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yuxuan51 发表于 2012-2-8 16:22 9 L2 R3 T/ P3 [2 Z
你的工程我大致看了一下,也跑了一下,发现有一个问题,就是扫描参数设置那里,将DC extrapolation勾上 ... * i& ]4 b, Z+ F1 }3 V4 |& J
: g* i+ U! \# x0 Z# ~线宽200um 线距405um 上层高100um 下层高200um 线长2inch ) E8 G* c6 V/ f3 u
算出来特征阻抗67.93ohm( g0 L p5 t: t- A
- N* r' ~" U0 u. ^" J; j# C端口归一化 阶跃响应 TDR7 G: P" R7 d J( D. t5 r
可以看到HFSS 仿真出来阻抗为86ohm 与si9000相去甚远
5 g6 Y1 F7 E, U8 ]
: |: a2 W% R+ h$ \6 j$ h' _取消归一化 端口1 端口2 阻抗以高一低 且基本在100ohm上下
: b+ d. m) q/ w' ~& f) P7 _
e! s( f8 w$ k/ b" u端口归一化后的 冲击响应TDR8 u) P2 }' E; _2 S! j1 Z- o
阻抗变化在1.16ns处,且阻抗仅在100ohm附近变化+ a+ z i2 W1 o
& [5 W x% O7 q K m端口未做归一化,阻抗在0.14ns出发生变化,这时阻抗为负数,在-100ohm附近变化。
, V; i5 k' f) H7 p$ [2 h+ k+ ~- G$ V
2 I/ T$ D: v {; Q, h: Z归一化后的s11
6 o- x6 P! W+ f1 k/ J
( R" W$ t: Y& L$ \9 A3 a未做归一化的s11& g9 z6 D# }6 G" {" l) b
; h1 T9 N! K$ H/ l* m: Q+ K ]
首先HFSS仿出来的特征阻抗与si9000的结果相差很大,到底应该以谁为准?
) a& J. P! t. M- g端口做不做归一化对 S11 阶跃响应TDR 冲击响应TDR 的影响非常大。这几个参数 分别应该在什么条件下 才回得到正确的结果?: e% t3 @# |' b; v" V; L
为什么端口不做归一化 冲击响应TDR得到的阻抗是负数?) v) [) }6 `4 F( M' o
此工程中的差分线是阻抗连续的,为什么TDR图中,阻抗变化点不是在0时刻 而且不同设置下 阶跃响应和冲击响应得到的
! U% r" k M1 n9 w; E跳变时间不同?
; k# I) |' h5 I* v7 `6 Y& I2 X, s3 r8 Q
以下为具体设置和工程文件
! C/ _ G$ u1 s1 u. u/ X( e
$ B0 L: B9 V- {$ L6 ~7 \% M4 B8 X
7 q I4 S- k2 b. \1 \
( S& b* a/ p( k4 G
# f& d1 G) S% ?4 i0 U5 g, k
) [& W: v& h" E. p) l* _* O8 O
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# N7 R w9 p$ f, D, `
: O" S+ z {% K. _( g3 W8 H
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, B' D+ O. v$ c" x n' A/ w3 t9 P) O) F
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/ O4 `9 N, ]/ x2 w
, v# Q5 c# k# n' O# m( d
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. q' _* q+ e3 E0 ~! K; q' r
( s$ _0 g. {+ S, z |
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