关于SIWAVE 5.0 自动放电容PI Advisor的使用问题

beyondoptic

yuxuan51 发表于 2012-2-6 19:47
就一张图片，说不清楚啊，看情况貌似是目标阻抗没设置好啊

请教一下yuxuan51，关于目标阻抗在500MHz到2GHz频率段目标阻抗是怎么确定的啊?

yuxuan51

beyondoptic 发表于 2012-5-4 08:37
" U: _' v9 |5 q/ }( w请教一下yuxuan51，关于目标阻抗在500MHz到2GHz频率段目标阻抗是怎么确定的啊?

) w1 r6 C- m/ w0 \% h3 J那个只是个示例，最终还是需要根据实际buffer的工作电压与信号翻转时所需的最大电流来确定

picibi

也请教一下yuxuan51版主~~
1 H1 c5 H- e9 J$ \* J最大电流是根据芯片datasheet中的IDD计算的么？貌似很难找到计算目标阻抗的实例啊。。我列举点数据，能不能教大家算一下？
DDR3 DRAM datasheet 中
           Parameter                                            Symbol                       Max
Operating current (ACT-PRE)                              IDD0                        65MA
Operating current (ACT-READ-PRE)                      IDD1                        80MA
3 L2 H( ]: z5 U7 q3 Q5 dPrecharge power-down standby current               IDD2                        35MA
8 s) Q8 Z. ~1 g6 i& ~( [Precharge standby current                                  IDD2N                      45MA
Precharge standby  ODT current                          IDD2NT                    45MA
Precharge quiet standby current                          IDD2Q                      45MA
Active power-down current(Always fast exit)         IDD3P                      39MA
3 K0 w% I" V, E6 G& qActive standby current                                       IDD3N                      55MA
Operating current (Burst read operating)               IDD4R                      125MA
Operating current (Burst write operating)              IDD4W                     130MA
1 V" V$ S/ I8 B  h4 [Burst refresh current                                          IDD5B                       250MA
; L5 ?, `2 N  |( I0 ~, F6 J/ _! PAll bank interleave read current                            IDD7                        210MA
; W; u+ B7 P% o; V, j% P最大电流按250mA * 0.5 算？？
另外，一条板子需要8个DRAM颗粒，这样的话是不是电流还要乘以8？
先谢谢~

yuxuan51

' S" v- p( m* M; m2 t6 t# S) Z

picibi 发表于 2012-5-8 10:26
$ ~# `1 ^* L% a$ j, A也请教一下yuxuan51版主~~
) @3 l3 q( ?; W最大电流是根据芯片datasheet中的IDD计算的么？貌似很难找到计算目标阻抗的实例 ...

# W) |% u- y4 k* j
首先说明下，这个对电源去耦是针对每个电源管脚来说的，比方说一颗DDR2片子，它有好几个电源供电脚，每个电源供电脚可能负责几个buffer的供电，这个再IBIS模型的【pin map】字段里有说明，所以说我们只要针对某个指定的管脚来优化此处的电源阻抗就OK了
6 `+ r0 G6 \( y/ |3 a
下面给大家提供一个利用仿真来计算Imax的方法，我一般都用这个来计算，要是有异议的地方大家可以提出来

7 X" O( W/ c5 {. q! X" E首先用这个方法必须拿到片子的IBIS模型

然后找一个要计算电流峰值的电源管脚，知道它所负责供电的那些buffer，打个比方，我们找的这个电源管脚一共负责8个buffer的供电，然后在仿真软件里我们将buffer需要供电的pull up，power clamp节点连接一个DC源，并在他们之间串联一个电流表，如下图，给所有的buffer同一个激励，为了找到buffer翻转时的最大电流
* \6 J8 V. z: a8 w( X1 ~




; c9 h. ~" [( t* @
6 I6 a7 @0 n, ~, o- ]* |6 i然后执行仿真，得到结果后查看电流曲线，可以在电流曲线上找到buffer翻转时的Imax值，下图



7 j3 ]0 m' G$ A  C. z8 S. \  K
# N5 Q" Z) m8 a; T3 _( \1 Q
6 [( V7 h2 T0 C/ i, e

当然此方法必须要保证你拿到的ibis模型必须要正确的反应器件的特性，不然也就没有参考意义了
' O2 \" r* R6 K9 {9 z3 X3 N

szsunny

ibis模型选择是信号管脚模型还是电源管脚。导入ADS后电源管脚模型没有了？