请教一下SDRAM的型号怎认。（已解决）

T45524093

+ h0 N- H# d7 U7 z 请教一下SDRAM里的64*4，32*8，16*16分别是什么意思，

T45524093

Micron内存颗粒

2 `9 L$ ]8 m& E2 n  |# Y" CMicron（美光）内存颗粒的容量辨识相对于三星来说简单许多。下面就以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则。

" z1 _: _1 S4 a& ]" q  I% U含义：

MT——Micron的厂商名称。

" C" W4 F( S6 e4 ^, Y( M48——内存的类型。48代表SDRAM；46 代表DDR。

LC——供电电压。LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。

* ~' f  X9 f  ~1 Q4 L: M: D16M8——内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是：16M（地址）×8位数据宽度。

. d1 p; g. F- R% S" F( h" ~( ~A2——内存内核版本号。

$ r; G# i0 N7 P; K% J) A/ hTG——封装方式，TG即TSOP封装。
% S8 B8 b; f& f8 s, z
-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。

* `% m/ X* F8 j  p7 o! l3 y实例：一条Micron DDR内存条，采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造。该内存支持ECC功能。所以每个Bank是奇数片内存颗粒。
) g4 Y$ e* Y" A" T, _  g' n
: V/ z& p3 ?0 ?" x. a1 w% p5 V* Z其容量计算为：容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB（兆字节）。  明白了。原来如此

草莓1989

楼上很强啊！向楼上学习！！

liuli

狂顶楼主，学习了
0 w; W- b, Q2 U其他厂商的不知楼主有没统计，发来学习下，多谢多谢

T45524093

三星内存颗粒
3 h. n( D3 F/ u$ f* ?$ F8 O编码规则：K 4 X X X X X X X X - X X X X X

' E! h6 p/ `0 ]# u4 J" l主要含义：

. A2 {& M; O3 {" I. E第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。
2 `% C( [. X3 m6 s
第2位——芯片类型4，代表DRAM。
& [: Y' @; }4 n
第3位——芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
. S, Y' c& q; ]* N7 G; w: U$ |
* z, `' x, a; X4 T第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。
, i0 e3 V$ i7 A# Y1 q0 _
第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
" O, F3 r, D! A* T2 q0 J" V2 c
第11位——连线“-”。

! h! s5 c0 P" h3 H) y第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为 7ns；7B为7.5ns (CL=3)；7C为7.5ns (CL=2) ；80为 8ns；10 为10ns (66MHz)。

. V$ ]. \6 P+ t- ^& E% w/ l知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits（兆数位） × 16片/8bits=256MB（兆字节）。

注：“bit”为“数位”，“B”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：一种是非ECC内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ECC内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ECC校验码。通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ECC功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ECC内存。
) h. `4 m! y, M
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  |7 u/ z) Z3 h$ e* B; S: a, L
4 Q1 v( \8 d" t4 k' q3 OMicron内存颗粒

/ f' e8 g2 A( R/ ~0 x7 OMicron（美光）内存颗粒的容量辨识相对于三星来说简单许多。下面就以MT48LC16M8A2TG-75这个编号来说明美光内存的编码规则。
9 R1 d8 E! t7 F/ S4 n, [
: P9 M( ?" c. D% V9 w# ?  @) i* @含义：

MT——Micron的厂商名称。

# F# K7 T4 ^3 _$ R6 G: j$ u  |; B48——内存的类型。48代表SDRAM；46 代表DDR。

. s; A0 R6 j+ a% O$ ?" ~& ?7 iLC——供电电压。LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。

16M8——内存颗粒容量为128Mbits，计算方法是：16M（地址）×8位数据宽度。
4 D! R  K" G7 J9 l% a% H- `0 z
8 s+ [- m9 \  d& w0 _A2——内存内核版本号。
, M0 r+ h, q% L1 S% q) a) B4 |
5 `2 I( V, v7 t; Y3 yTG——封装方式，TG即TSOP封装。

-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。

2 [0 d9 n4 [% U3 v1 b实例：一条Micron DDR内存条，采用18片编号为MT46V32M4-75的颗粒制造。该内存支持ECC功能。所以每个Bank是奇数片内存颗粒。
8 z. q4 F5 M- u* ?% N, U: `7 L6 u
; h% `  E; z& }8 _3 U其容量计算为：容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB（兆字节）。
5 m# p! t5 P" v' }3 C
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( T: `  Y) e, U& g6 W
西门子内存颗粒
' e4 D! M7 c+ }$ V/ d, @! v1 @) U
+ b+ r7 V! x3 v& j6 ?目前国内市场上西门子的子公司Infineon生产的内存颗粒只有两种容量：容量为128Mbits的颗粒和容量为256Mbits的颗粒。编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。Infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个Bank组成。所以其内存颗粒型号比较少，辨别也是最容易的。
% i1 ~& S( y5 `. d+ ?; t& I
( I0 l& }* X: K. LHYB39S128400即128MB/ 4bits，“128”标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存数据宽度。其它也是如此，如：HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即256MB/8bits。
- z# e$ x. f, \* ?7 ~2 a- b& \
Infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线，然后标上工作速率。

-7.5——表示该内存的工作频率是133MHz；
' A2 ^1 o- m3 e0 v( H: g1 ^" R7 o, Y
-8——表示该内存的工作频率是100MHz。
; A0 o$ G% F5 X' c. L
% @( H* u5 ]7 v; A例如：

1条Kingston的内存条，采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位）×16片/8=256MB（兆字节）。

1条Ramaxel的内存条，采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的内存颗粒生产。其容量计算为： 128Mbits（兆数位） × 8 片/8=128MB（兆字节）。

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: e, j- m2 I& YKingmax内存颗粒
8 v. n0 l/ h" G( N9 w
Kingmax内存都是采用TinyBGA封装（Tiny ball grid array）。并且该封装模式是专利产品，所以我们看到采用Kingmax颗粒制作的内存条全是该厂自己生产。Kingmax内存颗粒有两种容量：64Mbits和128Mbits。在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。

' |2 [; [' D* h5 u4 `* T6 y容量备注：
; l6 O6 K& v( p
  L) h, J1 x9 f6 X4 N+ @' @KSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空间 × 4位数据宽度；

9 K6 M( J5 f4 ]- h1 GKSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空间 × 8位数据宽度；
! W; `8 j/ }, Z8 }1 V/ _6 c
+ j% n9 g8 P$ ]: T2 `3 P2 X$ cKSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空间 × 4位数据宽度；
7 n% P* d9 s9 A6 N& n: {9 F
5 S" s( h. |2 F* t; N) o1 cKSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空间 × 8位数据宽度；
: v- U0 r" ]) N0 N  P" d9 X0 \; @
2 v/ G7 z0 ?9 z1 D' h* @  r) K5 fKSV864T4XXX——128Mbits，8M 地址空间 × 16位数据宽度。
5 S! Y9 I; [" W0 q
Kingmax内存的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率：
7 t  J+ t& r7 J- ]' d( R; }
9 E( m" r" j# H8 m" D-7A——PC133 /CL=2；

# E/ x9 x: ^6 v7 Z-7——PC133 /CL=3；

-8A——PC100/ CL=2；
8 t% u) a- n" T8 v
1 B! Q, }) i8 e* J-8——PC100 /CL=3。
. O) i! e" e% r$ P
例如一条Kingmax内存条，采用16片KSV884T4A0A-7A 的内存颗粒制造，其容量计算为： 64Mbits（兆数位）×16片/8=128MB（兆字节）。
! W7 Z) _- d7 A0 A5 @* q
内存颗粒编号与内存品牌知识介绍
通过查验内存颗粒的型号，我们就可以计算出内存的容量

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3 w# L8 Q) z, }( |% ^$ o
7 n) y" f' X8 Z+ BHY颗粒编号


HY XX X XX XX XX X X X X X XX

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

- k* c% w+ ~% A5 K1、HY代表是现代的产品
3 \- b) f5 W/ v5 ]- b$ N* [2 ~
　　2、内存芯片类型：(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；
" u7 @/ }5 X* o1 |% T! V! m
　　3、工作电压：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V　

　　4、芯片容量和刷新速率：64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K 刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新
' ~0 e; B7 @4 N3 R2 j! N5 a# y% z
　　5、代表芯片输出的数据位宽：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位
: w' p; Z7 l! w" m) v# H& b( I
) \7 @9 g3 u) f. ~　　6、BANK数量：1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系

' h$ {; L$ r7 r) o7 ?　　7、I/O界面：1 :SSTL_3、　2 :SSTL_2
+ _( P" z$ z/ U1 h) P
　　8、芯片内核版本：可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新
0 O2 j+ \6 h( t5 B
$ C% a* P; Q$ w: _" r" z　　9、代表功耗：L=低功耗芯片，空白=普通芯片

" o% ^; I+ H, O% E3 I　　10、内存芯片封装形式：JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ
( P$ F$ o- p& L$ s
　　11、工作速度：55 :183MHZ、5 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MHZ、4 :250MHZ、33 :300NHZ、L DR200、H DR266B、　K DR266A
5 O; Z3 i$ j3 I& h: P: k# o
8 G( P' C5 E& S/////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////

TOSHIBA DDR内存:

8 o, f; R8 ~5 b1 |TC XX X XX XX X XX X XX

1 2 3 4 5 6 7 8 9
* p  {; K* b- a+ d( \7 G% [

1 v. M7 n* R6 Z1 `2 y% j　　1、TC代表是东芝的产品
' Q3 F% a. u5 h! G$ C7 v
　　2、59代表SDRAM代表是SDRAM

1 [. i% x4 ?9 Q: R  U　　3、代表内存种类：S=普通SDRAM，R=Rambus SDRAM，W=DDR SDRAM
3 ?6 g: w% U* W% Q( w% e- F
0 q$ p2 ?6 V/ K( Z( [5 P% I9 k　　4、代表容量：64=64Mb，M7=128Mb
6 n1 a( O. S  Y1 Y) m. l6 c
　　5、表示数据位宽：04、08、16、32分别代表4位、8位、16位和32位
% w4 {# N# \8 d' ]: d3 [! `
　　6、表示内核的版本：可以为空白或A、B、C等字母，越往后代表内核越新
1 k& h$ G2 v( C# Q0 M& ^. d& A7 Q- U
　　7、代表封装：FT为TSO II封装
& m( q5 W& ^# ?  C4 A/ V- \* x  @0 W
　　8、代表内存功耗：L=低功耗，空白=普通

9 d9 o& _, g4 p+ Y9 [/ e) [　　9、代表速度：75=7.5ns［133MHz］，80=8ns［125MHz］，10=10ns［100MHz CL=3
$ L7 P" P- h3 K4 \- `7 Z5 g" ]
( b; O, }( a% f& s$ q) @. J7 q/////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////
1 e* K# }" y* Y$ u
宇瞻DDR内存:
1 i9 z. Y3 r  K& F1 |
W XX XX XX XX

' q% t% i6 L& K- ~* w1 2 3 4 5

1 D' P( v8 |& A  K* h! M8 h0 c
　　1、W代表内存颗粒是由Winbond生产
9 P5 z1 Q( U5 q, ]* y+ o6 J
　　2、代表显存类型：98为SDRAM，94为DDR RAM　

9 i; e, b6 t  Q; V9 A　　3、代表颗粒的版本号：常见的版本号为B和H；
) O' }* Z/ ?# v0 Y* c3 @
! C7 X6 g. c5 V3 _0 u$ I# U+ A　　4、代表封装，H为TSOP封装，B为BGA封装，D为LQFP封装
. z) v$ H3 F+ Q, O# h! D# \
* J( U6 ^% i" M) x　　5、工作频率:0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：7.5ns、133MHz；Y：6.7ns、150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHz

bragi19451466

這些datasheet上都會有寫明的呀