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NPN的c接地E接电源用

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发表于 2017-6-19 15:38 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
9 p' p& D4 B7 Q+ v+ T4 F- B
前辈留下来的原理图
1 [* N- I: _9 o7 p三极管c接地E接电源
0 o1 `% T) s6 v" D8 ?3 @3 ]实测可以用
9 R( T. g$ E4 y7 Y* E0 v+ J, {" l' k  t' Y& X2 Y% @

2 g7 }8 z" P1 `% {
1 {* @! a5 U9 A* r& c# ]' H: u

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又是一個爛攤子,圖改一改吧!^oo^  发表于 2017-6-20 07:50
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听党指挥,能打胜仗,作风优良

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发表于 2017-6-20 09:06 | 只看该作者
一看楼主确认的就是继电器控制电路,再看看狗版主的回复,豁然开朗

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這麼神奇!@_@  发表于 2017-6-22 10:05

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发表于 2017-6-20 15:35 | 只看该作者
本帖最后由 超級狗 于 2017-6-21 08:19 编辑 0 K% C3 w) a; w- M; t2 l
flywinder 发表于 2017-6-20 09:26
+ L5 _$ u( i' x% n$ ~( E& `特意百度翻译了一把

5 K4 t2 m! J& d; c2 O* q我有繁中翻譯,是你自己不問的。
5 w* O! e; d  e* v7 C$ f1 k$ C6 Z# y( F3 ]- w9 P& x% R

: u/ c6 }( o" ~$ N' W
+ r1 ^+ z, N! \雙載子電晶體(BJT)如果射極(Emitter)和集極(Collector)反過來用會怎樣?8 R9 v( ?# K9 i8 f

6 d: ?1 \9 F3 e7 @$ `雙載子電晶體BJT:Bipolar Junction Transistor)的射極Emitter)含有比集極Collector)擁有更多的載子Carrier),如果射極Emitter)和集極Collector)反過來用,被稱為 Reverse Active,會有下列的影響:+ W) i, y% u0 E  B, v; `

0 w" o" G, R# N: G. w
  • β 增益會變小,需要花更多的電流來驅動。
  • 射極Emitter)到基極Base)的耐壓會比集極Emitter)到基極Base)的耐壓低。
  • Reverse β 增益,會比原來的 Forward β 增益更大一些。(原來的 Forward β 變成 Reverse β 了!). K3 \) M) Q$ H8 C7 J6 a
' b2 e! v/ g9 V/ l/ j. e( F" i
附註:2 l, N- h" U3 m' ~+ [/ C
Reverse β 增益,就是雙載子電晶體BJT:Bipolar Junction Transistor)射極Emitter)和集極Collector)反過來用的β增益值,一般 Datasheet 不會標示這個數據。
  k2 L! L6 _1 _: @  h/ x
' G8 m) t, Z4 i7 q# J

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幸好见不着,不然说不定会被打,这么拉仇恨真的好么!!!我刚辛辛苦苦看完,发现有中文版的。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。  发表于 2017-7-22 09:59
………………………………  详情 回复 发表于 2017-6-20 16:35
哈士奇是一種連主人都咬的爛狗!

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发表于 2017-6-19 17:38 | 只看该作者
本帖最后由 超級狗 于 2017-6-19 17:44 编辑 * s5 f$ a9 i9 B+ z) y

* {- M* `& m3 c' x: yWhat will happen if I bias the collector and emitter of an NPN Transistor inversely?
" |6 T" `' L: O5 s) F9 r/ F, R1 XIf you use the transistor in reverse, the emitter becomes the collector and the collector becomes the emitter, and its quite simple to see what happens:+ W  w/ B$ L: ?& r
* x9 `+ F/ Y5 k
  • As the collector doping is less than the emitter doping, the hole current in the collector (now the emitter) increases, leading to lower beta.
  • The voltage withstand capability goes down, as now the BE junction is reverse biased, and the emitter is not constructed for high withstand voltage.
  • The effect of the thin basis remains. For that reason, if the forward beta is high, then the reverse beta will also be higher.
    ! k9 t4 N. Q5 U

' n6 Z9 e4 P! V; v9 W5 m4 q( z貼個洋文兒嚇唬人一下!7 U& X2 X7 K) a
) Q! F1 X" N; M2 E3 a2 [
; A$ I- u8 m5 f, j

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so. what happened? 大神已经作了证明  发表于 2017-6-27 09:18
大神用证据教育小白了  发表于 2017-6-27 09:15
特意百度翻译了一把  详情 回复 发表于 2017-6-20 09:26
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发表于 2017-6-19 16:02 | 只看该作者
NPN 和 PNP 反過來是什麼???0 @/ P; j) n) w' A5 k- a0 e* @

% @  j& ?7 Y( l& p) k8 y
0 T; w7 @" \% A5 X

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三极管是可以反着用的,只是电流放大系数会变小,这个和两极的掺杂浓度差异有关(发射极的浓度高于集电极?),对吧,版主?  详情 回复 发表于 2017-6-19 16:30
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发表于 2017-6-19 16:30 | 只看该作者
超級狗 发表于 2017-6-19 16:02
2 b& s' r- @) M+ bNPN 和 PNP 反過來是什麼???
8 T. a' @  h# O7 f* p8 H, G
三极管是可以反着用的,只是电流放大系数会变小,这个和两极的掺杂浓度差异有关(发射极的浓度高于集电极?),对吧,版主?' ]" e: E! m6 U, q- N7 ?8 P1 o

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你讓我想起一個爛笑話︰ 有一個叫林玉琳的人,每次跟人家打賭都嗆︰「如果我說謊,名字讓你們倒過來唸!」  详情 回复 发表于 2017-6-19 17:54

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发表于 2017-6-19 16:35 | 只看该作者
没毛病,电压不高就好

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kobeismygod 发表于 2017-6-19 16:30( X) ?0 H) B4 [' F, G
三极管是可以反着用的,只是电流放大系数会变小,这个和两极的掺杂浓度差异有关(发射极的浓度高于集电极 ...
4 {! w/ I$ ^( d# S
你讓我想起一個爛笑話︰
/ V0 a" ^) g7 M! u
3 B& V3 g( w& C# [. }有一個叫林玉琳的人,每次跟人家打賭都嗆︰「如果我說謊,名字讓你們倒過來唸!」* f* A  }5 x* J' g
1 Q" E( x" u- `% p% b. g5 D
9 {, q; z1 w6 k  H" ]& P' X
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发表于 2017-6-19 18:18 | 只看该作者
本帖最后由 xynsy123 于 2017-6-19 18:23 编辑 ) X( c0 d( C& K3 v# N" g" C, F( e
# u& R1 d, @9 k( P
楼主这贴说的太含糊了,不知道是不是我理解能力差。
$ \( M- I3 V& A- n实测可以用,是可以实现什么功能?" H9 ]" E* g7 Y
KK2控制电压是多少?
# Y. H) f8 ^) t9 I, G* V6 s" s- mVDD50我就当成5V对吧?8 B, w  ], F# V+ \7 J$ c/ K
K2是接哪里?
% z3 U* D" |# {# i* i# D: ~PA1A又是什么东西,我猜是器件PA1的,PART-A,但是还是不知道是啥?. q/ n9 N, I$ w8 F; S/ b; n" J3 y
我觉得要再说清楚一点才好分析吧。------------------------------0 |7 A7 T- ]6 D
以目前的图来看,PA1A当成是一个负载,当KK2,两种状态的时候,Q2的2脚是悬空或者0V,不过0V的时候,电流的方向不对。
# L  ]/ v. ]4 @. z  E8 o- d6 r% _) `+ ?/ X6 a" J7 {$ s

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就是一个继电器控制电路  详情 回复 发表于 2017-6-19 20:03

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发表于 2017-6-19 20:03 | 只看该作者
xynsy123 发表于 2017-6-19 18:18: m2 g9 ?( @7 j6 i
楼主这贴说的太含糊了,不知道是不是我理解能力差。( C, S; m# H! }" D
实测可以用,是可以实现什么功能?( S/ L) Z9 Q# e6 n
KK2控制电压是多 ...
" \& o4 H9 Y$ C" S! M. v
就是一个继电器控制电路
6 c" f" k& k. {1 W2 l

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发表于 2017-6-19 23:37 | 只看该作者
是一个继电器驱动电路,认为还是达林顿形式更好些!

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 楼主| 发表于 2017-6-20 09:26 | 只看该作者
超級狗 发表于 2017-6-19 17:38
" s) l- x" x7 \% L- w/ g" Y0 |What will happen if I bias the collector and emitter of an NPN Transistor inversely?  M, \/ p1 E6 Z0 x7 Y6 c
If you use the ...

) r9 P4 Z* n8 H7 F特意百度翻译了一把. Q6 k, H1 t. X0 o

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我有繁中翻譯,是你自己不問的。 雙載子電晶體(BJT)如果射極(Emitter)和集極(Collector)反過來用會怎樣? 雙載子電晶體(BJT:Bipolar Junction Transistor)的射極(Emitter)含有比集極(Collec  详情 回复 发表于 2017-6-20 15:35
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 楼主| 发表于 2017-6-20 16:35 | 只看该作者
超級狗 发表于 2017-6-20 15:35
  S; c- X; `) W  H4 \/ f我有繁中翻譯,是你自己不問的。

7 ^0 q% A+ [  I# r, F& ?2 A………………………………% L! D3 _, T8 Y7 K

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哎呀,看错啦,想点个赞的  详情 回复 发表于 2017-6-22 09:31
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不就是一個菜英文做的翻譯,沒拿到需要這麼生氣嗎?^00^  发表于 2017-6-20 21:14
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 楼主| 发表于 2017-6-22 09:31 | 只看该作者
flywinder 发表于 2017-6-20 16:354 C: b/ [  m" Z) G" Q4 I( a
………………………………
; T2 \9 {: M( N. n! R
哎呀,看错啦,想点个赞的) i" x. Q9 j2 L: X$ N
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发表于 2017-6-22 15:56 | 只看该作者
用PNP吧,这里做反相器用。KK2为高时,输出为低,导通灯是吧。不过灯那边也应该加限流电阻啥的
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