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楼主: cewtf
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DDR3的PCB自我练习

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发表于 2015-12-30 15:46 | 只看该作者
对接的地址线拉的太长了吧,可以尝试一下菱形打孔方式,等长蛇形绕得太近了。。。我一般用的3W,时钟差分对内等长绕得有点离谱,蛇形太大了,和其他信号线间距最好保证3W原则。

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发表于 2015-12-30 16:24 | 只看该作者
个人感觉  1 没有同组同层吧? 2 拉线和绕线的时候间距是按照3w原则走的吗? 3 数据线和地址线的线间距 同层情况下是不是应该大一点? 4 正反贴情况的时候 t 结构 打2排孔还是3排孔哪个会更好一点?
( v' E7 Q+ b/ ~0 u

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发表于 2015-12-31 11:20 | 只看该作者
面线DQS和DQ没走同层

点评

推荐原理图里面就是这么走的,所以我也很奇怪,我个人感觉是可能为了阻抗而设定的,在表层 的话比较方便设置90-100的差分阻抗。  详情 回复 发表于 2015-12-31 14:49

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 楼主| 发表于 2015-12-31 14:49 | 只看该作者
流云逝水 发表于 2015-12-31 11:20
' x4 w1 c4 z3 {! @% }+ X' q3 x面线DQS和DQ没走同层
" V  F9 L8 R' L. u4 B* M
推荐原理图里面就是这么走的,所以我也很奇怪,我个人感觉是可能为了阻抗而设定的,在表层 的话比较方便设置90-100的差分阻抗。

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发表于 2016-1-4 14:46 | 只看该作者
学习了

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发表于 2016-1-7 17:00 | 只看该作者
最近也在做DDR3

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发表于 2016-7-28 15:53 | 只看该作者

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发表于 2017-4-21 15:40 | 只看该作者
文件和你截图不一样啊

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发表于 2017-10-12 14:11 | 只看该作者
感觉真的不错
, K9 \0 A: j3 A" f4 _7 F9 @+ i
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