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本帖最后由 DAA008 于 2012-2-20 09:56 编辑
0 f1 z6 }, d1 _, v+ K2 xclandey 发表于 2008-12-9 15:46 ![]() 3 O: _7 w6 m5 Q5 v v
晶振的布局一般很靠近芯片，走线一般都很短，所以我也倾向走表层，也没见EMI有什么问题。不过我见过的晶振才 ...
# ~3 ^$ V, _) K- \. l3 l; W如果是石英震盪器送出給晶片的走線，建議是走得又短，又在外層。
+ L9 X+ G$ `. G. k/ i: K% e0 s! s: ?, D誠如上方討論，走內層的好處是crosstalk又少，阻抗控制得又準。$ w& V* x+ j+ U" L6 K- w
( f! |- t# `. x7 T; G( _$ A( `
走線本身會有電容性，拉越長就越多，4 f+ o. e6 e, a" i3 h
若要走內層則無可避免得打額外的via，這又增加額外的電容性。0 `0 i5 A" a6 }; _0 ]
% M" @& t W) X+ K. O# r; g0 D7 R4 O這一點點電容性一般走線對一般串列訊號是很少差別的，3 q4 ]4 }0 h- g1 H
除非走線又長(ex:>15")速度又快(ex:>6Gbps)。' y/ D# o$ r7 l; @4 s
但對於震盪器輸出的地方而言，這點點電容會影響震盪的頻率，
) L0 H9 c/ B9 d" L, E& @# r電容越大影響就越多，會造成晶片接收clock訊號頻率差異而無法滿足spec。
) `7 Y+ H& `* G" P
* ?5 @ R0 Y% l8 A. b至於不是從震盪器出來的一般的晶片互傳的clock訊號，5 o' U+ V2 W& W9 g
走得越長的話盡量把它埋到內層，短短的話就沒啥差了～
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楼主: mengzhuhao
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发表于 2011-11-30 20:30
发表于 2011-12-5 23:29
