寻找发热小的LDO

zhanglaoye

北漂的木木 发表于 2014-8-26 09:44
+ q+ S3 y( q% `% t2 J根据困难一起抗的原则，LDO前降低输入电压或串二极管，具体多少要自己实验，不能低于3.5V，否则可能不能 ...

有很长时间没用LDO,数据有失误，是的它们最小压差0.2V左右即可，谢谢指正！

bingshuihuo

seawolf1939 发表于 2014-8-26 10:04
7 A/ Q5 O3 q" P3 |不同的封装，有一个对应的热阻

) j' H) j- _+ s: C5 d上面的封装热阻在那里可以查的到啊，谢谢！！！

风吹摇摆

ME6211系列的PD最大为500mW（sot89）,你需要的LDO功耗为（5-1.8）*0.18=0.576W，你需要换更大功耗的LDO
5 Q, `. R$ k. S$ V

rroyye

风吹摇摆 发表于 2014-8-27 11:40
5 G. U: f6 y' OME6211系列的PD最大为500mW（sot89）,你需要的LDO功耗为（5-1.8）*0.18=0.576W，你需要换更大功耗的LDO

+ A: C* [. U& S) G/ X谢谢，提示。

kaichen

你在LDO输入端之前串个功率电阻，保证输出正常，分担部分功耗在电阻上

rroyye

zhanglaoye 发表于 2014-8-25 19:18
- D8 G. u+ @: E3 v根据困难一起抗的原则，LDO前降低输入电压或串二极管，具体多少要自己实验，不能低于3.5V，否则可能不能正 ...

串两三个二极管降了1点多伏的电源，电源稳定性可靠吗？还需要考虑些什么不稳定性的因素。有没有一个肖特基二级管降一点多伏的

zhanglaoye

有啊，碳化硅二极管。你可以从5降到3.3再降到1.8加个LDO.你是嫌多个二极管占地方？那没办法。要解决过热都要增加地方。

ych634227759

压降太大啦！

rroyye

zhanglaoye 发表于 2014-9-1 00:30
有啊，碳化硅二极管。你可以从5降到3.3再降到1.8加个LDO.你是嫌多个二极管占地方？那没办法。要解决过热都 ...

4 L- t. L& M; t7 g1 E; E碳化硅二极管没用过，体积很大吧。压降可以到多少？

zhanglaoye

rroyye 发表于 2014-9-27 12:37
碳化硅二极管没用过，体积很大吧。压降可以到多少？

开玩笑呢，贵又大。压降1V多

gaochengmcu

换封装，输入端加个功率电阻

rroyye

gaochengmcu 发表于 2014-10-10 08:31
. h8 }4 s+ c1 u( ~1 q; ]2 C换封装，输入端加个功率电阻

是的，要换封装
6 X! b$ W7 a; B, ^

rroyye

风吹摇摆 发表于 2014-8-27 11:40
' K4 ?8 l" \  v! F5 [ME6211系列的PD最大为500mW（sot89）,你需要的LDO功耗为（5-1.8）*0.18=0.576W，你需要换更大功耗的LDO

是的，封装和压降限制了

rroyye

fallen 发表于 2014-8-24 12:10
* F. R* E# x2 ?5 U$ E) S. J* g, J; R伪命题，（5-1.8）×0.18×热阻（140度/W）=80度

( K6 _. o$ h1 x+ h; P! e谢谢版主指导。