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EDA365电子工程师网»技术社区 › 电子技术社区 › 电子硬件设计论坛 › DDR3端接问题
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DDR3端接问题

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zlpkcnm

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发表于 2014-6-16 13:28 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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请教下给我大虾，DDR3端接问题。
/ M+ o2 i( W7 O2 D5 x
1 F1 w' e7 C1 L( M2 ~4 m0 O自己发现 在INTEL 给的DATASHEET上的使用DDR3 SDRAM颗粒时候 都会要求使用端接电阻。就是用0.75V上啦的。平时在做Intel cpu时候使用就都加了端接。; _7 z. N6 R3 D7 `
最近自己看到有的显卡，或者ARM原理图上使用DDR3 SDRAM时候没有加端接电阻。& v. ?7 @: q- t

# K% B) Y% g) d- d请大家赐教，这有什么区别
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If by life,you were deceived.
Don't be dismal ,don't be wild!
In the day of grief,be mild!
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wangyiqun823

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发表于 2014-6-24 15:18 | 只看该作者
数据线没有的原因是因为DDR3的ODT功能，会将内部的上拉电阻打开，地址、控制线还是需要你自己外部接的。主要的原因还是考虑到阻抗匹配的问题，防止信号的反射，振铃。

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lzscan

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发表于 2014-6-16 15:15 | 只看该作者
数据线没有，但是地址、控制线应该有吧。除非内部已经做了。

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afande

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发表于 2014-6-16 21:05 | 只看该作者
驱动能力够就不需要，不一样的设计。

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zlpkcnm

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 楼主| 发表于 2014-6-16 21:20 | 只看该作者
afande 发表于 2014-6-16 21:05
3 K$ ?. G! f( d7 G; L1 z) Z9 \: g驱动能力够就不需要，不一样的设计。
. q8 w  n, n0 r
thanks very much
If by life,you were deceived.
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ych634227759

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发表于 2014-6-26 20:07 | 只看该作者
wangyiqun823 发表于 2014-6-24 15:18% W( v6 r9 {+ I" |* L
数据线没有的原因是因为DDR3的ODT功能，会将内部的上拉电阻打开，地址、控制线还是需要你自己外部接的。主 ...

; }6 D' a  G+ y( K7 H( t/ N说的很对！对于双向的数据信号，发明的ODT技术，节省了很多上拉电阻和PCB面积！

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caitinly

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发表于 2014-10-21 11:14 | 只看该作者
ODT，从DDR2

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