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[仿真讨论] Via 对高速信号阻抗影响

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发表于 2015-9-1 09:39 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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关于Via对DDR3信号的影响;(1) 过孔等效长度影响     (时延)+ m4 H4 U6 c! }' Y2 D6 a
(2) 寄生电容,电感影响(阻抗不匹配)
# \6 c5 B+ q# v* I0 u7 S& ?6 b
以上两点,在设计时,要优先考虑哪点。
- L, m9 A1 N# }" j  |+ S/ N5 j3 ~% l; z

$ E' C/ g2 [9 Z( a1 \
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发表于 2015-9-1 09:59 | 只看该作者
这两点都不用担心。速率不是很高。

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现在嵌入式的 2133也是常见了。。。。。  详情 回复 发表于 2015-9-6 08:48

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发表于 2015-9-1 11:18 | 只看该作者
第二点稍微考虑一下就好,没有那么严重。

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感觉是否阻抗匹配及串拢(3W)处理好,等长按设计要求处理下。都OK。  详情 回复 发表于 2015-9-6 08:50

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发表于 2015-9-1 11:27 | 只看该作者
如果单从SI来考虑的话时延要求比较高,毕竟DDR3对时序要求很高,但是如true和cousins所说,DDR3没有那么严重,如果做到所有的同组线同时变化(打孔和换成),也可以多打个via。多考虑下EMC方面的措施。组可能方面的话,DDR3要求没有特别的严格。一般都能满足要求。

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发表于 2015-9-2 08:54 | 只看该作者
各位版主回答很精辟呀

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发表于 2015-9-5 08:53 | 只看该作者
我只说一点,DDR3对时序要求很高,DDR4也是,这也是DDR4速率一直上不去的一个原因

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 楼主| 发表于 2015-9-6 08:48 | 只看该作者
True 发表于 2015-9-1 09:59
( I# Q& H& J/ |) U* H4 j这两点都不用担心。速率不是很高。

4 X- @# t8 D% D# i/ ]现在嵌入式的 2133也是常见了。。。。。

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 楼主| 发表于 2015-9-6 08:50 | 只看该作者
cousins 发表于 2015-9-1 11:18
! }' H. O2 ^! u$ m. c0 i第二点稍微考虑一下就好,没有那么严重。
/ f* L$ H) e& u: v
感觉是否阻抗匹配及串拢(3W)处理好,等长按设计要求处理下。都OK。6 P; y9 Q: S3 X
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