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請問一下為何我外加pul high電阻會有比較強的pull high

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发表于 2018-6-7 09:57 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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請問一下為何我外加pul high電阻會有比較強的pull high 超過pull down1 ]/ B/ V. Z2 U& k( }: e( x

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发表于 2018-6-7 10:03 | 只看该作者
不知道。

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果斷回應!@_@|||  发表于 2018-6-12 08:00

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发表于 2018-6-7 10:59 | 只看该作者
RGMII,MII

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发表于 2018-6-7 11:03 | 只看该作者
如果是100K内部弱下拉,你外部加100k的弱上拉与加4.7k强上拉。你觉得电平会不会不一样

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发表于 2018-6-7 22:29 | 只看该作者
好好看懂英文先吧

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发表于 2018-6-8 15:32 | 只看该作者
这英文没啥复杂的,都讲得很清楚了。

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发表于 2018-6-9 11:36 | 只看该作者

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发表于 2018-6-11 10:44 | 只看该作者
这段英文的描述其实不太清楚,我理解下来的意思是:0 G' r! R( C* z7 {! E) i; D; Y7 c
1. 芯片自身有内部弱上拉
; k. Z% I6 \" R: o2. 如果其它地方没有弱下拉,那么好简单,复位的时候信号自然为高
. s0 i( E8 r" P% p/ \3. 如果其它地方有弱下拉,那么我们就需要加强上拉,以确保复位的时候信号为高电平( m2 X  e5 E. r" C" [, n. Z% N9 ~) F. O
4. 如果其它地方有强下拉,这种情况是不合理的,除非designer思路有问题

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发表于 2018-6-27 14:57 | 只看该作者
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