|
DDR2数据线分四组:
' E9 U% ?3 E; o: W) E% {6 _" d1组0~D7,DQM0,DQS0_N,DQS0_P4 z! A) I" X4 ^% s: y& \" y. n9 c* {
2组8~D15,DQM1,DQS1_N,DQS1_P
4 G) X6 u, d3 {+ H3组16~D23,DQM2,DQS2_N,DQS2_P
8 \: Y/ M. a8 Z' p4组:D24~D31,DQM3,DQS3_N,DQS3_P* }5 w& i4 Z- i; c- O+ v" h4 l" n. R
% @6 q% G' _$ {2 ?每一组同层同组走线,过孔数量应一致.误差不超过25mil
) ~; e& D( Q; x4 D/ C
6 @$ @* d' o6 S4 x* k% G地址线:A0~A11
* p8 P2 }& B* y$ C. S# ~" ~2 E7 v/ D: {: o) p- f! a( @
控制线:WE,CAS,RAS,BA0,BA1,CS,CKE, H* Q6 R( C( r& Z
. v W1 a4 M, y) m差分时钟:CLK,CLK#5 o+ p, ~+ }1 P+ \) e' Q9 K
6 k8 o3 _) C c8 Y$ v2 b1 ?! {
地址,控制,差分时钟可设置为同一个CLASS,布线拓扑结构优先采用远端分支(T形)2 ?; V0 k0 A% j h- j
" q; T5 Y% x1 z0 H5 z- a5 Q5 @
误差可用100mil" `; C# A2 i2 W& b3 ^
) S6 W8 Z2 m3 F: X& ~0 ]* l
|
|