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楼主: shqlcdd
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关于DDR信号辐射问题

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发表于 2011-1-19 19:56 | 只看该作者
对于电源线加粗不仅仅是从电流的角度出发的,还要考虑寄生参数的影响,在高速最怕的就是寄生电感,你的电源线如果不够粗的话,那么它的寄生电感将会很大,如果在某一时刻,你的总线全部处于驱动状态,那么就会瞬间有一个非常大的剑锋电流,这样,即使很小的寄生电感,也会带来很大的电压差,当然会有更大的辐射。

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发表于 2011-8-17 10:25 | 只看该作者
学习了% @/ n5 N& Q- `; W6 l& H

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发表于 2011-8-18 10:14 | 只看该作者
学习了!!!

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发表于 2013-4-18 10:11 | 只看该作者
学习了

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发表于 2013-5-15 13:33 | 只看该作者
看的不是很明白

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21#
发表于 2015-1-20 10:00 | 只看该作者
我这里从SI/PI的角度分析下这个问题:
7 t9 }1 E& y& F& L# G2 N( B3 R133MHz刚好是时钟信号的频率,产生EMI的根源很可能是时钟信号,也可能是数据信号和地址信号9 _+ J) ?- x$ X9 Q
因为数据信号的频率是266MHz,地址是133MHz;
/ j; M/ l7 m* z( F产生原因可能有:: _. F6 l. j: x) u4 k$ H

, p- a, I& L; ?1.CPU的驱动能力过强,负载较轻导致信号过冲过大,高频分量增加,导致EMI;如很多芯片有不同驱动强度,这个, g/ V" l7 F3 w! P
和负载大小,走线长度相关;- z/ J2 m9 f& Q( t: @
3 K2 h' Q6 W8 Z  |3 h( u) y1 a
dq_full             Full-Strength IO Driver
, P8 O1 @! d3 _8 Y5 j) Adq_half             54% Reduced Drive Strength IO Driver0 V  W+ B- c  M, t. t
* j' Y: k& ?0 o/ f( M
2.整个链路的阻抗不匹配,如CPU的输出阻抗,PCB走线阻抗,DDR的输入阻抗,不一致,导致反射大,导致EMI;DDR的数据线上需要串接电阻进行端接;地址和时钟信号
: @- _1 l  j2 P$ S如果存在多负载也需要端接;$ W: Y& I( y0 Q1 Z1 H% t) z

) H* T- z8 u6 ?. Y6 t. l3.DDR的电源完整性,如去耦不足,电源噪声大,影响信号质量;
( @" v- E4 X3 V) s  i
' E- l3 g7 D7 V7 g8 q4.SSN,DDR的信号I/O同时翻转导致,信号之间的串扰也会导致EMI;: n) p3 y2 R( b1 C# Y) G$ d4 K. B
+ I* }( p7 @# v, K
解决以上问题最好方法是通过仿真和测试配合调试。

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发表于 2015-1-25 23:22 | 只看该作者
专业分析,受益匪浅
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