PMOS几个参数有点不理解

zhanweiming2014

zhanweiming2014 发表于 2015-12-5 09:29
6，Ciss ：输入电容
将漏源短接，用交流信号测得的栅极和源极之间的电容就是输入电容。Ciss是由栅漏电容C ...

场效应管的源极、漏极和栅极之间都存在寄生电容，分别用CDS、CGS和CGD，这三个电容影响场效应管的开关频率。
: n" z* h9 ~; z: I9 p/ e5 q; H4 D这三个电容与输入电容Ciss、输出电容器Coss以及反馈电容Crss有如下的关系。
Ciss=CGS+CGD
7 @  Q# f* Y$ z! W: _6 }4 YCoss=CDS+CGD
+ t3 y% U& @: v: Q' q) R3 Q/ \ Crss=CGD
% I) {! u6 m/ [) f! X9 o6 Z

超人会1飞

fallen 发表于 2015-12-2 17:21
+ h+ R, {2 J' k, T! H3 ^Rgen是串联在GATE的那个电阻。
65A如果是平均值，那么是按照热阻计算出来的。
VDD通常代表器件的对GND的 ...

, l) \- j. H9 G- i/ P8 P/ U* N' M恕我不理解你说的RGEN,你说的Rgen是串联在G的电阻，但是据我所知，G的输入电阻应该在兆欧级别
  p/ |8 A$ v( e! d2 w0 i

fallen

超人会1飞 发表于 2015-12-10 15:01
# V6 n% ]  ]9 M6 f9 T6 ?  e: @恕我不理解你说的RGEN,你说的Rgen是串联在G的电阻，但是据我所知，G的输入电阻应该在兆欧级别

1 j6 K- `9 P. u2 K$ v那是测试的时候外加在G上面的串联电阻。
你所说的是G的输入电阻。
' Z$ K' ^9 r# L/ x) f( G两者概念不一样。
2 w" ]' ?) x$ Z. h. s! a( s! _