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IC封装电性仿真优化的方向

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发表于 2014-3-6 21:54 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 pjh02032121 于 2014-5-7 16:45 编辑
3 W, H1 y/ ^4 k' l6 L! i# `% k0 S+ U5 \* l9 F
市场的需求,推动技术进步,数据传输的速率越来越高,尤其是光传输技术的发展,光模块也做的越来越小,使得光通信技术慢慢从网络产品过度到桌面产品上来。
# C$ t, u9 N1 t$ p# n$ b0 s动辄十几~几十Gbps的传输速率,给SI设计带来挑战。以前不需要关注的芯片封装,现在也必须考虑进来。
2 v8 a& L) Q8 F) `8 W* q参考:0 O$ |8 w- _' E6 V2 F: q, M
https://www.eda365.com/thread-55226-1-1.html
1 z4 p3 P3 z& C# S+ u6 B+ xhttps://www.eda365.com/thread-48362-1-1.html
6 ^4 @3 O5 L) l0 C) M, Ahttps://www.eda365.com/thread-78287-1-1.html  e0 L( i7 f+ ~: [# Q8 g. l

  n: e: j- s+ ~; U: r4 g- Y0 w( V# c电性优化的目的,本质上来说就是最大提升传输效率,减少传输损耗。
& r' @7 d; `  O2 m) m2 o封装是芯片到PCB的过渡,这里的信号传输路径处处存在着不连续(如下图),优化这些不连续点使其保持电性上的连续性,就是封装SI优化的目的。* ]- n& t0 c- f) S8 ?9 t" l. K

* I: N! M+ t' l7 i6 l- h6 }1 d' k% t3 b
优化的方向在哪里?我们从上图的结构上一个一个的来。# \7 V. \, w; C" |& a
先阅读一下这个帖子,不知哪为大牛所写,非常经典。帖子中提到的,本帖不在赘述。5 R  w, L8 r0 I% }0 p, j
==>>https://www.eda365.com/thread-96268-1-1.html" s( {2 `" ]- n/ W& D( C8 `7 c

6 U5 S/ q+ D4 x7 [. p  N结构:+ T2 M$ y. |. l7 D# l1 u
芯片pad:  u+ v0 D- Z& l; `  U* U1 k2 ~4 P( A
1. 信号/地间距8 d& Z1 D( O( s
2. 信号地分配方式, z- x3 }$ |* A- t  y4 t
芯片pad与bonding wire的位置一一对应,pad的位置、信号分配方式决定了bonding wire的位置、分配,这对信号的传输影响。  f. q2 V( O3 a

7 [* y  ]) r. B( V# `6 U; eBond wire:/ U, P4 C+ S; ]
1. 打线长度
/ U0 Q3 }) o5 N. g2 `; ?2. 打线线型8 ?& T; ]0 M% z$ Z
3. 金线线径9 w* ~' v, T& |5 e( z" T, D* Q
3. 打线数量8 G: s2 _1 n' ?0 ?( i1 D
4. 金线阻抗匹配: p) \3 X* D6 [* p8 V
下图是从芯片上的50ohm的cpw打金线到基板50ohm微带,对比bonding wire的线型、打线数量对传输特性的影响,结论自己去总结。
6 i# Z7 ~$ R2 H3 o: K( ?- U
8 w8 I* Z6 f  T7 W
3 s6 H, b2 J: e% U( }接下来对比,对金线进行阻抗匹配前后,传输特性的对比,这个影响有点大。
3 Q" s# ^3 h8 L( I  {, }! X, W  z& d , ]! _( F! c6 W  P' u7 B' Y# {1 P

% P8 N! d# g6 X) {3 v; W* b5 y1 T. c2 [6 L. R3 I

7 z4 l: C2 p+ t  w+ D. V$ d+ R过孔:3 }0 y. ^" l( B9 n2 t+ d7 T
1. 孔大小+ }' A9 d7 \2 f% e+ c1 |
2. 孔壁厚度
% e* Y0 ?1 H* i" d5 u, x7 q1 y3. 孔pad大小- ~% ^, ^* ?6 \3 O0 b4 g- K
4. 孔anti-pad大小
: W1 N. s8 m# i& Y( E5 t- I6 L/ h5. 地孔的数量、距离等
% Q& ~- W7 T; p+ g& j不多说了,有人做了PCB过孔的研究,基板上雷同。8 y& c4 X9 t. M' N
请参考:
4 q  q" V* F6 u7 O; H5 t 8-WA2_Paper_Vias_structural_Details_and_their_.pdf (2.3 MB, 下载次数: 15542)
5 L6 |0 d& Z! ^* T+ G$ rhttps://www.eda365.com/thread-90238-1-1.html6 c6 O( M: ?, F( u; _1 @, l
https://www.eda365.com/thread-77031-1-1.html6 B7 h; o( G) r: x! T0 J
https://www.eda365.com/thread-77010-1-1.html* `7 c  a9 ?& ^) ^

2 m4 ~- y, X+ L
4 ^& r( k4 e3 \1 g4 E( uSubstrate+PCB界面:
3 t7 x/ G# N. h: G& [7 A$ l1. Solder ball大小
( C( y, }. k! x* f8 R0 {* H! ?2 S" _2. Solder ball高度  _# E- ?$ a- `& c7 B5 T; D7 ]
3. Solder ball间距
  v" S/ ?9 `3 ?. `& a: i4. Solder ball S/P/G配置
9 J0 G0 O" }% U! W4. Solder ball焊盘(Substrate + PCB)
2 _% f9 O5 x" z7 N, D下图,4+2+4的BGA基板,互连到PCB。对基板和PCB的焊盘阻抗金线优化(2)和降低Solder Ball的高度(3)对传输特性影响,结论自己总结。4 J9 w$ v5 C' o7 U. Y/ O
4 f, N! r+ F$ u' ]4 F

! M  C, ^' k" M; j' q: [" o
/ ^5 R' q  |" a0 o0 E8 x) J工艺:5 b" a4 V6 w; X( h
表面处理工艺,蚀刻工艺,影响比较复杂。* c2 P3 H: T3 `9 f
简单参考:
2 {! c; X3 _9 M! I8 f; xhttps://www.eda365.com/thread-83331-1-1.html! T, e2 q* r, P$ o
http://bbs.rfeda.cn/read-htm-tid-84397.html
% k4 f3 I' t! {# v; n 6-WA4_Paper_EM_Modeling_of_Board_Surface_.pdf (942.48 KB, 下载次数: 85) 7 C: L! Y8 m+ c! o) X
; N- m9 m5 \  W8 g1 ?
材料:
- t+ S* i$ I+ H- F' s2 b4 d1.  Substrate + PCB;, K( e5 U9 R+ \4 D' h: h
2.  Mold compound;' M* E! a0 d$ J" L& C
基板板材,PCB板材,有机材料都有很多低损耗的材料可供选择,高端的可用陶瓷材料LTCC、HTCC等。7 m1 Z4 g2 S: v; ~! B# L$ M
molding compound低损耗的不多,高频的一般不用,多为真空封装或充惰性气体保护。

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IC封装设计

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 楼主| 发表于 2015-5-21 20:42 | 只看该作者
bufengsui 发表于 2015-5-21 10:47
, a# k, l% [+ J( e8 B) r很好的一个帖子,学习了很受益,对高速封装有了一个全面的认识。想请教一下版主两个问题:1、金线阻抗匹配 ...
0 ?7 M+ Q, ]# Y( p8 a5 H
射频微波阻抗匹配原理,具体理论叙述和仿真操作,在徐老师的新书《HFSS射频设计仿真实例大全》中有详述。: B& n: G5 M- g3 o! o) L& H! X

# R/ W0 @4 D  w6 `3 Q- Q+ ~; ZS/P/G的配置比例与位置(与信号速度相关),主要是考虑SI和PI,DesignCon2013有paper专门讨论这个问题的,你可以找找看。
( Q$ w- g* I: S6 W; h+ n1 x* h( l

点评

你好,能麻烦发我一下DesignCon 2013关于S/P/G配置的文章吗?邮箱,谢谢啦!  详情 回复 发表于 2015-5-22 09:59
IC封装设计

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发表于 2015-6-3 11:18 | 只看该作者
bufengsui 发表于 2015-5-22 09:59
/ j6 [/ r% q, k: K2 n6 m6 g6 X你好,能麻烦发我一下DesignCon 2013关于S/P/G配置的文章吗?邮箱,谢谢啦!

. B5 ~8 U2 Y$ g你好:
) z6 U- ~6 x4 O7 w. i+ \8 F! N7 |徐兴福老师一书中键合线匹配电路的理论是写的二项式匹配,二项式匹配基于小反射理论,匹配电路的阻抗是依次变大或者变小的。而很明显图中的阻抗不是依次变化的。还请版主指点一下,怎样确定匹配电路的阻抗和长度?
: J) M, [3 O& F* M; E8 l2 |7 j. F

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发表于 2015-5-22 09:59 | 只看该作者
pjh02032121 发表于 2015-5-21 20:42& r3 t$ f6 g% I) |( O  ~
射频微波阻抗匹配原理,具体理论叙述和仿真操作,在徐老师的新书《HFSS射频设计仿真实例大全》中有详述。 ...

; N- e" @- ~+ p9 {你好,能麻烦发我一下DesignCon 2013关于S/P/G配置的文章吗?邮箱872780754@qq.com,谢谢啦!

点评

你好: 徐兴福老师一书中键合线匹配电路的理论是写的二项式匹配,二项式匹配基于小反射理论,匹配电路的阻抗是依次变大或者变小的。而很明显图中的阻抗不是依次变化的。还请版主指点一下,怎样确定匹配电路的阻抗和  详情 回复 发表于 2015-6-3 11:18

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发表于 2014-3-9 10:52 来自手机 | 只看该作者
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发表于 2014-7-18 13:16 | 只看该作者
您好,能请教下bondwire部分这个阻抗优化的机理吗?
8 @$ r3 B% N+ S( i# B# b: }5 ?

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发表于 2014-7-28 10:31 | 只看该作者
有没有封装的EMC/EMI 这方面仿真的?

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发表于 2014-8-19 11:07 | 只看该作者
这个太给力了

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楼主太给力了,点赞

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发表于 2015-2-13 11:03 | 只看该作者
给力~

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发表于 2015-2-13 11:04 | 只看该作者
我也想知道对金线进行阻抗匹配的原理~哪位大师指点下?

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发表于 2015-3-13 08:57 | 只看该作者
不是一般给力

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发表于 2015-3-19 14:15 | 只看该作者
专业的给出封装研究方向

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发表于 2015-5-4 09:24 | 只看该作者
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