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本帖最后由 zhongyiwaiting 于 2012-10-8 19:44 编辑
3 J( V" E ?2 Z" N# ~- P' w: t4 \% X$ U" C1 g8 t3 A* g
顶起!7 v' B6 H9 X. F9 ~1 l# t- }
看目录,这本书应该是侧重IC版图设计的吧!
( z" [7 B2 z# {# B3 F6 D0 y+ z3 [
, }, s; ?2 P1 O2 F5 {SEE:http://www.tushucheng.com/book/3083082.html- O2 ]; r9 i' ~- E" V
/ R! M) m4 D4 j6 L ]( A& q9 `内容提要:
8 ]/ ]/ U% J f" y# j* h李扬、刘杨编著的《SiP系统级封装设计与仿真——高级应用指南》介绍了SiP系统级封装的发展历程,以及当今最热门的SiP技术,并对SiP技术的发展方向进行了预测。 8 V z0 S2 y2 n, e [
本书重点基于Mentor Expedition Enterprise Flow设计平台,介绍了SiP设计与仿真的全流程。特别对键合线(wire Bonding)、芯片堆叠(Die Stacks)、腔体(Cavity)、倒装焊(Flip Chip)及重分布层(RDL)、埋入式无源元件(Embedded Passive Component)、参数化射频电路(RF)、多版图项目管理、多人实时协同设计(Xtreme)、3D实时DRC等最新的SiP设计技术及方法做了详细的阐述。在本书的最后一章介绍了SiP仿真技术,并通过实例阐述了SiP的仿真方法。 4 n8 k [( a( i9 I2 {2 q6 y
《SiP系统级封装设计与仿真——高级应用指南》适合SiP设计用户、封装及MCM设计用户,PCB设计的高级用户,所有对SiP技术感兴趣的设计者和课题领导者,以及寻求系统小型化、低功耗、高性能解决方案的科研工作者。目录:% f7 s2 D9 e0 c
第1章 Mentor公司SiP设计仿真平台 $ B% ?( Z0 e. h% b# c
1.1 从Package到SiP的发展 - ?+ U- h6 Y( t: Z7 q& U) f
1.2 Mentor公司SiP技术的发展 , n0 j) ~/ K$ T& l1 ~( T
1.3 Mentor SiP设计与仿真平台 . h! }2 ] S/ Z4 J: j6 ]4 C ?. Z
1.3.1 平台简介
" @" R2 y+ i1 A1 g1.3.2 原理图输入
; F/ k$ ^9 I0 x- X! L1.3.3 系统设计协同
# }" A+ f3 p( C1.3.4 SiP版图设计
4 u8 N. P2 j; e7 ~1.3.5 信号完整性和电源完整性仿真
1 T; H* W5 H, _% {4 ^; J1.3.6 热分析仿真 6 r) Y4 q: a2 P4 |$ f
1.3.7 Mentor SiP设计仿真平台的优势和先进性 - }$ C$ M' H) s1 p! u( Q1 M
1.4 在Mentor SiP平台中完成的项目介绍
# p/ [9 i" C( Y( S% E第2章 封装基础知识 8 S* }* i4 @7 c( @3 S0 E
2.1 封装的定义与功能 # ~# a# T$ y1 o$ t4 P+ N
2.2 封装技术的演变与发展 ( _: x$ a3 V f/ ^
2.3 SiP及其相关技术
% E$ |+ t1 o( o5 t. z2.3.1 SiP技术的出现
! T( V" {; k1 p; c2.3.2 SoC与SiP
: s6 z. ~$ S; U6 P& n2.3.3 SiP相关的技术 : }& Z& q/ P* `/ e4 m2 Z
2.4 封装市场发展
" R( r# t5 r4 Z4 Y# h2.5 封装厂家
3 B! P) A" c2 o2.5.1 传统封装厂家 / s' D' c6 a5 ~5 O
2.5.2 不同领域的SiP封装企业
9 h% C* ?9 Q, _* i' J2.6 裸芯片提供商
9 v9 D u$ ]7 ~9 j第3章 SiP生产流程 # f+ G/ u5 f& m$ u/ ~
3.1 BGA—主流的SiP封装形式
/ W% z8 S3 }) k( I$ E1 b6 `; Z; K3.2 SiP 封装生产流程 % C! r F9 ^+ {. g* ?6 f
3.3 SiP封装的三要素
9 [" C/ p C# h/ c$ Q第4章 新兴封装技术
! ]" V3 W* h# ]0 b& t; m4.1 TSV(硅通孔)技术 2 S! h. U, Q% e" Z3 H
4.1.1 TSV介绍
3 {3 b8 g3 j( m& A/ m+ ?4.1.2 TSV技术特点
/ ^$ n3 ^% w% c; X+ G" Q4.1.3 TSV的应用领域和前景
1 w- N8 M k7 u+ ~4.2 IPD(Integrated Passive Device)技术
7 ?" h$ d6 \2 F4.2.1 IPD介绍
/ a# |) H) s$ [' `7 K9 c4.2.2 IPD的优势
; c# W$ I: `' j+ ?$ Y: f" e: k4.3 PoP(Package on Package)技术
9 h& N! Y& m; }6 q+ t7 W) K. M4.3.1 3D SiP的局限性
* l% q) F. h0 X/ \: q, n4.3.2 PoP的应用
# k: k9 y. f. U' ~- u4.3.3 PoP设计的重点 ) V: x9 V1 p2 B" {' a
4.4 代表电子产品(苹果A4处理器)
' q! N- k0 f( Q! K& C% G5 y第5章 SiP设计与仿真流程
) ]$ q, `) V& a5 J5.1 SiP的设计与仿真流程
) ?8 [' [' x" k& h5.2 Mentor环境中的设计与仿真流程
# Z3 _& J; W& X5.2.1 库的建立
+ |4 X* h8 X5 F0 W' p5.2.2 原理图设计 ) ~2 \: w& `; E& \
5.2.3 版图设计 1 l1 j% [0 l8 j) D8 A9 E- h
5.2.4 设计仿真 7 u& H- o8 l. F ~8 N$ V
第6章 中心库的建立及管理
4 V" g' `4 I) \/ {6.1 中心库的结构 ( Y' o7 [% H2 Z( B% \! L
6.2 Dashboard介绍
9 H7 c" I" |2 n6.3 原理图符号库的建立 7 E0 `, Y* H$ T: z0 y% l6 N
6.4 裸芯片Cell库的建立
/ @9 y5 e4 O+ u* ?) ]6.4.1 创建裸芯片Padstack - b3 [! p- O9 T- L
6.4.2 创建裸芯片Cell / L) [) K* S9 d( l. @9 v
6.5 BGA Cell库的建立
{* k$ Z! G2 H6.5.1 创建BGA Padstack * M% v$ @- a6 g7 z! J b
6.5.2 手工创建BGA Cell 9 C: t4 h2 b5 e- F. t+ `7 d
6.5.3 使用Die Wizard创建BGA Cell
) d) g& @+ d( _. L6.5.4 LP Wizard专业建库工具
7 d$ {% ~& ~! ? u. A( H- z6.6 Part库的建立 0 u2 L3 B+ z( H1 `
6.7 通过Part创建Cell ; K3 l/ N# r. `5 |/ w+ y0 }
第7章 原理图输入
3 Y1 s" M) ]3 K7.1 网表输入
H( c. A, \( a: f7.2 基本原理图输入 * E t3 I1 b- |
7.2.1 启动DxDesigner 7 S. e4 [, w& j; J
7.2.2 新建项目
2 d( \! F4 i! H7.2.3 设计检查
3 V% E( D! L a* s% v! [7.2.4 设计规则设置
* R3 O4 z& r1 v. E" T- k3 |0 C0 ~7.2.5 设计打包Package
5 ^, ?. g, @- d! J8 T& p4 {' ^7.2.6 输出Partlist
- @% i- h$ {3 F" W, ^7.2.7 原理图中文输入 : j. i! k$ m/ [6 H& E
7.2.8 进入版图设计环境 5 h) b( V7 R2 g8 E
7.3 基于DxDataBook的原理图输入
6 }4 i( `: v: Z. J7.3.1 DxDataBook介绍
) l3 b, @3 Q, H& |/ y7.3.2 DxDataBook使用 ! p0 V) C+ X- X; Q- A9 Q2 l' s$ y% l
7.3.3 元器件属性的校验和更新 8 {$ H4 ?9 M* N7 O/ N; V: p
第8章 多版图项目管理与原理图多人协同设计 ; P2 U9 p6 ]* V4 u# r; N3 ~
8.1 多版图项目管理 3 _4 l* p x: g& b$ A: \
8.1.1 SiP与PCB协同设计的需求
$ p. y" u$ f( v8 p( z6 B7 D& D8.1.2 多版图项目设计流程 * m5 l3 A5 v& R2 B' `. m
8.2 原理图多人协同设计
* J |$ ]# R! ?! a2 v8.2.1 协同设计的思路
, O# C) S; n$ H: F" E) j8.2.2 原理图多人协同设计的操作方法 1 |+ C$ W' T' p6 O
第9章 版图的创建与设置 5 h/ ?8 \6 V. F1 k' Y
9.1 创建版图模板 : s; K. f! T" x& d4 c k5 H
9.1.1 版图模板定义
: g; F" V$ R) I3 F( _9 q9.1.2 创建SiP版图模板
! k- a9 f( N) D) e4 h8 W9.2 创建版图项目
7 C/ K0 w6 a0 }: u9.2.1 创建SiP项目 6 A$ V1 H+ C- c+ Q9 B* c
9.2.2 进入版图设计环境
' D* b' x% a. P( e6 a6 p9.3 版图相关设置与操作 9 L0 y( K2 J# b( t$ `
9.3.1 版图License控制介绍
+ O' @1 ]& H3 L9.3.2 鼠标操作方法
, l2 L* o5 N8 e# F$ j2 X6 _9.3.3 三种常用操作模式 6 ^' H B. R9 v' I
9.3.4 显示控制 Display Control
. _; S' }% L/ _/ e0 [, X. M9.3.5 编辑控制 Editor Control
- \* d* e$ `2 o4 d8 ]$ R4 S9.3.6 参数设置 Setup Parameters
- t3 G9 O: I3 W) B( f& b9.4 版图布局 # i* x# Q1 V6 V" P" u6 D
9.4.1 元器件布局 ( |) c) l4 h6 m4 j) w7 D7 f2 |
9.4.2 网络自动优化
4 @: [ ~' q& R" K; A9.5 版图中直接查看原理图-eDxD View
) ]" F) `5 V* }8 P$ G. ]9.6 版图中文输入
5 `4 ?* y" N8 ?, |) K' _第10章 约束规则管理
2 E: J: s0 z& O, y3 C10.1 CES约束编辑系统
/ W4 F# S; I" Q0 F" p10.2 方案Scheme
% Q8 f1 l6 e- i& B3 l2 L W10.2.1 创建方案Scheme " G; [% X) G4 I' g7 Y) ? y
10.2.2 在版图设计中应用Scheme 6 i1 ]8 N* |0 ~4 A( S
10.3 定义基板的层叠及其物理参数
i2 u/ V1 @( a2 h/ |9 n) Q10.4 网络类规则 Net Class . B+ w8 {2 T5 j
10.4.1 创建网络类并指定网络到网络类
5 f: K& I& ?* }5 \! n# |0 q10.4.2 定义网络类规则 . I3 j& W' U5 u8 P) u
10.5 间距规则 Clearance
: q2 L, ^/ w9 n3 l2 }! d5 z10.5.1 间距规则的创建与设置 # q. O- W. T' L* q! v4 S! a9 R
10.5.2 通用间距规则
) K* Y* k8 s; z& U1 @. I- s7 ?10.5.3 网络类到网络类间距规则
3 D B( A% y4 t! J& T10.6 约束类 Constraint Class 1 V+ V* _' n% j# H
10.6.1 新建约束类并指定网络到约束类
3 G) { J% }% a' k: {10.6.2 电气约束分类
9 S9 F E0 U' \- I2 L( Z# D10.6.3 编辑约束组 * B% y8 V. Z+ S9 q1 Z' p/ h( K
10.7 CES和版图数据交互
9 _5 `" W% F- ~2 H! [# ~第11章 Wire Bonding设计 4 D2 h* L& E) t6 l8 X
11.1 Wire Bonding概述
7 c3 t. b% b Y& J/ n$ \& k11.2 Bond Wire 模型 ) t; _! p% o4 @4 o3 M
11.2.1 Bond Wire模型定义
) p( {2 Z0 ?7 a' d) m' W11.2.2 Bond Wire模型参数 7 n1 R M5 f2 x% p; K4 Z
11.3 Wire Bonding工具栏及其应用
! y9 d' \# Y8 W) s, b! A k6 Y11.3.1 手动添加Bond Wire
; w% F& d% k7 f. ~11.3.2 移动及旋转Bond Pad
' ]& m1 `: q! |7 l2 s' {( o11.3.3 自动添加Bond Wire及Power Ring . @! z* [! H# W, o2 W) ~
11.3.4 Bond Wire规则设置 3 b, I4 T) z C
11.3.5 实时Bond Wire编辑器Wire Model Editor
% R* r/ m% D2 `第12章 腔体及芯片堆叠设计 ; e. L0 O1 z7 ]3 h O+ o
12.1 腔体Cavity 9 [: S3 A+ b% r. Q( ~
12.1.1 腔体的定义 ( S; ~. `. E. k9 z
12.1.2 腔体的创建
, ?3 E( c+ G5 d1 w/ D' @12.1.3 将芯片放置到腔体中
! ]" j- F. Y9 S1 [/ j2 R12.1.4 在腔体中键合 * D" }! _% H. w
12.1.5 埋入式腔体设计及将分立器件埋入基板
, G4 S9 v9 \1 W- Y5 G7 ^3 W' l12.2 芯片堆叠 1 {) O) D; @8 c, L; |0 e4 e; b
12.2.1 芯片堆叠的概念
6 D- z4 z0 L3 a5 q% N }4 p+ R12.2.2 芯片堆叠的创建 G# U0 k ~! c7 o7 q- }* J/ b) M1 w N
12.2.3 并排堆叠芯片
7 M9 X1 @5 K5 H8 H" s12.2.4 调整堆叠中芯片的相对位置
8 P6 \" m* q% p8 n% r$ E$ `* y12.2.5 芯片堆叠的键合
" F% d' L+ I0 W; K4 h第13章 FlipChip及RDL设计
8 b7 ]/ @/ e" h6 V% J13.1 FlipChip的概念及特点
3 ^& _0 U- x3 ?2 y, Z# i( [13.2 RDL的概念
3 }2 ]" j- B% u) N13.3 RDL设计
" R& s! h( o5 v13.3.1 Bare Die及RDL库的建立 & H+ w$ o0 w. |
13.3.2 RDL原理图设计
! z" \" `* B* p2 W9 X( {13.3.3 RDL版图设计
% k! n1 B' C7 E/ |) @. ^13.4 FlipChip设计
) Q! u6 S5 J1 x9 E5 X13.4.1 FlipChip原理图设计 - \/ m1 @2 H5 f# `& g0 z; T
13.4.2 FlipChip版图设计 $ R0 J- }+ d2 r
第14章 布线与敷铜
% i) w* A9 D! i9 ^0 E. r, K) X6 y3 V14.1 布线 0 w9 a, Z* ^& c- D
14.1.1 布线综述 ( L' K% s5 K( W6 ?! F- H
14.1.2 手工布线
E; `) h3 E1 A( R+ U% ^14.1.3 Plow布线模式 2 x/ p, J8 R% V; {
14.1.4 Gloss平滑模式 9 Q( N' B' @0 d d
14.1.5 固定Fix和锁定Lock : h! e) l6 Y; s$ ~ S* c
14.1.6 层的切换
9 K2 N( G( N, U14.1.7 移动导线和过孔
: }" k+ o# [# w) R14.1.8 电路复制
& Z" D% | ^+ u6 u# x14.1.9 半自动布线
* P3 t9 d: O* }/ i. d! a14.1.10 自动布线 , Q" s+ _; [4 g3 b: M. V; C
14.1.11 差分对布线
9 [% w0 T8 [9 l4 Z% E8 n0 j0 x1 ^14.1.12 长度控制布线 * x( z- H& O9 Y7 k, y
14.2 敷铜 % ?( n. E" Y8 V# [
14.2.1 敷铜定义 $ u4 a1 R z5 i& r
14.2.2 敷铜设置 8 q; g$ r& M9 Z: D( x
14.2.3 绘制敷铜形状 $ e( n A9 H, N- f! U! Q b
14.2.4 修改敷铜形状 , ]) H2 }) L" V. ~# d1 a& S; @3 P
14.2.5 生成负片敷铜
/ v/ [, t I- x/ T4 e! B9 y14.2.6 删除敷铜数据 - ~5 A2 @& W: M* ?
14.2.7 检验敷铜数据
0 C1 d' N" | e/ S第15章 埋入式电阻、电容设计 V- D' F/ H+ ?9 n8 H
15.1 埋入元器件技术的发展
& W2 S) h- y0 w0 Y! W15.1.1 分立式埋入技术
- ^) r, T7 q" c. x3 K5 L15.1.2 平面式埋入技术 9 K; U8 c/ k+ A. V: R
15.2 埋入式电阻、电容的工艺和材料
% k3 \* x* I1 P0 @% F% C1 K% c+ Y15.2.1 埋入式电阻电容的工艺Processes ) z& E0 c! _, L- I3 y3 ?
15.2.2 埋入式电阻、电容的材料Materials
2 m) B7 j, D" K" e- B- w2 n5 P15.2.3 电阻材料的非线性特征 " g( |: e4 K% f; O& ]
15.3 电阻、电容自动综合 7 _6 z9 b0 |4 X* N; g4 I2 ~, ]" f
15.3.1 自动综合前的准备
$ T+ j% V' I" J4 z15.3.2 电阻自动综合
% h6 ?% @. g: R/ b15.3.3 电容自动综合
; U8 U7 Q9 Y4 G) ^ b+ \第16章 RF射频电路设计 7 h' E' x5 D1 g3 {1 u! [ w4 t7 G) ]
16.1 RF SiP技术 # O( _$ L! D, ~3 r2 ]* R" Y' Z7 Z
16.2 Mentor RF设计流程
1 C1 W' \0 b w! d1 Z' N16.3 RF原理图设计
- m5 Y6 p, P b3 q1 R; H# j16.3.1 RF元器件库的配置 ; s0 X; N/ B6 p, I0 q
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