关于DDR信号辐射问题

wangjunchao401

对于电源线加粗不仅仅是从电流的角度出发的，还要考虑寄生参数的影响，在高速最怕的就是寄生电感，你的电源线如果不够粗的话，那么它的寄生电感将会很大，如果在某一时刻，你的总线全部处于驱动状态，那么就会瞬间有一个非常大的剑锋电流，这样，即使很小的寄生电感，也会带来很大的电压差，当然会有更大的辐射。

xiang

学习了
/ M6 A- B: h; G+ Z/ s* n9 n

cccccc32

学习了！！！

lililu

学习了

kaka198510

看的不是很明白

Colin_SI/PI

我这里从SI/PI的角度分析下这个问题：
133MHz刚好是时钟信号的频率，产生EMI的根源很可能是时钟信号，也可能是数据信号和地址信号
: L9 O4 B/ [; q  S, C$ F因为数据信号的频率是266MHz，地址是133MHz；
产生原因可能有：

! O: f' L( T0 z! t+ d5 G+ K1.CPU的驱动能力过强，负载较轻导致信号过冲过大，高频分量增加，导致EMI；如很多芯片有不同驱动强度，这个
0 z  Q+ Y# S2 ]! J( _和负载大小，走线长度相关；

* K: i  A) y( M5 ?4 U- }1 {dq_full             Full-Strength IO Driver
4 t1 |  }: p" v% p% l% Y( ddq_half             54% Reduced Drive Strength IO Driver
9 X( W; A, g- ^1 h6 m
5 _* `7 Z5 P! L2.整个链路的阻抗不匹配，如CPU的输出阻抗，PCB走线阻抗，DDR的输入阻抗，不一致，导致反射大，导致EMI；DDR的数据线上需要串接电阻进行端接；地址和时钟信号
如果存在多负载也需要端接；

3.DDR的电源完整性，如去耦不足，电源噪声大，影响信号质量；

4.SSN，DDR的信号I/O同时翻转导致，信号之间的串扰也会导致EMI；
! p& B1 D8 i- l( I6 f+ l
解决以上问题最好方法是通过仿真和测试配合调试。

奋斗者

专业分析，受益匪浅