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在电路设计时我们常常遇到开漏(open drain)和开集(open collector)的概念。

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发表于 2012-10-25 21:04 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 荒村战士 于 2012-10-25 21:06 编辑
+ |4 s5 H, O0 ?+ D' d& M
  ~1 X) U! }: R' b: m7 l在电路设计时我们常常遇到开漏(open drain)和开集(open collector)的概念。
2 D3 D. ]+ u' l9 k0 o( F所谓“开漏电路”概念中提到的“漏”就是指MOS FET的漏极。同理,开集电路中的“集”就是指三极管的集电极。开漏电路就是指以MOS FET的漏极为输出的电路。一般的用法是会在漏极外部的电路添加上拉电阻。完整的开漏电路应该由开漏器件和开漏上拉电阻组成。如图1所示:   
4 {1 [* _, P6 W' b) z3 ]4 n8 C8 w  m6 }! N: p& `, @

" o1 z* E, o; T! A
% h3 K( @( M2 }( G组成开漏形式的电路有以下几个特点:
1 W; N( l# h! C& R# p& T8 c" n" U1. 利用外部电路的驱动能力,减少IC内部的驱动。当IC内部MOSFET导通时,驱动电流是从外部的VCC流经R pull-up ,MOSFET到GND。IC内部仅需很小的栅极驱动电流。如图1。
) }+ R. B& l% B) u! v) B3 ^- T2. 可以将多个开漏输出的Pin,连接到一条线上。形成“与逻辑”关系。如图1,当PIN_A、PIN_B、PIN_C任意一个变低后,开漏线上的逻辑就为0了。这也是I2C,SMBus等总线判断总线占用状态的原理。
7 ]) G6 z" R3 i& x3. 可以利用改变上拉电源的电压,改变传输电平。如图2, IC的逻辑电平由电源Vcc1决定,而输出高电平则由Vcc2决定。这样我们就可以用低电平逻辑控制输出高电平逻辑了。. E! F- T2 R$ ]
4. 开漏Pin不连接外部的上拉电阻,则只能输出低电平。
# `3 b1 N9 }1 u' Z4 c, x4 M' S5. 标准的开漏脚一般只有输出的能力。添加其它的判断电路,才能具备双向输入、输出的能力。
* `8 B! g) H, y: H/ L( M3 q / T3 t6 K6 }% f+ c# e

$ c$ H0 h3 x3 E( ^9 K4 d2 s1 y& v9 M* j. E
应用中需注意:
) x/ |2 S$ g9 h' j) T1.   开漏和开集的原理类似,在许多应用中我们利用开集电路代替开漏电路。例如,某输入Pin要求由开漏电路驱动。则我们常见的驱动方式是利用一个三极管组成开集电路来驱动它,即方便又节省成本。如图3。6 f; _0 x4 f' j6 H( a  F* Q* U8 P
2.  上拉电阻R pull-up的阻值决定了逻辑电平转换的沿的速度。阻值越大,速度越低功耗越小。反之亦然。
- J+ m9 i/ r( h1 L5 g  e5 {9 C, N  k  c( X1 u" Y3 ^3 r/ \9 D
3 p, I3 ?& q: e) R9 ]
, l; ^; u  G* S4 e2 ]6 X, S$ n
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发表于 2012-10-26 11:38 | 只看该作者
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发表于 2012-10-31 12:00 | 只看该作者
归根到底还是器件的原因,场效应管和三极管的区别,前者是电压决定电流的器件,后者是电流决定电流的器件;前者是栅极,源极,漏极,后者是基极,集电极,发射极。

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发表于 2012-10-31 17:08 | 只看该作者
受教了

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发表于 2012-10-31 20:51 | 只看该作者
有人做个总结还是不错,呵呵

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发表于 2012-11-1 13:02 | 只看该作者
说的不错
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