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自己做了下时序分析， S3C2440a+SDRAM的4 U& ]; c* ?" W8 [/ I, t
有几个问题请问一下：) H& X$ A: u6 q8 f/ a' ^1 s8 i
1、S3C2440a的IBIS模型中 “Vinh= 1.30 Vinl= 0.50 Vmeas = 0.95V 1 i: t9 }; T2 u
Cref = 50pF Rref = 50ohms”发现测试负载比实际的走线负载要重。仿真出来的波形是 测试负载比实际走线负载 波形靠后面很多，计算出来的Switch time 为-0.687ns 即flight time 是负的Tft_data =-0.687ns 图见附件
* Y, @# c" r& ^# [2 s0 R+ A# y: T: O$ s; p* O0 n
S3C2440a数据手册中的Tco 是1~4ns，SDRAM的的Hold time 是1ns/ H+ B( l6 O* F$ T! k1 o, R& Q
根据公式3 ]* g, G" }8 t! G% b
Thd_margin （建立裕量）=Tco_min + Tft_data - Tclk_skew-Thold+ N$ V7 o3 c* I7 z
-0.88ns =1ns + （-0.687ns ）-（0.2ns）-1ns+ ~2 d* K* Q G, q# A4 f9 ]
小于零的。但实际板子做出来了 可以正常运行。请问这是为什么 |
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楼主: forevercgh
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发表于 2009-4-12 14:49
