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并联一个1M的电阻晶振旁起到什么作用?

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发表于 2010-11-24 08:38 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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并联一个1M的电阻晶振旁起到什么作用?/ c; h( O* O( h) o, w2 ^* R
我今天到一个客户那里跳板子,原先我们的参考电路图上面是有这个1M电阻的,客户处于某种原因的考虑,将这个1M电阻去掉了。! `+ D7 t! n! Q2 N. S6 u6 y$ C
下完程序后,在有1M电阻的板子上面,马上就可以运行程序,而在没有1M电阻的板子上,要过很久程序才开始运行。
4 H2 ~% W0 ?7 P! a8 N2 ~( S看来是这1M电阻影响了晶体振荡器的起振时间。  X% Y2 j6 V3 ]
但这个1M的并联电阻到底起到什么作用呢?, z. A# c+ Q) B( |- c7 b
有人说防止晶体停振,但到底是什么更有说服性的原因呢?
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发表于 2010-11-24 18:19 | 只看该作者
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' K$ y$ U0 u8 L6 o! Z' r! ]0 z+ {  J: @8 s/ R
增加了晶体的负载电阻R,根据品质因数的定义Q减小了,那么选频系数变大,相当于频带变宽吧,起振应该更容易

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 楼主| 发表于 2010-11-25 09:24 | 只看该作者
谢谢

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发表于 2017-1-21 09:24 | 只看该作者
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