电源完整性之阻抗问题

ares0260

请问各位大神，在做电源完整性是，别人提供给我一份由siwave导出的snp文件。
我把文件导入了ansoft designer，想问一下，如何看它的电源阻抗？
是看两个port之间即Z21还是Z11。
谢谢各位！
) k  U  u% i& M8 ^

cousins

PDN可以只有一个端口，单端口就只关心1MHz以上的回路阻抗。是不上电状态PDN。
- Y0 Y& D+ i) _& F两个或者两个以上端口，有两种处理方式：
1.电压源处加VRM，简单的模型就是0.01ohms以下电阻或者直接短路。这是模拟系统上电状态的PDN
7 `  S2 D* n: Y5 p# q2.加归一化的端口，这是模拟系统不上电状态PDN

cousins

Z11

菩提老树

从一个port看过去就可以啦，所以看Z11即可

qingdalj

回去看看理论吧

ares0260

菩提老树 发表于 2015-7-13 23:42
从一个port看过去就可以啦，所以看Z11即可

Z11是在其他端口open的情况下看去的输入阻抗，也就是自身的自阻抗。
在port1上加去耦电容是可以的，Z11会减小。这是没有问题的。
3 g; Z/ q$ [' ^那我在另一个端口（如port2）加一个接地电容，但Z11却不变。
% P( L- }+ T* }4 N- f3 M我觉得根据输入阻抗计算公式，在第二种情况下，z11应该是有所变化的？
能劳驾解释一下吗？但实际却不是。
  D8 Y3 q! Z& d

ares0260

qingdalj 发表于 2015-7-14 08:39
回去看看理论吧

& k: q& W( Q2 G/ R8 x能推荐一下资料吗？
; i9 Y% V* z- \/ p这些对于你们来说确实简单了些！
% W5 }+ y$ _, _

cousins

ares0260 发表于 2015-7-14 11:12
能推荐一下资料吗？
这些对于你们来说确实简单了些！

<Power Integrity Modeling and Design for Semiconductors and Systems  >
, G1 S- H( {  D1 B* {6 Ywritten by Madhavan Swaminathan   A.Ege Engin
9 e) [3 H: @& G/ m# @

ares0260

cousins 发表于 2015-7-13 16:42
Z11

请问为什么是Z11，默认的PDN至少有两个端口，在对SNP格式的文件进行仿真时，对另外一个端口怎么处理？
谢谢！
) H. e& T1 N) m( b

ares0260

cousins 发表于 2015-7-13 16:10
0 X  l" N9 q: T* ]+ ^% [PDN可以只有一个端口，单端口就只关心1MHz以上的回路阻抗。是不上电状态PDN。
8 R6 T$ u; W+ v& i两个或者两个以上端口，有两 ...

我尝试了这两种方法：
6 Q+ k/ d! [8 ^, f1）只用一个端口PORT1，另外的VRM端接地
2）用两个端口PORT1和port2，另外的VRM对应的port2的归一化阻抗为0.
( g2 y9 q' }: ?) C0 J% E$ ^得到的结果是一样的。其实不都相当于模拟电源内阻的情况吗？
7 M' v" s9 G1 R) [8 E

cousins

ares0260 发表于 2015-7-16 09:05
! B& [3 L+ @2 `4 C5 k我尝试了这两种方法：
0 s0 q0 e& Y* l0 A' P" }; R/ I& r1）只用一个端口PORT1，另外的VRM端接地
2）用两个端口PORT1和port2，另外的VRM ...

' D/ g: l- E4 F% A1 R! J6 ~归一化阻抗应该设置为50ohms或者0.1ohms以下，不能设为0.
) X5 `* F3 c4 n3 e- L0ohms怎么归一？  

归一是要用Z/Zref的...
; y$ N* q7 A8 A; C结果是不会完全一样的，在1MHz以上的结果是基本一致的。
/ P: X' o" C# B) t$ Q, k. ?0 K有vrm的在1MHz以下的Z11扫频对数结果为接近于一条直线，值很小。
; K3 q8 K* x6 A: f. D6 i无vrm的在1MHz以下的Z11扫频对数结果为从无穷大线性减小到一个很小的值，这个很小的值是靠近第一次出现电容谐振的位置。
记住以对数（log scale）的方式查看Z11。

ares0260

cousins 发表于 2015-7-16 09:31
归一化阻抗应该设置为50ohms或者0.1ohms以下，不能设为0.
: T6 o! q" l9 t! O9 \3 v2 \1 g6 F& g0ohms怎么归一？  

Hi Conusins，
: R/ [. h# D$ G请教您一个问题。
枣做电源完整性的时候，会生成一个SNP文件。
放到ansoft designer中去，做它的时域瞬态响应分析。
8 T/ T9 t( s# S# e) `. g因为以前没有接触过PI，真的不知该如何下手。
望您能指点一二。
一般情况下，会给它一个阶跃信号（0 to 1.2v）测得芯片输入端的电压即可。
但是参考的图中却没有看到对应的芯片（dut），这样对吗？

cousins

你要给的不是阶跃信号，是带交流分量的直流，交流分量为纹波。
& y* f  [# ^( f5 c! |" l这个架构是对的，如果要仿真芯片接受的信号，就要加入封装参数。但如果对比板级测试的话，你测试点是加不到封装内的。只要加到pin上就可以了。

ares0260

cousins 发表于 2015-7-22 17:23
你要给的不是阶跃信号，是带交流分量的直流，交流分量为纹波。
这个架构是对的，如果要仿真芯片接受的信号 ...

如何体现纹波的频率呢？
能劳驾你给一个电路模型参考一下吗？或者一个小例子。
拜谢！！！
下图是从别人哪里看到的结果，纹波应该是0.04V，可是我总是做不出来。
( \9 B8 f+ z& t可能是我了解的信息不全。我也把电路模型发给你了，你帮忙看看。
8 Y' S6 ~6 [. m, W' n非常感谢！！！


% d( o: V- r8 j5 l$ {( n
" t: O, C; m- }5 ?3 }

shark4685

提取平面的s参数即可。