去耦电容仿真设置(三)0 W {! k. \' k# e
' a9 i$ `: w+ H8 G4 N( ?
本模块用到的PCB案例:
1. 6层PCB设计,第2层是地平面、第5层是电源平面
2.1个电源网络:VCC(红色显示网络)
3.1个地网络:GND(绿色显示网络)
4.1个VRM、5个IC器件(阻抗观测点)、28个去耦电容
' d; R/ U7 X# g7 E u- D: |4 K( i
5 t) Z5 B$ C m. _8 [# Y1 F
% ]/ z* W* f# [( H& u8 c# [2 m/ W( X
本模块中,我们将会用OptimizePI分析不同的电容滤波方案对几个IC器件的电源阻抗的影响,从OptimizePI推荐的方案中选择合适的方案优化PDN设计。
0 O4 L( o1 g5 P2 }" x) X4 n; i$ d! D15. 在Workflow中选择“Discretes(Optional)”,这一步用于检查和设置如电感、磁珠、电阻等其它器件的模型。本案例中不需要设置
+ M* t: }+ k$ _' Y# q# W, t! Z: m" a
/ D$ \$ a9 n% Z, k% C! J
2 r! i4 z- [9 {0 g/ Z
7 x! w: {: M, h' J" _5 B$ \+ j, T* c5 X
16. 在Workflow中选择“Frequency/Time Range”。
1 n; ]# }/ t/ {5 S, x
; `- \2 b1 L, l- d' }设置仿真频率为100KHz-1GHz。
- D6 Q0 a3 R1 q" A/ n7 S: s+ {$ D5 c3 F3 M8 [
17. 在Workflow中选择“Analysis Type”。
" h; x8 S* |6 K' J; h% V$ }
- Z) N+ S8 l- ?9 B& \& M% }: H* {4 u; [选择Optimization->Device Optimization。点击OK确认
& X/ { ^7 F& ?. Y4 T8 T y
+ {3 M L3 ?1 h8 C X( }/ g6 X
18. 在Workflow中选择“Device Optimization Parameters”。
& v# x; l; E$ A: K: J D6 K, C) z( g- h6 B+ [7 m; W c( _% g
在Device Optimization Parameters->Optimization Manager页面,设置优化目标为“Best Performance vs. Cost”,在优化PDN性能的同时尽可能降低电容成本。
9 u2 ~0 ]7 J( R
# N& B# l1 w# s# E8 d, e/ \
Impedance Measure用于设置PDN阻抗的测量方式:
, y9 h$ n6 i' z" T" {# ^1 U: m
“Average Impedance Ratio to Threshold-log” 是将仿真得到的每条阻抗曲线上每个频点的阻抗和Threshold曲线阻抗的差,取Log,再相加得到一个最终的PDN阻抗值;
“Average Impedance Ratio to Threshold-linear”是将仿真得到的每条阻抗曲线上每个频点的阻抗和Threshold曲线阻抗的差,直接相加得到一个最终的PDN阻抗值;
“Average Impedance Percentage Difference to Target”是将仿真得到的每条阻抗曲线上每个频点的阻抗和Target曲线阻抗的差的百分比相加得到一个最终的PDN阻抗值。
O+ T% c9 e9 A+ t9 K" U, ~( b
本案例选择默认的“Average Impedance Ratio to Threshold-log”。
* [6 ~5 i; |' B2 j9 q+ t5 ?/ {# v5 y7 d( m- P
右边的网络选择区域,勾选VCC和GND网络进行仿真。
5 M" W" D* k5 j" A/ H' ~2 p" z
( i0 B. a K+ p7 C0 ]4 ]2 W- U. k19. 在Device Optimization Parameters->VRM(Optional)页面,可以查看和修改VRM器件的模型。本案例不需要修改。
/ Z3 y% p+ m D% `7 D
* C' } s. j+ ?2 h
20. 在Device Optimization Parameters->Decoupling Capacitor页面,设置哪些电容需要考虑替换成其它电容,每个电容分别可以替换成哪些电容类型。
1 G/ [! s6 ~2 w9 t; X每个电容可以替换的候选电容类型,可以选择内置的相同封装、相同或更小封装、任意类型、相同器件这4种模式,默认方式是相同或更小封装,也可以手动在右边的候选电容区域直接勾选相应的电容类型。
1 T- o; i9 w: [( B
选择所有ID为8的电容,在右边的候选电容列表中,把ID 5的C1uF0402电容取消掉。
, S5 r) {+ p6 w" }1 D( ?
* l, N5 w6 ^$ `& D% I. q$ ]" N. x; o$ ~选择所有ID为12的电容 ,在右边的候选电容列表中,把ID 5的C1uF0402电容取消掉。
- i% ^2 G2 A# Z! C4 ]' ?# x7 k( K( [- a
如果在仿真优化中不希望减少电容数量,可以把“Do Not Remove Capacitor”选项勾上。
6 F0 n. c( W/ H6 e* t* i; }8 p
; n9 u4 t6 B' v/ C
21. 在Device Optimization Parameters->Decoupling Capacitor Number页面,可以设置每种电容的最大数量。本例不需要设置。
4 w/ {* x. H/ V# J- b; P9 n: M& B8 u9 _3 x O# P; |. ^
22. 在Device Optimization Parameters->Optimization Range页面,可以设置电容优化方案的其它约束,如电容成本范围、电容面积范围、电容种类最大值、电容数量最大值、总容值范围等。本案例使用如下设置。
! h" R$ Y* B5 I Y
$ w H' B; r& w23. 在Device Optimization Parameters->Optimization Frequency页面,设置优化的频率范围。这个优化频率范围必须在前面设置的仿真频率的范围内。可以根据电源噪声频谱特点、电源阻抗特性等来合理设置优化频率范围。本案例设置优化范围为100KHz-100MHz。
7 ?) u5 {1 a1 I3 s, l. L, A
, Z, O6 [. |6 `6 C$ v. |
24. 在Device Optimization Parameters->Impedance Observations页面,可以设置每个阻抗观测点的Threshold Impedance曲线。没有设置Threshold Impedance的话,OptimizePI会根据Layout和滤波电容的情况,自动生成对应的Threshold Impedance。
还可以设置各阻抗观测点的权重,weighting数值越大的权重也越大。
, k* b, ]$ A4 r5 b本案例使用默认的设置,不做修改。
/ V( t6 s/ G2 Z% w/ M5 `4 r' o( F4 E0 s) t2 k6 a" N
25. Device Optimization Parameters的其它几个页面,本案例中没有涉及到,保留默认设置就可以
7 m8 @3 P5 F* U4 L
8 T' H+ d* X6 w: v8 e26. 在菜单栏选择Tools->Options->Edit Options,在Simulation(Basic)->General页面,设置仿真使用的CPU最大数量。
9 s$ F* N [. S3 z1 K6 b
5 {* n2 ?8 A! B( R3 L6 m1 B27. 在菜单栏选择Workspace->Layout File->Save,保存Layout修改。
8 o+ R. Y% K) i% O- w
28. 在菜单栏选择Workspace->Save,保存OptimizePI配置文件为demo.opix。
$ o% O: E. Y! \. I, h* m29. 在Workflow选择“Start Simulation”,开始仿真。
4 l. D+ y! F! \4 l+ \
4 u* \% C9 t2 |" b' d1 m/ c+ }-----本节完,共四章----# C) H7 U Y+ k- M. {0 g
) v. P8 h4 i% J& V/ _
- M) h9 Z8 t4 B5 ]( r% i: T' w! |
. j/ O5 q, R' N
U* o3 M; Q/ f