[求助] 连接器参数估算

l888888h

各位，
对于连接器，厂商提供不了相应的模型
4 l: k# @+ n. j9 d* J仿真时一般是用什么来代替这个连接器，直接用 C 吗，大小是如何估算的？
: R, w* i+ A- A( B* f! j. }

cousins

测试获取touchstone。
重点关注测试点S参数去嵌入。

菩提老树

确实很多厂商是不提供这个参数的，有的厂商也没有能力提供，这个时候，如果您有相关的测试设备，您也可以自行测量得到S参数。

若华110

cousins 发表于 2015-8-26 08:08
' ?3 B0 ]* V$ P6 @; P" e测试获取touchstone。
$ K. D, U% C$ G2 i9 C重点关注测试点S参数去嵌入。

: k! r" b& e! _& t 麻烦详细解释下或演示下
+ A2 o: v/ ]  \! a

True

若华110 发表于 2015-8-26 09:19
麻烦详细解释下或演示下

做测试板，去嵌就得到了。需要付出一定的成本。一般这些事情是器件供应商该做的，但往往一般的分司，没有这个能力，或是不愿花钱去做这些。
3 G) O( A1 [) ^, R+ v! T2 [

qingdalj

做测试板是个好方法，不过估计很多公司都不会这么搞，实在不行的话仿真一下吧，这样没啥成本

cousins

没有连接器模型的前提下，（大部分的公司都不提供igs或者其他格式的3D模型）只可以做测试板。
然后对板上传输线以及SMA连接器去嵌，除此以外，应该没有更好的办法来做touchstone了。

l888888h

(1) 如果仿真的话，是用HFSS还是用Q3D?
) q, {; C; @, i, J5 t9 }(2) 可不可以就用一个电容来代替？

若华110

l888888h 发表于 2015-8-27 17:49
(1) 如果仿真的话，是用HFSS还是用Q3D?
$ c. o2 j; w! P  `% D- h2 o6 |/ x(2) 可不可以就用一个电容来代替？

一定不能只用简单的C代替，实测TDR和S参数发现其变化非常复杂
: M1 S; B: v. s! ]: a+ F8 O& u