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楼主: shark4685
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DDR3详解....各种技术参数

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发表于 2015-3-13 11:20 | 只看该作者
david.dan 发表于 2015-3-12 14:568 A+ A! g+ ~- |: h9 q! Q" z
昨天在科学园的课程很精彩,顶一个
  G8 v5 L/ O3 Q' E- E; ^
影响力  超级大
4 l( G# ?" v) @* R, h: e

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发表于 2015-3-13 11:28 | 只看该作者
周三的讲座不错。期待中

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!!!  发表于 2015-3-13 14:31

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 楼主| 发表于 2015-3-13 14:30 | 只看该作者
Fly-by的时钟拓扑结构
5 }; z) d& \$ R3 \6 \- @DDR3采用菊花链式的结构,能支持更快的速率。
# C" f. x9 _, W* t$ t) F1 s2 F% K9 H7 F
( c4 t0 \: g( \1 V( v" N

8 l4 F/ @" J. p- t1 m, Z5 A) t. B8 {DDR2经典结构的T型的拓扑
( u7 q2 K* T  }4 ~- ^. A' O( V! Q- e0 V, p1 t7 g' O

& j( f$ O) y( r3 y: P  g0 Y9 [9 Z$ C* _* i0 r

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 楼主| 发表于 2015-3-13 14:40 | 只看该作者
Write Leveling 机制+ b& H  V2 s3 o# X
3 I) J% A, ^! ^% P3 ?! A; n/ C
因为DDR3为了更好的信号质量,达到更高的速率,采用了fly-by的拓扑结构,时钟到各片的物理距离变的不一样了,所以一般DDR3内存控制器设计了一种叫做Write Leveling的机制,其作用就是在芯片内部进行时钟和数据/Strobe间的延时。; @2 m& N/ T- N# e0 O

4 V5 r" t) e4 |- x在系统初始化的过程中,控制芯片与SDRAM通过数据信号进行通信(training),控制芯片根据收到的反馈信号进行内部延时调节,很显然,控制芯片到每一个SDRAM的延时都会不一样。
/ v. }8 E9 h# v8 z' U; r5 E, r: {9 o& n  a! w) V, W8 D" ^0 T
通过这种机制,使得每个SDRAM看到的时钟,数据和STROBE信号,就跟在DDR2看到的一样。

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 楼主| 发表于 2015-3-13 14:52 | 只看该作者
TVAC的要求:  r1 E" U8 \6 W9 r3 H6 M' j
1 {" q/ h* K0 D+ u
DDR3信号必须在VIH(ac)以上,VIL(ac)以下保持一定的时间1 q0 f$ U- M  i6 j. e
这段时间叫做TVAC,它是跟信号的速率相关的
# U. Q, u3 d0 Z即使时序裕量是不满足,TVAC的要求也必须满足。
0 G8 S1 t% c1 I( n
! C% Z6 Y- M4 H  l
% z- C- k& Z6 t$ C/ F; f

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发表于 2015-3-13 14:53 | 只看该作者
加油,楼住,好像理解起来越来越难了。基础不好啊。

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发表于 2015-3-13 21:35 | 只看该作者
顶贴啊,如果把图贴出来,最好把图中的东西都解释一下,比如nominal line等等

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发表于 2015-3-14 14:22 | 只看该作者
ccnow 发表于 2015-3-13 21:35) Y2 i% i8 E7 q. n$ l0 d& G! ~
顶贴啊,如果把图贴出来,最好把图中的东西都解释一下,比如nominal line等等

1 p9 @$ F" J( `( D: |sorry,这位兄弟,JEDEC规范截图只截了一半,如下位NOMINAL LINE 的定义
2 a: S" A6 }6 }& g; B* [, u6 q7 w; l, ^

+ ~. x8 h" Z; W1 L; c( I) T
0 W- c5 j1 Q% s4 t) H( ?NOMINAL LINE 翻译成中文是标称线,标称趋势的(两点直连)) o6 x" W" C# D3 h* C1 [# x
TANGENT LINE 是切线' D2 |( ], e6 W/ w. t3 A9 t3 p' A
  X- W( r4 f$ D
上面这两个公式是用来计算建立时间(setup time)的上升/下降时间的斜率。- u9 a! H$ B6 F+ E/ m. Y- a& R2 }

7 s3 L+ X' ^! y; @( d8 j$ A  N$ J6 m3 i" @: F& X6 `
' |- [' k5 t% i8 d

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发表于 2015-3-14 14:26 | 只看该作者
不懂,顶版主。。

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 楼主| 发表于 2015-3-14 14:33 | 只看该作者
sorry,这位兄弟,JEDEC规范截图只截了一半,如下位NOMINAL LINE 的定义
9 h1 f% ~3 j8 N+ d7 E2 _1 M$ m2 A. T3 G( U& O( c. F% c. I; a
NOMINAL LINE 翻译成中文是标称线,标称趋势的(两点直连)# F# k1 H( M! |/ u
TANGENT LINE 是切线
* J& i" H9 W- ^/ D6 u% D 0 h: s7 D9 j+ Q
上面这两个公式是用来计算建立时间(setup time)的上升/下降时间的斜率。
/ \8 S7 q7 O+ V8 Y' \/ e( k
5 H/ e3 V& E: B' l

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 楼主| 发表于 2015-3-14 15:49 | 只看该作者
本帖最后由 shark4685 于 2015-3-16 14:40 编辑
% S; s/ d3 Q; D" \# ~# B
# O7 u7 A8 l% \DDR3的突发长度(Burst Length,BL)
' J# X; ?; @1 G/ V) D' S) j
# [- D+ R% I0 w
由于DDR3的预取为8bit,所以突发传输周期(Burst Length,BL)也固定为8,
4 U5 _$ n8 s1 m1 `* Y4 U: X而对于DDR2和早期的DDR架构系统,BL=4也是常用的,4 J8 q: p, a0 L4 C7 Y
DDR3为此增加了一个4bit Burst Chop(突发突变)模式,6 T. Q: o( B6 j9 @" W  b# ]! g
即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输,
4 I7 X" H7 X( g& N8 x) E届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是,7 I. e. Y" B# e
任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止,# b- ]* J; e( u4 r$ {
且不予支持,取而代之的是更灵活的突发传输控制(如4bit顺序突发)。
0 v0 y0 F7 y9 T7 f, h  K

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请教版主,突发长度是什么作用呢? 能否讲解一下DDR上电初始化的过程  详情 回复 发表于 2015-3-19 13:29

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发表于 2015-3-14 17:28 | 只看该作者
必须仔细听课。

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发表于 2015-3-14 18:25 来自手机 | 只看该作者
顶顶顶来自: iPhone客户端

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发表于 2015-3-15 12:45 来自手机 | 只看该作者
感谢楼主分享~~~~~

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发表于 2015-3-15 18:06 | 只看该作者
能解释一下DDR4就好
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