电源单点接地问题

ann_wz

我对于电源单点接地一直有点疑惑，求解，如下所有的电源转换电路，
" |3 K  a8 k/ {1 h* @  S
接地一

接地二

接地三

前两个图控制跟功率完全分开，第三个控制部分，功率部分接一起，请大侠门按照这个例子详细说说，我这样布局，那个性能会最好，以及这样的dc-dc电源应该怎么样布局和单点接地？
6 z8 l- H. {( P, P

ann_wz

fallen 发表于 2015-2-28 20:59
5 D/ f! M4 W8 i: h单点接地就是没有电势差。表层那个大铜皮不是多余的，你可以参考ADI的文档：如何减少DC-DC地弹的影响（名 ...

  P+ d! s- |# _5 g: y" a' m谢谢回复。我看那了版主推荐的那个文档中关于buck电路的那部分，文档大概说有两点，一就是布局的时候要减小磁通量变化的回路的面积（也就是cvin 上mos 下mos这三个器件构成的面积）；二，也提到了将回路的地进行人为的分割处理   例如 “但即使使用第二层整
* e& y3 u* \* j; t  o块接地平面也无法解决接地反弹问题”  。如上面的截图所示，还有就是 “在磁场和环路面积发生变化的接地回路孤岛内，沿
% t7 G  R1 {6 o7 W, ^5 a着任何接地回路引起的接地反弹都受接地切割限制”；对于第二点说的地回路切割，我想请教一下版主，如果多层板，有好几个地层，那么也需要像第一个截图一样将那个磁通量变化的回路的地进行人为的隔离吗？

fallen

ann_wz 发表于 2015-2-28 20:00
7 J: B0 {/ n6 \2 w+ \) s感谢回复，因为我之前有在一些资料上面看到说在输入电容那里打孔或者在控制ic地管脚那里打孔，作为单点接 ...

  X! S( \3 F2 T7 G4 Z3 q) G单点接地就是没有电势差。表层那个大铜皮不是多余的，你可以参考ADI的文档：如何减少DC-DC地弹的影响（名字大概如此），在同一层的话，信号路径是一样的。如果通过过孔到下面那层，信号是四处乱窜的。这就是为什么很多文档都强调输入电容，功率地以及输出电容地必须连接（同一层）在一起，这样每个回路可以最短。

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ann_wz

fallen 发表于 2015-2-28 17:11
  R0 i# s! H5 L" y7 _. z看了楼主的图片，我明白你想确认什么了。
5 G( S+ k! k# l* P+ ?$ F个人觉得
: V4 f( t) a" `" m% V2 ~+ T6 T; U1 控制部分的GND与功率部分的GND最好分开

感谢回复，因为我之前有在一些资料上面看到说在输入电容那里打孔或者在控制ic地管脚那里打孔，作为单点接地，所以对于在输入输出电容mos地那里都打孔我就有些困惑了，如果说在输入输出电容，mos地那里都打孔，那么表层那块铜皮是不是多余的？而且布局的时候我也没必要非得把输入电容地，输出电容地，mos管地尽力放到一起了？
" h& |* F, ]$ T$ z

ann_wz

没办法显示图片，补在下面，电路原理图如下

ann_wz

接地方法一

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znz23456

图？？？？

fallen

楼主，看不到图。
随便说两句吧
1 单点接地就是地线上没有电位差。功率部分的GND尽量连接在一起（同一层）。
" x& P2 T9 n1 p2 控制部分也单点接地后再与功率部分的GND连接在一起。

ann_wz

原理图

ann_wz

图片传了怎么看不到，我打个包试试
* K5 M' }, [& G. p

fallen

看了楼主的图片，我明白你想确认什么了。
个人觉得
; K1 Z! P/ s4 @3 V$ r+ {# P1 控制部分的GND与功率部分的GND最好分开
2 功率部分你3个图片，本人认为在单点接地上是一样的，因为你上面的铜皮是比较大的。我倾向于第二种，即在每个电容/电阻/管子的GND附近都打上GND孔。

ann_wz

图片又看不见了
7 `, C- \8 d7 E! a+ z. H; {

fallen

如果在同一层，CIN和COUT以及MOSFET的GND靠的很近并且铜皮足够大，可以不需要对其他的地平面进行分割。

cytao

可以考虑成一个模块来LAYOUT就可以了.

ann_wz

fallen 发表于 2015-3-2 10:07
  e3 |+ G) X1 ~* I如果在同一层，CIN和COUT以及MOSFET的GND靠的很近并且铜皮足够大，可以不需要对其他的地平面进行分割。

ok