三星已成功研发3nm制程！

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1月3日，据韩媒Business Korea报道，三星电子已经成功开发了业界首个3nm制程，预计将于2022年开启大规模量产。





报道称，与三星电子的5nm工艺相比，3nm制程能将芯片尺寸缩小35%，功耗降低50%，性能提升30%。


按照去年的说法，与7LPP工艺相比，三星原本预估3nm工艺可将核心面积减少45%，功耗降低50%，性能提升35%。而现在是将3nm同5nm进行对比，各方面表现又略有提升。据悉，三星的5nm FinFET工艺与7LPP相比，将逻辑区域效率提高了25%，功耗降低了20%，性能提高了10%。


值得一提的是，三星一直被诟病的晶体管密度仍然未被提及。作为GAA技术的领头羊，三星究竟能否借由3nm工艺翻盘，还需要时间来证明。

三星在10nm、7nm及5nm节点的进度都会比台积电要晚一些，导致台积电几乎包揽了目前的7nm芯片订单，三星只抢到IBM、NVIDIA及高通部分订单。不过三星已经把目标放在了未来的3nm工艺上，预计2021年量产，这个时间点要早于台积电。





据悉，台积电原计划于2023年量产3nm制程的处理器，但是根据台积电晶圆厂业务高级副总裁JK Wang的最新说法，这个时间节点已经提前一年，将于2022年可似乎3nm工艺的规模量产。规模量产，意味着台积电已经具备满足多家客户、不同产品上市需求的产能和良品率。从量产时间点来看，虽然三星在3nm工艺上要早于台积电一年，不过最后结果如何，目前依旧不能下定论。

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