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PMI芯片内部MOSFET 短路

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发表于 2017-2-7 00:05 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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充放电IC芯片内部靠近输出端VHP_PWR端(system_out 系统供电端)的MOSFET对地短路,又遇到类似的现象吗,PMU内部MOSFET失效模型大概有哪些?
( K, D. j' Q* c$ z2 X9 a 目前考虑的可能疑点和解决的办法:
9 M7 V) s8 d# G
8 L1 J$ M, Y* e* E) ^  1.负载过大,热累计,瞬间大电流的长期累计和瞬间的峰值电压的长期累计导致的损坏;
" O3 W3 b* d: F4 k  2.PCB设计,旁路电容, 布局走线引起开关脉冲端形成的最大、最严重过应力脉冲导致的EOS;1 n/ e6 d5 y0 F! m8 P# z3 V
  3. 可以在输出VHP_PWR端加TVS管进行防护,但是芯片内部的顺坏还是偶尔会发生,此时不排除生产制程过程ESD导致的问题。5 B4 W  {/ C' J

: E9 s; U! T, k) ]2 i/ Z# |0 i8 a9 C% W! ^. D
   不知道哪位大侠有更高的解决办法,不胜感激
: W3 A; o, P8 W$ Y! h+ O) S
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