56 编辑
1 i+ ^) A% l% n# Y1 O( pclandey 发表于 2008-12-9 15:46 ![]()
& I) i# c: |! }/ n晶振的布局一般很靠近芯片，走线一般都很短，所以我也倾向走表层，也没见EMI有什么问题。不过我见过的晶振才 ...
4 _; r; y& h; |0 i; q4 A如果是石英震盪器送出給晶片的走線，建議是走得又短，又在外層。4 ]9 ^1 `8 \. p) I' Y% T* w) w
誠如上方討論，走內層的好處是crosstalk又少，阻抗控制得又準。
; F& i( s1 m, X! V* \7 Q4 p
4 y5 P- U5 k5 J' [2 ]# z走線本身會有電容性，拉越長就越多，
0 E- J. c6 m( y8 `若要走內層則無可避免得打額外的via，這又增加額外的電容性。
3 [( E, C2 v2 R) Q0 U3 `% k) e; ]( Z! T& {
這一點點電容性一般走線對一般串列訊號是很少差別的，: M7 l0 }2 W# }0 ^. e
除非走線又長(ex:>15")速度又快(ex:>6Gbps)。; Z' n1 l) p, c6 U# C$ B
但對於震盪器輸出的地方而言，這點點電容會影響震盪的頻率，
6 v& ]8 R) D, H1 H. Q電容越大影響就越多，會造成晶片接收clock訊號頻率差異而無法滿足spec。
6 |/ e# |0 h% ~( x8 S* g2 o( v& |, y* x9 [5 C5 p7 E2 \+ r. d z
至於不是從震盪器出來的一般的晶片互傳的clock訊號，* P9 Q, v7 m7 c3 A4 N8 C( B
走得越長的話盡量把它埋到內層，短短的話就沒啥差了～
2 u& O' p! u. C/ a9 L |
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楼主: mengzhuhao
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发表于 2011-11-25 11:49
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