阻抗仿真计算模型问题

鱼化石

  使用SI9000计算特征阻抗的时候有几个模型无法区分。
1.surface microStrip 1B和edge-coupled surface microStrip 1B有什么区别？   
+ a  P& G% D7 P3 `6 I8 ?8 |  z   
   计算微带线阻抗的时候，微带线同层铜皮对此微带线的阻抗如何影响的？ 是否有这样的模型？同层铜皮到此微带线的距离该设置多少？

7 K. O4 z. x" v- p% k2 M. j. ^- Y3 k
# G6 P, ]- j5 v; ^8 e: O& e* z 2.edge-coupled surface microStrip 1B和edge-coupled coated microStrip 1B有什么区别？ 抛开后者覆盖绿油对阻抗的影响不说。 难道两者都是计算差分信号差分阻抗的？
" g; O% _' B, \4 V5 j( j
- X, k4 U5 l* w& ?; Z8 B
% E! J4 S- T. o* t( F: h9 z 具体图请参考SI9000的软件模型。
! j9 z/ v, O  M2 |/ @, H# G5 J

shark4685

1.阻抗线参考同层的GND,学名叫：共面波导（CPW)，是一种阻抗的计算方式。

" _( f3 d) A' T1 J( K2.至于盖不盖绿油，绿油和空气都是有介电常数的，绿油介电常数一般取值3.5，空气为1.
对阻抗影响还蛮大。

鱼化石

shark4685 发表于 2015-3-18 10:58
! x' a, A5 K* _; ~. s1.阻抗线参考同层的GND,学名叫：共面波导（CPW)，是一种阻抗的计算方式。

  _7 K9 Q) X2 W! N, f# ]/ o; ^8 g5 w2.至于盖不盖绿油，绿油和空气 ...

1 Z* _' ^& K- ~% b4 F: l5 p; ]* @        如上的解释我知道。我的意思是在SI9000里面 surface microStrip 1B和edge-coupled surface microStrip 1B这两个模型有什么区别？   难道edge-coupled surface microStrip 1B这个是用来计算共面波导阻抗的，不是吧？
$ c/ L6 P' j# O. Z1 c# L
. {9 ?+ A& [4 Q      同层铜皮和传输线之间的距离L 和传输线线宽W满足什么关系才是共面波导呢？
" j. D7 i  c7 H! F  r5 a# q; C

shark4685

鱼化石 发表于 2015-3-18 13:39
, b$ z( ~  x5 E5 u# Y  Y如上的解释我知道。我的意思是在SI9000里面 surface microStrip 1B和edge-coupled surface micro ...

. y; r0 A, E- l7 R这个跟3W原则是一样的，3w以内，有90%以上的电磁场能量覆盖。

距离远了，就对阻抗没有太大影响了。
4 _: ^8 a! _; p7 R
越近对阻抗影响越大，但是由于物理条件的限制，如出pin，最小线宽线据要求，也不能太小。

( P7 V2 g3 ^6 P' X# B) H7 ]5 ?所以距离一般在最小线宽线距离----3w以内。

, |! d1 b. @* `+ q* z明白没有？
3 |- ~7 K. ^: _4 k. ]

鱼化石

shark4685 发表于 2015-3-18 13:51
这个跟3W原则是一样的，3w以内，有90%以上的电磁场能量覆盖。
# c7 @9 g: f6 d* g" R
距离远了，就对阻抗没有太大影响了。

- }* I- x2 e$ m3 F: v, S   谢谢！ 如上解答的理论内容不错。
   那在SI9000里面有没有哪种模型可以计算传输线周围铜皮的远近对其阻抗的影响呢？      如果铜皮距离传输线距离很近（比如1W）还能否用surface microStrip 1B这种模型呢？
5 Q( [4 A% u. @! Q) O
, F  Z* a. n" k; D
" k3 C6 L& K& T7 _, {1 {  请打开SI9000看看 ，多谢。

红孩儿

每种模式都不一样吧，楼主仔细看看。

shark4685

鱼化石 发表于 2015-3-18 16:51
谢谢！ 如上解答的理论内容不错。
   那在SI9000里面有没有哪种模型可以计算传输线周围铜皮的远近对 ...

! B$ N0 b5 E5 O- W! I' J1 M可以，你改变下距离算出来的阻抗就是趋势。si9000还有个高级模块，可以计算传输线的RLGC矩阵和S参数。精确度还可以，可以用来做简单的仿真。
" X& v  o0 A- y

花心刺猬

shark4685 发表于 2015-3-19 14:00
可以，你改变下距离算出来的阻抗就是趋势。si9000还有个高级模块，可以计算传输线的RLGC矩阵和S参数。精 ...

版主，你好，请教个问题，一个六层板，3和4层是走线层，那么这两层的阻抗线分别参考2和5层，那这种是属于微带线吗？
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# m5 |# I  F% k

shark4685

属于带状线，2,5 虽然离的远，但是还是可以参考的。

花心刺猬

shark4685 发表于 2015-3-24 19:42
! z9 ~/ l- B9 i. t* X属于带状线，2,5 虽然离的远，但是还是可以参考的。

8 W, X) F, v8 N: \4 x很感谢回复，再请教下，假如第三层的阻抗线在第四层有其它的信号横穿，那第三层还能参考到第五层的平面吗？那这种是否还是带状线？选择SI9000的阻抗模型时，是否需要选择两面都有参考层的？例如：六层板走DDR，一般走线都分布在3和4层，那么这时计算它们的单端和差分阻抗分别选用SI9000里哪种模型呢？

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shark4685

如果相临层有走线是垂直的，可以忽略，仍然以带状线算阻抗。