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yuxuan51 发表于 2012-2-8 16:22 : e. r' N+ O! I$ F2 J8 S( Q( B" c0 P7 r
你的工程我大致看了一下,也跑了一下,发现有一个问题,就是扫描参数设置那里,将DC extrapolation勾上 ... 9 y& W9 I" n, J3 R6 p1 Y) H
7 Z {' p( U+ G
线宽200um 线距405um 上层高100um 下层高200um 线长2inch ; R4 {9 e. F* g0 o
算出来特征阻抗67.93ohm1 Z& J! x4 p* p @% ]7 T9 y
: A9 O3 ~2 ^- O: q1 E7 C+ r端口归一化 阶跃响应 TDR
3 n/ c2 y5 i' U6 f可以看到HFSS 仿真出来阻抗为86ohm 与si9000相去甚远
1 T- V J, a- ^
6 l$ K# b' U- V& ^6 S
取消归一化 端口1 端口2 阻抗以高一低 且基本在100ohm上下
) q- T. s: y5 A$ I& P7 x* E' p
{3 c8 R; W# P+ P6 l6 @! `
端口归一化后的 冲击响应TDR
1 y7 `0 F7 e4 R阻抗变化在1.16ns处,且阻抗仅在100ohm附近变化
& C( B9 u; y) |# R% O5 k# T
& [; j1 c8 m% H1 E5 t# [$ N端口未做归一化,阻抗在0.14ns出发生变化,这时阻抗为负数,在-100ohm附近变化。
x" n8 j) R, f* |3 \0 o, \4 ^* e6 ?
$ I' x" J7 k. `, t* f# s
: ?, w8 H2 V0 k! G3 f归一化后的s11
( Y$ R' U6 p" v1 D( e5 U/ t: \2 d
% j# f6 l" E. o0 {8 v/ l* B2 m/ Q! q
未做归一化的s112 b, ?1 n5 w- v4 r
3 k0 U+ r4 t& }- D! ^) ]4 Y
首先HFSS仿出来的特征阻抗与si9000的结果相差很大,到底应该以谁为准?0 N! c4 d3 i" w
端口做不做归一化对 S11 阶跃响应TDR 冲击响应TDR 的影响非常大。这几个参数 分别应该在什么条件下 才回得到正确的结果?" f9 r# R* }* L5 W1 t/ s
为什么端口不做归一化 冲击响应TDR得到的阻抗是负数?
: E! t- f3 f- i3 a5 H3 R: i此工程中的差分线是阻抗连续的,为什么TDR图中,阻抗变化点不是在0时刻 而且不同设置下 阶跃响应和冲击响应得到的
1 p3 b3 e4 f6 x& t& q" S$ U跳变时间不同?
+ P# V M. V1 A3 P. q! m+ p) W- a- ]% z# A
以下为具体设置和工程文件
9 K) z3 n& o; {: |# f, @: p
! y: ?8 U) l }( D! M( r
4 v, U8 @- I3 R/ F7 F0 H4 a
7 O9 |' Z( N9 k% k
& o' b7 O1 @, |
( L( D- }) x) b" _
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- \4 f" ?0 b; {7 l4 C$ p, F0 x9 q' V5 f5 v# o7 f* |
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: L9 z% K$ C) W. D8 r
2 g: L+ a7 ? L) s1 q- g
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. ~. [$ U/ f; h: @; [4 F9 F
1 N. V/ [( G4 V M
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6 e: [( p, ~7 `; m* d- y
& H7 |' s8 f" L+ s" } |
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