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楼主: EDA365QA
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2017年7月23日公益PCB评审报告节选

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发表于 2017-7-27 12:15 | 只看该作者
pcb 发表于 2017-7-24 14:49) X: B2 s' y& S
DDR3没有这个要求
# _  F- D" k5 ^1 e7 l
对,我也看到DDR3没要求DQS和clk有相关联的
5 [0 N4 k1 I5 s3 o+ J

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发表于 2017-9-6 11:46 | 只看该作者
EDA365QA 发表于 2017-7-24 08:41  {! u2 I5 f. ~0 a" }+ p
4.  DDR下拉都应在末端.
7 d( K3 b9 U* [! X  Y/ P" i
是指的vtt的电阻吧,这个端接电阻放在哪里应该看走的拓扑吧,如果是fly_by,就需要放在末端颗粒,现在看这个图走的是T型拓扑,是不是放在中间的T点位置?- K- ]/ b8 s6 O9 b  b0 W

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发表于 2017-9-6 15:05 | 只看该作者
EDA365QA 发表于 2017-7-24 08:41  l% B$ E. l- K. j; W4 s! m
5.  时钟与DQS差太大了.

2 B: r+ ?& }& x+ @4 H) [! ]$ i看图片,地址、控制、时钟线走的是T型拓扑,而数据线走的是点对点的,那么时钟和每组数据线的dqs该怎样控制,datasheet里应该有写等长控制要求,这种的应该是到每片颗粒的时钟线长度比到该颗粒的dqs长一定的数值是吧。
* I  o* L/ v) |. ]$ y" A

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发表于 2017-11-9 09:08 | 只看该作者
这个家伙很懒,从来不写个人签名。
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