|
|
Vmeas and test load descirption
5 v+ q0 G3 C. o! Y) Z- j2 t3 E' X \- R& I前面已经讲过Tco概念，那么手册中的Tco是如何得到的呢？
7 K( }: S1 Z! C* G7 j8 I. X& |- M/ E8 [/ D请看下图，半导体厂商首先会根据芯片特性确定具体的test load（不要深究为什么如此，如果想清楚理解，意味着你要进入一个新的领域----IC测试），我们的probe点即为T点，Tco的定义即为从时钟输入到数据输出的时间，而数据输出的时间点的确定即为T点波形上升为Vmeas的时间点。
2 g# _8 [4 l. ]% i. T$ O* o% r% E2 V/ \) S( ?+ g. G& B( |: R4 r4 {; e* ]
, \. T8 f& r! u: K" B5 W5 D! dVmeas为半导体厂商用来为输出buffer（当然包含output ，I/O，3-state）确定板级延时特性的电压参考点
% n& l) G% }: k4 {. {% w* f1 K. FVref，Rref，Cref为半导体厂商用来指明传输延时和输出buffer开关特性的test load
" Y0 Q4 B- L n1 T1 x9 |+ I8 [3 E0 W) ^0 r: q![]() 2008-4-29 08:45 上传
1 H: q8 c/ O( h1 R下载附件 (23.05 KB)! `/ E5 f# Q0 A9 T( |% N& R6 P
5 y2 {/ n/ h9 \3 m$ W5 K8 A$ Z) d, d, ?: a% u. N3 D
. L; E6 d# N ]1 D: L5 o% n; K5 a1 a" w( }/ N4 Y+ p/ V7 G
% V/ t$ Q8 @7 X# ]% b I1 G, f, v' s$ H
举个例子$ F1 s% T1 p& Y2 i9 ]$ L7 L8 d6 s+ s
$ `$ s6 B: q3 ~![]() 2008-4-29 08:45 上传
; q, v+ Z; V( M. e! R8 i/ l/ T下载附件 (9.38 KB)
* S/ @4 b. u- F1 H7 q9 T- [* F+ c- W' X
# ^) _2 J+ M6 _0 l/ l
+ p1 u! |8 z3 Q8 d4 g# D4 c) j, h6 ^9 ~) M+ }: p& W" \% H" [ L* w& }- V# s% Z N0 A- Z
+ |* V% v& O& O2 S这是取自一个ibis model clk buffer的test laod及Vmeas参数5 ?# I v# M! H+ m( R3 x: K
9 _* T; w7 H& @. n下面分别用SQ和hyperlynx搭建起test load7 @$ y' S/ E2 }6 e8 P2 D, v* M; `% [$ ^9 ^3 N2 d
|
|
楼主: forevercgh
[复制链接]
/1 
发表于 2011-6-10 19:18
发表于 2011-6-11 12:51
学习，谢谢楼主分享
