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北漂的木木 发表于 2015-3-12 18:25
# ?/ ~* X$ E" Z3 x0 I没有理论依据,因为我个人认为,小电容与大电容的位置互换,没啥影响,更没有数据能说明有啥区别。
3 T+ b, z* X, m5 ?5 ~. h% A非 ... 7 B* m- \$ y" R7 J; K; C
对于你所说,本人观点如下:, @! K$ P, M2 ~+ @& A/ O9 s9 i
1 容量大的流过的电流也大,同意此观点,因为i=c*dv/dt,假设都靠的很进近,电压同时起来,容值大的自然电流大。9 d' v5 U; k6 T5 h* J$ `
2 电解靠近BUCK电感,电流大部分都从此流过,自然ESR造成的纹波就大。
" f4 d3 n3 I! ~/ E0 a2 N! w, w3 如果10uF+0.1uF的陶瓷电容靠近些,电解相对位置远些,由于走线的电感与电阻,会使得10uF+0.1uF的电流相对大一些,总体滤波效果较好。
( y' B# z+ T- l( ~4 当远端有波动的时候,会优先电解去退耦。0 Y) y9 a$ j' Z1 G
5 0.1uF的靠近电感,可以削弱电感的部分辐射。之前本人就有一个BUCK电感靠近了USB口,使得USB-WIFI信号有影像,直接在电感处并联一0.1uF到GND,WIFI明显好转(虽然没有彻底解决)
# M4 p# @9 M4 _# K6 没有人去纠结这些电容的摆放,您想怎么摆就怎么摆。/ t# M. f7 ]0 X' ~: V5 `
7 做硬件的,不是去靠试来试去的(虽然我们很多时候都是这样干的),我们需要用实际的去验证理论
9 q* v$ l% L+ n$ |6 l- V
* a( U/ Z( `; d+ r+ h4 R喜欢就看下,不喜欢就拉倒了。
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