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本帖最后由 zhongyiwaiting 于 2012-10-8 19:44 编辑 9 L" _+ }+ G3 Q8 ]: U# C
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顶起!' q6 d" ?( G/ M, \3 s2 s- h( h
看目录,这本书应该是侧重IC版图设计的吧!5 }# k1 J; M8 _' z. D0 v O, S, a( V0 [
- d! E" d0 R& a6 zSEE:http://www.tushucheng.com/book/3083082.html
( g9 ^; t- T) _8 c
; q9 G7 V- F, A/ Q- h内容提要:# j4 }( j% X) N0 C4 Y- r; L. F
李扬、刘杨编著的《SiP系统级封装设计与仿真——高级应用指南》介绍了SiP系统级封装的发展历程,以及当今最热门的SiP技术,并对SiP技术的发展方向进行了预测。 3 \! p( R6 _; A( |) L: V
本书重点基于Mentor Expedition Enterprise Flow设计平台,介绍了SiP设计与仿真的全流程。特别对键合线(wire Bonding)、芯片堆叠(Die Stacks)、腔体(Cavity)、倒装焊(Flip Chip)及重分布层(RDL)、埋入式无源元件(Embedded Passive Component)、参数化射频电路(RF)、多版图项目管理、多人实时协同设计(Xtreme)、3D实时DRC等最新的SiP设计技术及方法做了详细的阐述。在本书的最后一章介绍了SiP仿真技术,并通过实例阐述了SiP的仿真方法。
6 ]4 j# G* b& r2 |& R! R0 I《SiP系统级封装设计与仿真——高级应用指南》适合SiP设计用户、封装及MCM设计用户,PCB设计的高级用户,所有对SiP技术感兴趣的设计者和课题领导者,以及寻求系统小型化、低功耗、高性能解决方案的科研工作者。目录:
1 C# m8 L* w& O. r% l6 F第1章 Mentor公司SiP设计仿真平台
; p( o$ C! `/ ]. V% q0 u1.1 从Package到SiP的发展
! v! v" g: p2 M/ F' M6 t, H1.2 Mentor公司SiP技术的发展 7 R+ E2 Y& B% K) Z) g; E) |
1.3 Mentor SiP设计与仿真平台
7 q3 M: Q2 ~9 [$ b1.3.1 平台简介 & g3 d7 q6 @$ K0 c( ?. {; f! G
1.3.2 原理图输入
( n) l/ P" A" P I' \1.3.3 系统设计协同 ! m. x q) u7 X( q, D0 B! E" j" m
1.3.4 SiP版图设计 9 Q/ m; [4 G$ M/ ]7 x: L( `% U
1.3.5 信号完整性和电源完整性仿真 4 j: z& l& o8 U" h$ ?9 ]' i
1.3.6 热分析仿真 ! i2 `/ B- J6 y& s2 M" |
1.3.7 Mentor SiP设计仿真平台的优势和先进性 3 c( r; A3 t+ @0 V( ^) k
1.4 在Mentor SiP平台中完成的项目介绍
" _" ?7 ]0 {! k$ Y" [第2章 封装基础知识
$ o7 p; T2 V+ T* y+ a0 u) ~" E2 h& A2.1 封装的定义与功能
( @0 \8 ` d+ l: @ T- W- M2.2 封装技术的演变与发展 0 a/ k/ m; t2 s% A$ l% j
2.3 SiP及其相关技术
- _* z8 F/ f9 S" A" W# y/ i( Y2.3.1 SiP技术的出现 4 k# f. G- D) ^! ]9 Y2 |
2.3.2 SoC与SiP
: [8 g. K$ z$ r: q0 H2 S4 P5 L2.3.3 SiP相关的技术
$ u2 n5 D* g" J2.4 封装市场发展 2 z% ~9 m, ^+ O# |* K
2.5 封装厂家
: l. G! P1 [; v( {2.5.1 传统封装厂家
' q4 k @) B u1 ~- W/ z) B2.5.2 不同领域的SiP封装企业
$ A- N9 V) M( V' p8 W) ~0 C8 s# p2.6 裸芯片提供商
+ K' H) L6 P6 ~, z2 I, k% p- j第3章 SiP生产流程
- @6 A* p: W9 C# _( A. L" {% b3.1 BGA—主流的SiP封装形式
8 {( ?+ d. l- l# A" n3 }3.2 SiP 封装生产流程
$ t. \ ?# r! f9 \6 F1 W3.3 SiP封装的三要素 + e! Y, f5 \) T1 p2 g
第4章 新兴封装技术
- Z! k7 }! \. a( L6 U5 ~5 u2 r0 {4.1 TSV(硅通孔)技术 , T ^" m0 W- W0 m: @
4.1.1 TSV介绍
& m/ \/ A( R" A: X3 w4.1.2 TSV技术特点
. v& C5 |7 a9 l/ ^; ]( B8 {5 U' {6 z4.1.3 TSV的应用领域和前景 . m$ g0 v* R% m' |- K
4.2 IPD(Integrated Passive Device)技术 / T+ x" Z0 N9 `1 U: D- l& I/ Z+ P
4.2.1 IPD介绍
0 B7 u8 Q ?% X2 F4.2.2 IPD的优势
9 Y, r X0 T9 b" ]/ m4.3 PoP(Package on Package)技术 ; j/ S9 o5 z! t9 V1 z2 K4 C2 G2 s, W0 Z
4.3.1 3D SiP的局限性 ) y( G! T& V5 Z" i3 d
4.3.2 PoP的应用 8 \1 s+ B$ L T( |; }" w* Z, W
4.3.3 PoP设计的重点 4 H3 \( e& m1 S+ L
4.4 代表电子产品(苹果A4处理器) ) W8 Q4 }/ F; T6 ~1 @
第5章 SiP设计与仿真流程
" A7 E9 N/ t6 d* K; r5 L5.1 SiP的设计与仿真流程 + h" D' n: s" n# }# F3 b
5.2 Mentor环境中的设计与仿真流程
; W' `5 v- f" ?, c- Q8 s. v5.2.1 库的建立
3 u( t L/ r( j9 Y5.2.2 原理图设计
! g" i) _- J" F2 t5.2.3 版图设计
f6 Z" N5 g* t) n( Y6 B# O8 s/ y5.2.4 设计仿真
! [1 O" U; B4 I1 ?第6章 中心库的建立及管理 6 {9 @ Q5 o0 H
6.1 中心库的结构
3 `" e: O3 X" f% j) V$ V6.2 Dashboard介绍 9 f( u+ W6 @1 X u3 j1 v+ l
6.3 原理图符号库的建立
) V* m2 @8 v" b% J6 M/ k6.4 裸芯片Cell库的建立
6 ^7 [( L. x0 @5 t6.4.1 创建裸芯片Padstack 6 v3 Q T% Y* ]! p/ w3 [: u1 o! Z
6.4.2 创建裸芯片Cell " Z$ U+ c3 w: y- E7 u( S. Y, [
6.5 BGA Cell库的建立
8 V% B4 V$ [! l6 i% d) C, l6.5.1 创建BGA Padstack
8 V4 v$ U+ I' y, ]! P, h# k3 u9 E6.5.2 手工创建BGA Cell 2 F. x) ^7 d0 ^! @$ D
6.5.3 使用Die Wizard创建BGA Cell ' e, Y, Q- l+ Z, y3 U! P, _ G1 D
6.5.4 LP Wizard专业建库工具 % Q4 ~+ L. f( ~% q
6.6 Part库的建立
1 M& ^: x4 O% N. y+ D6.7 通过Part创建Cell 7 ?# ?$ ~7 F4 ]! w, u' c! B3 |4 @
第7章 原理图输入
1 \9 Q/ l1 S% w% ?) d0 |0 u7.1 网表输入
V" ?1 r d' v* Y% ~& c+ @7.2 基本原理图输入
: a8 e# y' E* H& Z5 z) S7.2.1 启动DxDesigner
, t. ^7 ?8 N; ]7.2.2 新建项目 A( { \1 O' h; D& V2 W
7.2.3 设计检查 % h- q- i/ ~1 U; T
7.2.4 设计规则设置
- q) N" n# [% D) `2 e4 Y8 K7.2.5 设计打包Package 8 B/ v. C$ _" `( n
7.2.6 输出Partlist
+ y& k$ F D5 T" y7 z1 k1 j( W# e7 Q& r, @7.2.7 原理图中文输入
, w1 y' [/ Q Z& T& \7.2.8 进入版图设计环境
% x& U$ _, ?" @7.3 基于DxDataBook的原理图输入 $ V) {( D1 X8 L9 N1 f
7.3.1 DxDataBook介绍
+ z+ m6 y+ F2 q8 W! k" c7.3.2 DxDataBook使用
- g& Y$ j" |5 e6 {2 }" j# {7.3.3 元器件属性的校验和更新 / P* d2 \7 j {, Q, q9 q
第8章 多版图项目管理与原理图多人协同设计 7 j4 b; d! ?6 F( W/ K# ]
8.1 多版图项目管理 1 L) _% t) F; {# m( s+ `
8.1.1 SiP与PCB协同设计的需求 2 q. O0 \3 I d
8.1.2 多版图项目设计流程 4 @, e* [" `' @
8.2 原理图多人协同设计
, s" \8 d1 }7 [' E* e U1 e8.2.1 协同设计的思路 8 w2 U) h# W( ]
8.2.2 原理图多人协同设计的操作方法
" l8 B/ i: w" M* {, P第9章 版图的创建与设置
2 o) M# b9 b4 T* r+ Y% `9.1 创建版图模板
9 Q, \" M$ o* { ]. G9.1.1 版图模板定义 8 B/ n+ a6 f, _" Y
9.1.2 创建SiP版图模板 9 _# |9 ~! X1 Q' v
9.2 创建版图项目 5 }1 z7 p% M' `
9.2.1 创建SiP项目
6 @+ a# j2 d& [& U. D9.2.2 进入版图设计环境 : N3 w5 \1 u1 W& ? A! B* |- \3 J
9.3 版图相关设置与操作
2 y" M. k# \- g* s( o9.3.1 版图License控制介绍
: b% G; V( f% A0 g8 S+ U0 W9.3.2 鼠标操作方法
5 r, g% O0 U/ B: \" u9.3.3 三种常用操作模式 0 z/ Z3 |3 H! H4 R! |. ] U! i9 P5 b
9.3.4 显示控制 Display Control
F6 Z; w$ V7 d; d! [9.3.5 编辑控制 Editor Control ( S5 n! H- i" {& @( m7 n9 B8 F
9.3.6 参数设置 Setup Parameters
+ ]& j+ l$ |9 I# U" t" R9.4 版图布局 4 `4 m. v/ h8 a
9.4.1 元器件布局
* ]* w# }# x- v6 k- Q9.4.2 网络自动优化
+ H! c8 u4 q8 ?0 y7 i5 e* ?4 S9.5 版图中直接查看原理图-eDxD View
! D, g, ? Y7 N5 B/ }" a7 N9.6 版图中文输入
3 T7 x9 M% l" s+ Q第10章 约束规则管理 9 }/ F+ ?8 g6 I6 ]4 k1 T" \
10.1 CES约束编辑系统
3 J4 j! Q4 Z9 \( J% w7 ?1 @& O, x10.2 方案Scheme , s2 U- I7 o/ ?! O8 A/ z
10.2.1 创建方案Scheme
5 o9 w# s7 e5 g10.2.2 在版图设计中应用Scheme 9 G8 o% z3 V8 h" o; m$ J& Q4 }0 q5 _( h
10.3 定义基板的层叠及其物理参数
+ S# V6 o- ]# H' V10.4 网络类规则 Net Class
& W9 m3 V0 p9 `1 V+ {* B9 m10.4.1 创建网络类并指定网络到网络类
/ l8 R! t8 l' i% x# \4 j3 a10.4.2 定义网络类规则
, s. P, R3 R v, `" u2 h10.5 间距规则 Clearance
6 B1 n2 C$ j, B0 x( @' O2 _0 v10.5.1 间距规则的创建与设置 $ ~5 X0 `' ^- {7 p+ `/ Q3 z8 `
10.5.2 通用间距规则
- ^) U6 g) g& V- Q! ]# J10.5.3 网络类到网络类间距规则 8 T5 x" i1 c- E
10.6 约束类 Constraint Class
. O/ w' Y& b9 ?$ G2 k10.6.1 新建约束类并指定网络到约束类
7 d7 v7 u9 s7 |. m8 ]10.6.2 电气约束分类 ( L- ^) W' k, J/ r& i
10.6.3 编辑约束组
: F Z& n/ @# q8 u* Z1 ]* N10.7 CES和版图数据交互
. E* ?7 S4 ?2 C' Z0 S1 z- N第11章 Wire Bonding设计 ; c$ A9 e; g1 Z: X0 `' F" \
11.1 Wire Bonding概述
# o0 j0 V9 b2 B$ F* }11.2 Bond Wire 模型 # l; W5 K4 q9 w1 N, v9 p n$ T
11.2.1 Bond Wire模型定义
) N m6 o" t" z7 T11.2.2 Bond Wire模型参数
; Z+ I" c' i8 y% J11.3 Wire Bonding工具栏及其应用 ; y5 s) k2 n( B) g9 W5 D) V4 u* X
11.3.1 手动添加Bond Wire
* L! s$ X- L0 t6 l11.3.2 移动及旋转Bond Pad , h& [8 D2 d7 l+ ^! a
11.3.3 自动添加Bond Wire及Power Ring
, y* `1 _6 Z7 ]! X2 w$ S11.3.4 Bond Wire规则设置
i1 ~! v) C; a8 r; _$ h11.3.5 实时Bond Wire编辑器Wire Model Editor
+ T3 e. w2 M8 [, }9 R8 a第12章 腔体及芯片堆叠设计
% k1 w( }. i' I12.1 腔体Cavity ( H, v$ G2 j: m" Y+ \' e
12.1.1 腔体的定义 / S) a+ U7 S) B1 h
12.1.2 腔体的创建
9 ^! E8 e5 Q2 A1 ?6 {3 k9 P! ]: [# S12.1.3 将芯片放置到腔体中
) g, P+ l9 A, z k0 k6 p* R6 Q12.1.4 在腔体中键合 4 d4 f' I, P5 j: [+ L7 L. x
12.1.5 埋入式腔体设计及将分立器件埋入基板 ; }/ ~- i% l# m e l
12.2 芯片堆叠 8 U* o. R- f7 R1 [6 V2 Z
12.2.1 芯片堆叠的概念
4 ^/ c& ^0 u3 O/ K! i7 ]12.2.2 芯片堆叠的创建 ; c/ h' |: V& t. R; f; G1 G* ?3 R& `
12.2.3 并排堆叠芯片
% X7 V- p, [+ U* l4 Y+ k: B% x12.2.4 调整堆叠中芯片的相对位置
: ?0 \1 d1 v! E, i1 y/ L. x& ]12.2.5 芯片堆叠的键合
1 \. V' ]7 `0 B/ x: L9 E: Y- I第13章 FlipChip及RDL设计 & c9 K) `1 ]) z( L/ {' Y& ?5 n
13.1 FlipChip的概念及特点
% p# j5 ^/ q/ m# H13.2 RDL的概念 9 W- e/ L. I) y/ t
13.3 RDL设计 $ i* w% |4 n* C
13.3.1 Bare Die及RDL库的建立
4 R4 |& v. W. B4 @/ ~* o13.3.2 RDL原理图设计 3 |( ^2 C& k+ \9 M
13.3.3 RDL版图设计
5 E) S& i/ g/ [2 U+ l13.4 FlipChip设计 . M# r; o7 E( S
13.4.1 FlipChip原理图设计
9 V, `! C, [* ?- f13.4.2 FlipChip版图设计 + x6 ]# B2 j! C8 e3 C( Z
第14章 布线与敷铜
8 D) Q* v* s, I$ g14.1 布线 1 s0 h$ e) P: l. |' _* v9 C
14.1.1 布线综述
/ a% v3 i- Z) S. k8 r9 o3 e14.1.2 手工布线
$ z7 s5 t! e& r' [% x( q7 l( Y* J3 z14.1.3 Plow布线模式 ' E1 F3 k/ s- x/ _, G j- t
14.1.4 Gloss平滑模式 2 n8 B9 M2 r& p I
14.1.5 固定Fix和锁定Lock
4 k. ~" o" T0 S- J( N9 z% c' n14.1.6 层的切换 i+ g# K$ G! _# J$ I4 C
14.1.7 移动导线和过孔
4 z: J( U% B! e7 T: I! A1 a" Z/ G8 W- O14.1.8 电路复制 ! S1 m' X% l/ p+ k2 P
14.1.9 半自动布线
- B; j* j, K; u; R( T5 T14.1.10 自动布线 ' O/ J! l) B0 y. u+ L2 T5 S
14.1.11 差分对布线 - j" i# N$ `3 T2 R: V/ m
14.1.12 长度控制布线
" r6 C: V. ]1 X2 N/ \1 T14.2 敷铜
6 X5 k/ j% ]7 u. I; T14.2.1 敷铜定义 0 q; s, y K3 f- t3 M' Z
14.2.2 敷铜设置
- i# W1 a' b3 L8 r* u2 E14.2.3 绘制敷铜形状
0 B; p1 |6 b& j9 b0 p# ?14.2.4 修改敷铜形状
! i. }+ v5 Y0 V- d- W/ [% A14.2.5 生成负片敷铜 8 x. x/ b; e6 g, _/ W4 a1 k
14.2.6 删除敷铜数据 3 {& k8 i. B. a1 t
14.2.7 检验敷铜数据 " L: b2 l7 e: A3 } O! N2 O
第15章 埋入式电阻、电容设计 + e: a0 w; S& _# E
15.1 埋入元器件技术的发展 $ _# s/ R* x2 z8 E; v6 G
15.1.1 分立式埋入技术
2 N. N# X2 [3 l, B, I6 Q% o4 B: y15.1.2 平面式埋入技术 / M! X1 V/ m) t, i3 o
15.2 埋入式电阻、电容的工艺和材料
; Q; v" z2 h$ O" h- M" o, g15.2.1 埋入式电阻电容的工艺Processes
" M) N# v& x* G( w15.2.2 埋入式电阻、电容的材料Materials
8 y8 m8 Z0 n1 x15.2.3 电阻材料的非线性特征 # @/ T6 i+ \1 A6 o: v: y
15.3 电阻、电容自动综合
B# c2 w% ~; K$ `! e15.3.1 自动综合前的准备
2 [: d E' Q3 U8 Z( s. e2 P15.3.2 电阻自动综合 5 C4 r9 z2 @: F, `, H! M
15.3.3 电容自动综合 $ }% y+ l9 q K) p- L8 e; Q) i ^/ ?
第16章 RF射频电路设计
/ Z, t: N* ~9 j16.1 RF SiP技术
' P% G9 ?4 O% D' p2 _16.2 Mentor RF设计流程 # ?) u9 Y4 ^% z
16.3 RF原理图设计
6 G' n1 z/ c1 e& h8 f0 Q! N8 s+ P16.3.1 RF元器件库的配置 . M, t$ `3 N$ l" q) N# T
......
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