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标题:
power si里面的EMI仿真和speed2000里面的EMI仿真有什么区别？
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作者:
guorui328
时间:
2014-4-11 16:25
标题:
power si里面的EMI仿真和speed2000里面的EMI仿真有什么区别？
请问哪位大神帮忙解释下power si里面的EMI仿真和speed2000里面的EMI仿真有什么区别？
作者:
mh90351
时间:
2014-5-10 16:01
SPEED2000 Applications
5 d# l; c1 D4 M: f1 i% v
" y+ v! H- a* {; \
Performing time domain analysis to confirm designs meet specified targets
# [2 f: C5 j3 ?0 B) X7 V, m T; f
SPEED2000可用来做时域分析，看波形在时域上的状况，如reflection等，快速又轻松的分析时域上的问题。
+ h( [; q8 z. A6 S
Understanding complex voltage noise propagation including return path discontinuities
( E/ V/ i4 P$ Y; ^. A3 R& H* f
SPEED2000可仿真到返回路径的不连续性，返回路径的好与坏将影响高速讯号的质量。
/ ~- g/ a' H3 Y$ ^1 z+ @
Assessing various decoupling capacitor implementations
2 Z6 B+ C) D8 ]
不同的去耦电容对于讯号有影响，而SPEED2000可针对不同的电容做模拟，找到最适合的电容。
# M7 \' D( N4 ]- c' D: K6 W/ t
Simulating simultaneous switching noise (SSN) and identifying improvement options
) k6 e j! d* ~# V" d1 m2 [
快速切换开关即会产生噪声，此噪声会影响到讯号质量，而在SPEED2000中，可模拟快速切换开关的问题。
! p9 S2 }' @- ^: h1 P1 n
Identifying package and board resonance and radiation harmonics
( f6 ~; J( ]8 W$ {* }) z; o
SPEED2000可拟模共振与辐射问题，这些问题对于设计质量而言，是不可忽略的。
+ t1 a# g4 z2 x1 I2 [4 X
==========================================================
+ s1 ~; ^7 W$ Q+ Z& R
PowerSI Applications
$ B$ T4 i: ?3 u0 @. Y) p9 e
' q. U! y4 e# m- }; [
Establishing power delivery system (PDS) guidelines for IC package and boards
; C& h0 v. m" e; f$ V
提供IC、package与PCB板的电源输送系统的分析仿真，解决且优化电源质量，电源质量是最根本问题，将电源质量加强，将可使整个PCB达到稳定的状态。
- R) i. A! C$ V! t6 G4 `8 z
Evaluating electromagnetic coupling between geometries to enable better component, via, and decap placement
0 |9 `9 p* N8 C8 t, ]* p( G- p' p
PCB板上会有很多的via与电容，但这此组件皆会有相互影响的问题产生，经由PowerSI即可轻松分析这些相互影响的问题，进而达到讯号质量稳定。
) B" m; A4 I( s* Z: T' e+ o/ @
Extracting frequency-dependent S, Z, and Y parameters for PKG and board modeling for subsequent time domain SSN simulation
0 C0 S4 K8 U& T: N9 Q; ?) _9 w
PowerSI可将PCB板上提取S, Y及Z参数，经由此参数可得知PCB板上的特性，进而找到问题的根源，解决问题。
* b @$ V6 r( ^ K
Anticipating energy leaks with near-field ration display
3 f R: e3 Z, i" |0 R
经由PowerSI可分析近场源的问题，进而修改layout走线降低近场问题。。
% w! ^/ e' z% x' l1 K" }
Assessing decoupling capacitor strategies and verifying placement effects
6 M8 n4 I! c! d) N
使用PowerSI可分析去耦电容的摆放位置，去耦电容的位置对于电源质量非常重要，使用PowerSI即可分析模拟选择最好的摆放位置。
5 ]( b' q7 i. r0 V, {' S5 J8 N! E
Broadband modeling including accurate DC performance characterization
7 E; y; }. \5 `
使用PowerSI可建立宽带模块，此模块可达至DC状态且非常精准，对于分析电源质量非常重要。
- D6 R: e6 @: Q( N& i: T
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