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关于DDR3 时钟线上的电阻电容的作用

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发表于 2012-12-7 16:24 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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各位大侠:4 a- x( ?& S, T; C0 f# n9 z
请教一个问题,关于DDR3 时钟线上的匹配电容,这个电容的作用。我现在做的是4片DDR3,一般情况下去掉C63这个电容或者上这个10pF的电容,DDR都能跑起来,速度的话跑480M也没有问题,但有时候,某些PCBA上就需要匹配这个电容,加上这个电容可能效果不怎么好,去掉效果更加。有时候某些板却要匹配更小的电容,才能下载。关于这个问题,一直很困扰我。有两点很困惑:) m  Q3 q( y+ `" i, z6 T8 P

. w3 T0 u. x9 ^8 @9 Z- K  {2 ?) w( Y1、这个电容的作用,电容的大小对DDR的影响?+ n; y4 z/ A( P) L- l
7 k0 h' a3 P. N1 G
2、为什么某些PCBA需要去做这样的匹配,DDR才能跑起来,并且电容的值还不一定相同?
/ \. w# g5 s' [. s1 u4 \% k: h
' t, {6 D0 q  A$ H, G对这部分电路确实还是很迷惑......

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发表于 2012-12-7 16:31 | 只看该作者
我的理解是消除差模干扰

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发表于 2012-12-9 18:19 | 只看该作者
1. 这个电容主要是消除DDR CLOCK的OVERSHOOT AREA, 以满足JEDEC的要求;6 }. J7 I8 C8 ^/ q* {, y. Y
2. 我觉得去掉这个电容,DDR都能跑起来,只是overshoot多了一些,内存芯片热一些的区别,这个电容应该放在内存的接收端,而且,如果480Mhz的DDR3,以我的经验来看10p还是大了一些,应该3-5pf会好一点,大了就有点过了。电容当然和频率有关系,不同频率用的值应该不一样,具体值要看测试结果。

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发表于 2012-12-10 15:04 | 只看该作者
个人认为此电容与前面电阻一起构成L型滤波电路,可以滤除一些高干扰和高频过冲等,使信号时钟信号波形更好!!!

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 楼主| 发表于 2012-12-11 23:14 | 只看该作者
xin_515 发表于 2012-12-7 16:31
3 v, s/ s$ ^" i! n8 l我的理解是消除差模干扰

: W' i2 n/ E0 z* G; G( ^ 哦,那电容的大小取值方面有什么讲究么?

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发表于 2012-12-12 09:17 | 只看该作者
czypf 发表于 2012-12-11 23:14
  h" n4 y  ~) D2 t1 [  [哦,那电容的大小取值方面有什么讲究么?
6 M( r' t% s# O; C# T
应该就是几PF就可以了。

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发表于 2012-12-20 09:23 | 只看该作者
文章不错,学习了!

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发表于 2012-12-24 12:58 | 只看该作者
了解一下,深度不懂

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发表于 2013-1-2 17:23 | 只看该作者
学习了

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发表于 2013-1-10 00:32 | 只看该作者
多谢分享!
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发表于 2013-1-10 11:30 | 只看该作者
各位我认为电容它就是个随着频率改变的阻抗,给不同频率成分做了不同差分匹配呀,频率越大,意味着容抗越小呀,想想大家应该能明白是咋回事,不想电阻跨接,它是全频段的。

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发表于 2013-1-11 08:42 | 只看该作者
part99 发表于 2012-12-9 18:19
% L4 a; v- j4 k- A1 y1. 这个电容主要是消除DDR CLOCK的OVERSHOOT AREA, 以满足JEDEC的要求;7 z6 G  t6 @- X- C6 d
2. 我觉得去掉这个电容,DDR都能跑 ...

* u& g/ s( G  y3 Z( g5 F" Q我们一般在CLK上是串R,在两个差分线上预留一个位置,不过不是放C,而是放R,做到阻抗匹配。特别是两层板的时候。

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发表于 2013-1-12 15:30 | 只看该作者
电容应该是消除差模噪声,而电阻如果是串联的话应该是满足阻抗匹配。如果是上拉,那就是ODT,(这个是用于memory down的情况);
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