【已结束】NAND FLASH 无法读写(金额：2000~5000 元)

EDA365_PCB

  w- M: _. c  x4 ~9 R4 f, L2 n
6 h' B+ U; e" c

1.问题描述:

设计的数据采集器主控STM32F407，使用spansion公司的nand flash S34ML01G200存储数据,使用Keil MDK自带RL-FlashFS文件系统。20台机子有3台在使用半个月之后出现nand flash无法读写的问题。片选CE为高电平，无法拉低，判定为物理损坏。

2.原理图、PCB

3.要求

找到该问题所在。

4.时间

一个月

2 d" l, @8 N) U% n

5.预算

2K~5K

9 Y  H- O& m4 @1 B7 @' h联系版主：
" ]6 D" u( d  X$ |1 t0 ^（1）已经通过认证的设计师请直接发送你的中文姓名到版主邮箱，说明具备的接单条件及意愿。
, Y( f0 N) A8 [4 j（2）未参加认证的设计师请先去EDA365人才网（http://job.eda365.com）注册个人信息，然后要求同上。
2 @  d* S2 L$ K% Y1 D（3）意向接单人员请不要直接在帖子下方留联系方式，发现后禁言、屏蔽处理；

Projectaker

以下三点流程：
1.如果有同样的片子在其他板子上使用，那就更换对比操作，鉴定是不是片子本身问题（如果是片子问题，再怎么折腾浪费时间）；
2.在确定没有焊接问题的情况下来先确定和nand之间的各个信号是否确认互通ok，否则你浪费时间在对的软件里面看错误；
3.上述没什么问题，软件找原因。
个人意见~

myiccdream

按照“每1分钟采集两次数据存储在flash中” 。
按照30秒写一次Flash ? 然后在假设楼主的程序在反复的擦写flash的同一页：
5 Q& L- W0 n1 M6 V* |30天*24小时*60分钟*2=8.64万。 这个Flash就差不多报废了。
其实要论证一下是不是程序问题很简单。 将这个擦写速度提高，比如200ms什么。看问题是否大规模出现就可以了

gaoyubindan

NAND FLASH写入次数是有限的，楼上的朋友分析的很对，下不下来资料，没看到具体的檫写次数限制，按照介绍的频率，一个月差不多2000多次。为了进一步验证是不是檫写次数导致，你可以把读写时间改短，然后持续檫写，看看最终可以有好多次的寿命

yuxiaoxu8728

这种问题应该可以自己解决：
9 c- [) w/ V2 L' K5 j3 c7 d1，先找软件问题，如果软件没有问题，再找硬件
$ n; J6 t' n, |4 q2，硬件方面可以从焊接和PCB板材问题考虑（PCB问题应该比较小）主要就是焊接的问题，可能Nand会出现虚焊什么的，

xg_fopen

软件没问题的话，查找硬件，焊接是否虚焊？电源是否正常？

meateat

有做过哪些测试？

wt8800

只是挂在那做采集和传输实验，没有做测试。2月初挂了20台在实验，每1分钟采集两次数据存储在flash中，每10分钟从flash中提取数据发送到服务器。到现在已经有3台出现问题。

carrotzjg

如排除了软件问题，问题很可能来自于电磁辐射，需要你描述清楚使用的电磁环境并给出PCB图纸以便于进一步判断。期望能够合作

meateat

如果是芯片自带闪存控制器，应该会有坏块控制及负载均衡，如果是自己用IO口模拟的那有可能把某个块写坏了

meateat

如果主芯片可以接EMMC建议用EMMC闪存

EDA365_PCB

carrotzjg 发表于 2016-3-14 13:30
如排除了软件问题，问题很可能来自于电磁辐射，需要你描述清楚使用的电磁环境并给出PCB图纸以便于进一步判 ...

如有意向接单，请联系版主。联系方式见帖子说明。

hupmtv

这种设计出问题是必然的，NAND FLASH写入次数是有限的，你这个规格书上说1000次左右“– Block zero is a valid block and will be valid for at least 1000  program-erase cycles”，如果频繁写入是不能用NAND FLASH的。

mcu20050226

对， NAND FLASH写入次数是有限的。 肯定这个原因。

mcu20050226

是不是FLASH寿命问题， 可以看懂下面的方法。在有问题的板子上FLASH换了一下吧。
4 p) d; A# F4 v' Q/ C& N; ^7 u4 Q出现一样的话， 有其他原因。