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[Ansys仿真] 求助:为什么HFSS仿真中lumped port集总端口尺寸大小会影响仿真结果?

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发表于 2016-3-23 15:26 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 小螺号 于 2016-3-24 22:39 编辑 & C2 q1 G+ ?; u6 w5 |
2 U- f' `' ^+ \! q  H
我使用HFSS设置集总端口lumped port 时,把lumped port尺寸设置为两种不同的大小时,发现两种情况仿真出来的结果(阻抗)有明显的区别,这是为什么呢?这两种情况是:(1)lumped port大小只接触到传输线和参考地边界;(2)lumped port大小覆盖传输线端口面,但只接触到参考地边界。下面为两种端口设置图:图1和2分别为情况一和情况二,图片右边导体为参考地。有哪位知道,帮忙解答一下,先谢谢啦!
6 N' J% l; @( y1 U4 r0 M7 b1 b5 U, b3 w/ m) l* K- G

7 U. X# }3 f9 p6 i' y  L4 V

1.png (73.03 KB, 下载次数: 1)

情况二

情况二

2.png (20.57 KB, 下载次数: 2)

情况一

情况一
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发表于 2016-7-18 13:21 | 只看该作者
yangjinxing521 发表于 2016-7-18 10:24
. f% }# ~. H! l为什么???
" G$ v9 j: \+ t$ C& B8 y
了解二端口网络计算原理的你就会清楚。  H" e7 y) g/ D) o3 k
S11和负载阻抗,传输线特征阻抗,相位 有较大的关系,而这三个因素在实际测试时都有误差,你无法绝对保证和仿真的条件完全拟合,所以最终仿真的结果与测试的结果在幅度,相位角度上一定会有偏差。, i1 Q; f3 J: r) X0 o3 b
* l. q8 R4 ]8 a" I( k
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发表于 2016-3-24 18:49 | 只看该作者
1.首先,要注意的是在设置集总端口激励时,两种求解类型(模式驱动、终端驱动)所对应的设置方式是不同的。目测你应该是应用的模式驱动求解类型。
( l: x7 `0 ^; T5 m2.模式驱动求解类型下,集总端口设置的几个tips:
  F5 [7 c+ i( \% H$ H5 K) n: f(1)需要设置端口阻抗,作为在端口处计算S参数时的参考阻抗;- O) ]( {7 r# p. M
(2)集总端口面宽度与微带线宽度相同即可;$ ]' ?6 W/ _: y0 a/ n
(3)集总端口面上下边缘,分别与微带线和参考地相接即可,不要覆盖或重叠;
# k' J( S2 A* z+ ~(4)积分路径的起点和终点分别是微带线上下边缘的中点。# ?8 _6 n2 h' ]* B7 m+ l4 `
以上是我知道的,希望可以帮到你。

点评

我使用的终端驱动,集总端口把信号线端口覆盖仿真事没有报错,这种设置应该也没错吧?我只知道集总端口不能覆盖参考地端口。  详情 回复 发表于 2016-3-24 22:35

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发表于 2016-7-18 09:44 | 只看该作者
cousins 发表于 2016-7-14 17:151 a9 h. j+ x" x& A) Y
覆盖的字面意思是:端口的面和导体的面重叠了。。。
) O& Y# g5 D& V2 k端口与导体面相切是仅仅一条边。
7 {. e0 n0 q! _( w: R  Y这样好理解了么? ...

# F- z( x# ~+ ^3 S: R; Csoga~~,懂了,谢谢~~最近在仿真一个滤波器的模型,结果发现,同一个模型,利用两种加端口的方式,得出来的结果,S21基本重合,但S11相差就比较大,其实曲线起伏大概都是一样的,但是具体的值就不一样,也不知道到底是什么问题,所以在寻找答案过程中,,能帮我看看么
+ p& S, d  w& U8 b! G5 M

集总端口-模型图.png (118.26 KB, 下载次数: 2)

集总端口-模型图.png

集总端口-仿真图.png (44.22 KB, 下载次数: 1)

集总端口-仿真图.png

波端口-模型图.png (69.02 KB, 下载次数: 1)

波端口-模型图.png

波端口-仿真图.png (36.55 KB, 下载次数: 2)

波端口-仿真图.png

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 楼主| 发表于 2016-3-24 22:35 | 只看该作者
咚次哒次 发表于 2016-3-24 18:49: y( n7 g% q9 ~4 K. o2 h8 E
1.首先,要注意的是在设置集总端口激励时,两种求解类型(模式驱动、终端驱动)所对应的设置方式是不同的。 ...
+ g4 s8 l! D6 k0 W( o$ ]
我使用的终端驱动,集总端口把信号线端口覆盖仿真事没有报错,这种设置应该也没错吧?我只知道集总端口不能覆盖参考地端口。9 C! B) v9 x( s7 x  `

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楼下回复的好有深度,读了半天。。。但我觉得应该解释了你的问题,虽然不知道到底正确不正确  详情 回复 发表于 2016-3-26 22:08

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发表于 2016-3-26 21:39 | 只看该作者
通俗的解释:
8 j6 g( [$ g* w, m你用一束光从一种介质射入另一种介质时,当这束光的通道大小不一样时你还能要求它的散射参量一样么?2 |) s% g# D! k; y' L' {1 W
复杂一点的解释:
% I/ U) \+ g# h" s$ e7 W端口中信号传输导体指向参考导体为电场矢量分布,重叠了多余的导体,会使这部分导体中多出不真实的电场矢量,这部分矢量会有相应的正交磁场叠加在原磁场上,还怎么满足散射测量一致?

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那如何设置才是正确的呢?  详情 回复 发表于 2016-3-26 23:57
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发表于 2016-3-26 22:08 | 只看该作者
小螺号 发表于 2016-3-24 22:35* R8 r" ~' g) X/ ^6 e
我使用的终端驱动,集总端口把信号线端口覆盖仿真事没有报错,这种设置应该也没错吧?我只知道集总端口不 ...
8 W* K+ g- b0 S) P( H# V/ Z) ?( R
楼下回复的好有深度,读了半天。。。但我觉得应该解释了你的问题,虽然不知道到底正确不正确8 u7 c4 M. k+ G6 f

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我再琢磨琢磨,谢谢啦  详情 回复 发表于 2016-3-27 00:05

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 楼主| 发表于 2016-3-26 23:57 | 只看该作者
cousins 发表于 2016-3-26 21:39
8 f! o5 ~4 G& X  w# i通俗的解释:
" i' }% K5 Q8 i! A你用一束光从一种介质射入另一种介质时,当这束光的通道大小不一样时你还能要求它的散射参量 ...
  G; T* p6 j- \: l
那如何设置才是正确的呢?
* j4 p: k/ m! W; n  i. A

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lumped设置任何一个边都不要覆盖导体。电磁波在介质中传播和在导体中传播特性是不一样的。下端口要有一种猜想,我会以这么大的位置引入对应的电场,电磁波传播的方向与这个面垂直,同时磁场与电场正交。  详情 回复 发表于 2016-3-27 07:14

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 楼主| 发表于 2016-3-27 00:05 | 只看该作者
咚次哒次 发表于 2016-3-26 22:08# R+ q4 m+ I7 n" W/ M
楼下回复的好有深度,读了半天。。。但我觉得应该解释了你的问题,虽然不知道到底正确不正确

% Q( e$ e9 L. N) V5 [3 }我再琢磨琢磨,谢谢啦
- g, ~6 a  z' Z% ?5 }1 M

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发表于 2016-3-27 07:14 | 只看该作者
小螺号 发表于 2016-3-26 23:577 @8 B# f% Z# n" s6 H
那如何设置才是正确的呢?
& j$ U- Q) j' l' f1 k0 A
lumped设置任何一个边都不要覆盖导体。电磁波在介质中传播和在导体中传播特性是不一样的。下端口要有一种猜想,我会以这么大的位置引入对应的电场,电磁波传播的方向与这个面垂直,同时磁场与电场正交。: {! O4 F1 n$ I0 j8 n+ e' K) _4 s
9 F0 |% w6 l* b, J6 y4 @; m

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什么叫不要覆盖导体,我没有懂,比如说,在一个微带线横截面加一个集总端口,除了宽度与微带线宽度一致,高度是一边接触到地,另外一边是接触微带线的下表面(端口不覆盖导体),还是上表面(端口覆盖导体)?求解答  详情 回复 发表于 2016-7-13 14:24
原来是这样,谢谢!  详情 回复 发表于 2016-3-27 10:23
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 楼主| 发表于 2016-3-27 10:23 | 只看该作者
cousins 发表于 2016-3-27 07:14- c; C" T  D5 ^/ n
lumped设置任何一个边都不要覆盖导体。电磁波在介质中传播和在导体中传播特性是不一样的。下端口要有一种 ...

1 F9 G6 X4 r) `3 D, V" O6 X9 G0 W2 Y原来是这样,谢谢!
' \& I: y% ?+ u' \) H4 W0 v2 |

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发表于 2016-7-13 14:24 | 只看该作者
cousins 发表于 2016-3-27 07:14, c/ Y1 M  r" a# S6 f% L( k5 o
lumped设置任何一个边都不要覆盖导体。电磁波在介质中传播和在导体中传播特性是不一样的。下端口要有一种 ...
* g4 r5 {* g6 }) Z/ Y9 w; `
什么叫不要覆盖导体,我没有懂,比如说,在一个微带线横截面加一个集总端口,除了宽度与微带线宽度一致,高度是一边接触到地,另外一边是接触微带线的下表面(端口不覆盖导体),还是上表面(端口覆盖导体)?求解答~~
& W( S* E8 u4 _4 t- c0 o- O

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覆盖的字面意思是:端口的面和导体的面重叠了。。。 端口与导体面相切是仅仅一条边。 这样好理解了么?  详情 回复 发表于 2016-7-14 17:15

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发表于 2016-7-14 17:15 | 只看该作者
hanqianq123 发表于 2016-7-13 14:24" X# ]# j* T" i3 y2 s  s# L# N
什么叫不要覆盖导体,我没有懂,比如说,在一个微带线横截面加一个集总端口,除了宽度与微带线宽度一致, ...
5 u9 I2 U7 B6 j' T; k, g8 X/ Y
覆盖的字面意思是:端口的面和导体的面重叠了。。。* S/ K/ d: X3 v" L
端口与导体面相切是仅仅一条边。
+ Z" ~( R1 w8 Y- r. E7 @* |这样好理解了么?& N6 o% ^3 R8 ]8 x, S

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soga~~,懂了,谢谢~~最近在仿真一个滤波器的模型,结果发现,同一个模型,利用两种加端口的方式,得出来的结果,S21基本重合,但S11相差就比较大,其实曲线起伏大概都是一样的,但是具体的值就不一样,也不知道到底  详情 回复 发表于 2016-7-18 09:44
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发表于 2016-7-18 10:16 | 只看该作者
S11相差大正常的,带宽近似,趋势相近就可以了。1 M1 P5 x: G% ^4 w. ^. @" z3 |

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那在通带内,S11d的峰值处,每个大概有100MHz的带宽偏移也是正常的吗?  详情 回复 发表于 2016-7-22 09:54
为什么???  详情 回复 发表于 2016-7-18 10:24
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发表于 2016-7-18 10:24 | 只看该作者
cousins 发表于 2016-7-18 10:16
6 k: S" I% ?& Q9 f/ CS11相差大正常的,带宽近似,趋势相近就可以了。
1 S8 w) \% ~, V$ o0 C  c1 @8 @5 _: m3 M
为什么???

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了解二端口网络计算原理的你就会清楚。 S11和负载阻抗,传输线特征阻抗,相位 有较大的关系,而这三个因素在实际测试时都有误差,你无法绝对保证和仿真的条件完全拟合,所以最终仿真的结果与测试的结果在幅度,相位  详情 回复 发表于 2016-7-18 13:21
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