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上电冲击电流的抑制

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发表于 2015-6-15 11:21 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
    电路简图如附件中的图1,使用NMOS实现电子开关的功能,通过控制G极电压来实现输出电压的开启与关断。后级不接容性负载时,就没有上电冲击电流,后级接容性负载时,就有很严重的冲击电流。
    为了抑制上电冲击电流,使用PWM脉冲来控制G极电压,使其缓慢上升,大概有25ms的爬坡时间。
    问题是:上电时,电压的爬坡过程很好,平稳上升,但是还是在上电瞬间存在冲击电流。测试波形如附件中的图2,黄色的是电压上升的波形,蓝色的是电流波形。带3A的容性负载,上电瞬间的冲击电流达5.92A。
    请问各位大神,有什么方法可以抑制或者消除这个上电冲击电流,使上电时电流也平稳上升,没有瞬间的冲击?
% \  m8 O. s' e
    谢谢!
5 u' j0 s1 U" G* C
  n0 q# T+ H) K" ?

上电冲击电流.png (106.09 KB, 下载次数: 1)

上电冲击电流.png
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 楼主| 发表于 2015-7-1 11:15 | 只看该作者
CStaller 发表于 2015-6-26 18:36: {2 ?! }( z4 P1 z( X1 [+ J
我估计至少mH级的,额定5A电流左右,体积不会小。。。
% U( ~8 ?4 A$ e) E( B具体参数可以仿真一下,或者试一下

3 _' d& ~6 N, q8 x使用一个2000uH/1A的电感测试过,确实对冲击电流有很大抑制作用,但是同时也有2个问题:1、电感体积过大。测试用的2000uH/1A电感体积就已经过大了,如果要选择2000uH/4A左右的电感,那么体积就更大了,不可接受。
! b+ O. N9 r% S7 a- p! \2、电感直流阻抗过大。2000uH/4A左右的电感,直流阻抗RDC可达几个Ω,导致输出压降太大,也不能接受。/ ?9 G; `* {9 o; [1 a, L- n& l. ~
所以,在我们的电路中,使用电感来抑制冲击电流的方案行不通,只能另辟蹊径了。% @0 W8 }# H9 W. p* [. L5 Y. |2 ~

- \- |( `! R, P& U, @
' X6 \  n8 F$ F- k( p9 I

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 楼主| 发表于 2015-6-23 09:56 | 只看该作者
斯坦隆平 发表于 2015-6-23 08:37+ K# T3 ^, l2 B0 f6 {
使用软启动应该可以的吧,管子2 3脚并联启动电阻。

) C% w: V7 k# C- F& _' B! l: P电路本来就带有缓启动,G极控制信号是采用PWM来控制的,有20多个ms的爬坡时间。
* N2 w4 M& b3 O( k( X- d电路的后级通过连接器直接输出,挂的是液晶屏LED模组,这种LED模组本来就是容性的,所以就会导致上电时的冲击电流。现在我们就要抑制这个冲击电流。
! c! z; r. y2 Q" w: x+ ?% _4 A6 R这个电路后级接阻性负载,是没有冲击电流的,这个已经测试验证过。
& _, }' P1 i; r5 Y( v) @后面串一个电感,这个冲击电流也没有减小优化,基本上没有改善效果。
& \9 t# o% E; q$ E: x( B
, y8 ~/ x/ f' d+ H
' d, e5 l8 N8 o& c5 e+ |

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估计你加电感太小了  详情 回复 发表于 2015-6-24 14:06

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 楼主| 发表于 2015-6-15 17:20 | 只看该作者
cmg227 发表于 2015-6-15 16:31' F+ ?: u  j9 S' {1 R
为什么是N管呢,你确定能完全打开?

! }- n1 h+ v. P# \G极使用了升压电路,可以满足GS之间的压差要求,可以正常打开NMOS。
6 L; }3 ?# u" E, p- F; o* u' X之所以选择NOMS,而不使用PMOS,是因为一般PMOS的导通阻抗RON都比较大,NMOS的小些。
5 J% t: ^" _: s

" S+ g1 y! o* v3 o6 p& X6 [

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哦 又学了一点呢 谢谢  详情 回复 发表于 2015-6-15 17:22

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发表于 2015-6-15 11:34 | 只看该作者
串联电感

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冲击电流是上电瞬间给电容充电的电流吧,所以很大,之前遇到过  详情 回复 发表于 2015-6-19 20:59
在S极后面串联电感,这个方法测试过,冲击电流没有改善。  详情 回复 发表于 2015-6-15 14:46

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 楼主| 发表于 2015-6-15 14:46 | 只看该作者
fallen 发表于 2015-6-15 11:346 s- ^4 {  V  s% b9 {' h
串联电感

0 ]& C. g) k6 ~% U( R1 \- K在S极后面串联电感,这个方法测试过,冲击电流没有改善。
/ d' p, X+ t) y, g" d! Q

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串电感都没有效果?估计冲击电流的脉宽太小。 你再找高手问问吧。  详情 回复 发表于 2015-6-16 09:55

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发表于 2015-6-15 16:31 | 只看该作者
为什么是N管呢,你确定能完全打开?

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G极使用了升压电路,可以满足GS之间的压差要求,可以正常打开NMOS。[/backcolor] 之所以选择NOMS,而不使用PMOS,是因为一般PMOS的导通阻抗RON都比较大,NMOS的小些。[/backcolor]  详情 回复 发表于 2015-6-15 17:20

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发表于 2015-6-15 17:22 | 只看该作者
光辉 发表于 2015-6-15 17:20- g" v0 ]+ p- c6 A
G极使用了升压电路,可以满足GS之间的压差要求,可以正常打开NMOS。7 |& W' j9 {6 C8 [' c$ {; I0 z
之所以选择NOMS,而不 ...
) A! M* w+ B/ y3 f/ ^
哦 又学了一点呢 谢谢
& ~3 v( d: l' w! g7 U$ A

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发表于 2015-6-16 09:55 | 只看该作者
光辉 发表于 2015-6-15 14:468 v2 S5 c% W* x2 O  [
在S极后面串联电感,这个方法测试过,冲击电流没有改善。
) t4 R' s* H$ j1 t: ^
串电感都没有效果?估计冲击电流的脉宽太小。5 m5 \$ e2 z9 e  C
你再找高手问问吧。
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发表于 2015-6-16 17:48 | 只看该作者
你带容性负载当然有冲击电流啦,电容电压不能突变,电流能突变
: i* M4 P( m# M6 `$ i+ Q6 `8 ~) @; h! q7 J& M4 e. X/ o1 |
不怕功耗浪费可以考虑串个大功率小电阻
4 M& s& b* k7 _! q

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发表于 2015-6-16 20:49 | 只看该作者
延迟打开试试

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发表于 2015-6-18 13:53 | 只看该作者
你这个电路感觉像一个BOOST电路了,你看看bost电路的电感电容的配置

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发表于 2015-6-18 17:02 | 只看该作者
#8  is good answer.7 a+ o% m3 ]3 _
Surge current is due to the capacitor load be charged at MOS turn on edge.
- o1 G0 z1 ^- x$ RA resistor limits the surge current peak but consume power at ON stage.

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发表于 2015-6-19 20:59 | 只看该作者
fallen 发表于 2015-6-15 11:34
0 [# P; [) [6 U; F1 l1 y7 ?6 ~串联电感

* y: {7 v3 j5 _冲击电流是上电瞬间给电容充电的电流吧,所以很大,之前遇到过
, j, k, U9 y  G, \# K) c

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恩,没错,是给电容充电,楼主也表明这点,而且也加了软启动,就是还没有解决。  详情 回复 发表于 2015-6-20 12:52

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发表于 2015-6-19 20:59 | 只看该作者
楼主要加电阻之类的负载测试看看,加电容测试不合适

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不是加电容测试不合适,而是要求需要这麽大的电容。  详情 回复 发表于 2015-6-20 12:53

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myl593799546 发表于 2015-6-19 20:595 s# U! |0 e+ F+ e& K; c$ t# }% a4 E
冲击电流是上电瞬间给电容充电的电流吧,所以很大,之前遇到过
! l) K2 s; x3 ^: _# u8 U
恩,没错,是给电容充电,楼主也表明这点,而且也加了软启动,就是还没有解决。6 Y2 C2 k: K1 \6 h* [6 G  X
3 x8 k- b* |5 h
8 ^9 R( n) l- A/ E
" `# x5 _# N4 |% X' Z5 ?+ P+ h) j

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发表于 2015-6-20 12:53 | 只看该作者
myl593799546 发表于 2015-6-19 20:59# c; G: s* i- t8 W: o5 i
楼主要加电阻之类的负载测试看看,加电容测试不合适
0 T4 O/ {% Q3 t( e) C1 d; a
不是加电容测试不合适,而是要求需要这麽大的电容。
6 f$ I6 b( n8 Y( Q1 ~

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容性负载,这个冲击能消除?  详情 回复 发表于 2015-6-20 18:06
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